【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体芯片封装结构及其制作方法，尤其涉及一种影像传感芯片封装结构及其制作方法，属于半导体封装领域。
技术介绍
影像传感芯片是一种半导体模块，是一种将光学影像转换成为电子信号的设备，电子信号可以用来进一步处理或数字化后进行存储，或用于将影像传递至显示装置进行显示等。它被广泛应用于数码相机和其他电子光学设备中。影像传感芯片主要分为电荷耦合器件(CCD)和CMOS影像传感器(CIS)两类。虽然CCD影像传感器在影像质量以及噪声等方面优于CMOS影像传感器，但是CMOS传感器可用传统的半导体生产技术制造，生产成本较低。同时由于所用的元件数相对较少以及信号传输距离短，CMOS影像传感器具备功耗低、电容、电感和寄生延迟降低等优点。随着各种先进封装技术的出现，影像传感芯片的封装形式也向着更轻、更薄、更便携的方向发展，同时也要求更高的性能、更快的速度以及更低的成本。目前的影响传感芯片结构一般利用支撑墙(高分子材料)将芯片与玻璃盖板的四周粘接在一起，同时需要在芯片感光区与玻璃盖板之间留有一定的距离，这就要求支撑墙必须具有一定的厚度。然而由于目前采用的支撑墙强度和刚度较小，且厚度均一性较差，不足以保证芯片感光区与玻璃盖板之间有足够的距离，一般仅有30～50μm，并且会造成芯片与玻璃盖板接合处平整度差和玻璃表面不平整等问题。另外，由于支撑墙材料与其他材料的热膨胀系数差异较大，使得支撑墙与其他材料的界面处容易发生由热应...
【技术保护点】
一种影像传感芯片封装结构，其特征在于，包括：影像传感芯片(104)，包括感光区(100a)、芯片钝化层(100b)、芯片焊盘(100c)和芯片凸点下金属层(100d)，所述芯片凸点下金属层上制作有芯片微凸点(119)；透明基板(105)，所述透明基板一侧依次沉积有金属钛层(106)、金属铜层(107)和基板钝化层(109)，所述透明基板一端制作有基板微凸点(121)，所述透明基板中间位置留有透光区(116)；所述影像传感芯片(104)通过芯片微凸点(119)与透明基板(105)实现互连，芯片感光区(100a)面向透明基板并与透光区(116)对中。
【技术特征摘要】
1.一种影像传感芯片封装结构，其特征在于，包括：
影像传感芯片(104)，包括感光区(100a)、芯片钝化层(100b)、芯片焊盘(100c)和芯片
凸点下金属层(100d)，所述芯片凸点下金属层上制作有芯片微凸点(119)；
透明基板(105)，所述透明基板一侧依次沉积有金属钛层(106)、金属铜层(107)和基板
钝化层(109)，所述透明基板一端制作有基板微凸点(121)，所述透明基板中间位置留有透
光区(116)；
所述影像传感芯片(104)通过芯片微凸点(119)与透明基板(105)实现互连，芯片感光
区(100a)面向透明基板并与透光区(116)对中。
2.根据权利要求1所述的影像传感芯片封装结构，其特征在于，所述芯片微凸点(119)
是铜微凸点或者金微凸点。
3.根据权利要求1所述的影像传感芯片封装结构，其特征在于，所述透明基板(105)是
玻璃、石英或陶瓷。
4.一种影像传感芯片封装结构的实现工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，提供一晶圆(100)，所述晶圆功能面为正面，与其相反的一面为反面；正面具有
感光区(100a)、芯片钝化层(100b)、若干芯片焊盘(100c)，所述芯片焊盘上形成有芯片凸点
下金属层(100d)；
步骤2，于所述晶圆(100)正面涂覆第一光阻层(101)，并通过曝光、显影制程在与芯片
凸点下金属层对应处形成第一光阻层第一开口(110)以暴露底部的芯片凸点下金属层
(100d)；
步骤3，于所述第一光阻层第一开口(110)内沉积芯片铜凸点(102)；
步骤4，于所述芯片铜凸点(102)上沉积芯片焊料层(103)，；
步骤5，去除第一光阻层(101)，并将所述芯片焊料层(103)进行高温回流形成芯片微凸
点(119)；
步骤6，对所述晶圆(100)进行切割，将晶圆分立为单颗芯片(104)；
步骤7，提供一透明基板(105)，于所述透明基板一侧沉积金属钛层(106)；
步骤8，于所述金属钛层(106)上沉积金属铜层(107)；
步骤9，于所述金属铜层(107)上涂覆第二光阻层(108)，并通过曝光、显影制程在与金
属线路和透光区对应处形成第二光阻层第二开口(120)以暴露底部的金属铜层(107)；
步骤10，...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦飞，别晓锐，史戈，安彤，肖智轶，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11
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