本发明专利技术提供一种像素测试电路，其用于通过量测机台测量AMOLED的像素元件的参数，其包括：多个像素电路组，所述多个像素电路组的任一个包括多个像素电路，所述多个像素电路为相同的电路且彼此连接；以及至少一个开关电路，所述开关电路由多个薄膜场效应晶体管构成，设置于所述多个像素电路组之间，使所述多个像素电路组彼此构成并联连接；其中所述开关电路用于连接或者断开所述多个像素电路组的并联连接。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于AMOLED产品的线上监控(inline monitor)的像素测试电路及基于该像素测试电路的测量方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)由于具有低成本、低功耗、高亮度、自发光、全彩色、宽视角和易于制作在柔性衬底上等的优点，引起人们广泛的兴趣。在有机发光二极管显示器中，AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting D1de:有源矩阵有机发光二极体面板)产品采用薄膜场效应晶体管(TFT，以下简称为晶体管)形成像素电路，来实现OLED的画面显不O在现行的AMOLED产品设计中，AA区(Active Area:有效显示区域)的像素电路采用nTmC(n彡4，m彡1，m、η均为正整数)的结构，例如，一般采用4T1C/4T2C/5T1C/6T1C/6T2C/7T1C等的电路设计，其中，T表示晶体管，C表示电容，在进行高解析度产品设计时，对制造工艺的要求比较严格。为了更加及时、准确地监控产品，通常在AMOLED产品中设置与各元件相对应的具有测试点的测试电路(testkey)，通过对各个测试电路(testkey)进行测量，来评价AA区的像素电路。以往，采用单一像素电路来作为测试电路(testkey),利用TEG(test elementgoup:测试元件组)量测机台，通过模拟在点亮时(在使有机发光二极管发光时)像素检测电路的工作状态，来获取电流-电压曲线、晶体管的栅极电压、漏源电流等的元件参数。例如，图1示出了一个6T1C结构的像素测试电路的例子。该像素测试电路包括:有机发光二极管0LED、第一晶体管Tl、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、电容C，在该像素测试电路中，这些晶体管均为PMOS晶体管，像素测定电路也可以由NMOS晶体管或者其它的晶体管构成。图2示出了模拟AA区的像素电路的发光控制信号和扫描信号的时序波形图。从发光控制信号输入端EN和扫描信号输入端SN-1、SN输入基于图2示出的时序波形图的发光控制信号和扫描信号，通过从数据信号输入端DM写入数据，改变驱动有机发光二极管OLED发光的亮度控制晶体管(图中为第二晶体管T2)的栅源电压，来使该亮度控制晶体管导通，从而进行画面显示。然而，在采用单一像素电路进行测量而获得参数的情况下，有时会因为受到像素电路个体之间存在的误差的影响而不能够精确地测量出参数，特别是，当单一像素电路出现异常时，利用将单一像素电路作为测试电路来测量出的参数没有准确度可言，不能够用来标准化。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述问题而提出的，本专利技术的目的在于，提供一种通过能够高精度地测量像素电路的参数的像素测试电路及基于该像素测试电路的测量方法。根据本专利技术的一个技术方案，提供一种像素测试电路，其用于通过量测机台测量AMOLED的像素元件的参数，其包括:多个像素电路组，所述多个像素电路组的任一个包括多个像素电路，所述多个像素电路为相同的电路且彼此连接；以及至少一个开关电路，所述开关电路由多个薄膜场效应晶体管构成，设置于所述多个像素电路组之间，使所述多个像素电路组彼此构成并联连接；其中所述开关电路用于连接或者断开所述多个像素电路组的并联连接。根据本专利技术的另一个技术方案，提供一种通过量测机台对所述像素测试电路进行测量的测量方法，其包括:第一测量步骤，分别测量每一个所述像素电路组的元件参数的总和；计算步骤，分别计算出通过将在所述第一测量步骤中测量得到的每一个所述像素电路组的所述元件参数的总和除以每一像素电路组中所包括的像素电路的数量而得到的平均值，来作为每一个所述像素电路组的所述元件参数；判断步骤，对计算出的每一所述像素电路组的所述元件参数进行比较，判断每一所述像素电路组的所述元件参数之间的差值是否都在容许范围内；排除步骤，排除特定像素电路，其中所述特定像素电路为在所述判断步骤中判断为与其它的所述像素电路组的元件参数之间的差值不在容许范围内的至少一个所述像素电路组；第二测量步骤，在所述判断步骤中判断为每一个所述像素电路组的所述元件参数都在容许范围内的情况下，或者在所述排除步骤中排除了所述特定像素电路的情况下，测量所有所述像素电路或者剩余的所有所述像素电路的所述元件参数的总和；以及获取步骤，分别计算出通过在所述第二测量步骤中测量得到的所有所述像素电路的所述元件参数的总和除以所有所述像素电路的数量而得到的平均值，来作为所述像素测试电路的单个像素电路的元件参数。根据本专利技术，在对像素测试电路进行测量以获得像素电路的元件参数时，能够消除像素电路个体之间的偏差带来的影响，获得精度较高的像素电路元件参数。【附图说明】图1是表示一种现有技术中的有机发光二极管显示器的采用单一像素元件的测试电路图。图2是表示模拟AA区的像素电路的发光控制信号和扫描信号的时序波形图。图3是表示本专利技术的实施方式的像素测试电路的一部分的电路图。图4是表示本专利技术的实施方式的像素测试电路的另一部分的电路图。【具体实施方式】下面结合附图，对本专利技术的实施方式进行说明。其中，为了便于说明，对相同或相似的设备或信号标注相同的附图标记。图3是表示本专利技术的实施方式的像素测试电路所包含的像素电路组的部分电路I的电路图。在本实施方式中，像素电路组包括100个相同的单一像素元件的像素电路，该100个像素电路彼此并联连接。图3示出的部分电路I是示出了两个单一像素元件的像素电路11、12并联而成的测试电路。具体来说，将第一像素电路11的电源端VDD与第二像素电路12的电源端VDD连接，将第一像素电路11的信号输出端Output与第二像素电路12的信号输出端Output连接，将第一像素电路11的预设电压端VIN与第二像素电路12的预设电压端VIN连接，将第一像素电路11的数据信号输入端DM与第二像素电路12的数据信号输入端DM连接，将第一像素电路11的前排扫描信号输入端SN-1与第二像素电路12的前排扫描信号输入端SN-1连接，将第一像素电路11的当前扫描信号输入端SN与第二像素电路12的当前扫描信号输入端SN连接，将第一像素电路11的发光控制信号输入端EN与第二像素电路12的发光控制信号输入端EN连接，将第一像素电路11的第三晶体管的漏极与第二像素电路12的第三晶体管的漏极连接，将第一像素电路11的第六晶体管的源极与第二像素电路12的第六晶体管的源极连接，将第一像素电路11的第五晶体管的漏极与第二像素电路12的第五晶体管的漏极连接。通过将这两个相同的像素电路11、12并联在一起，能够对两者施加相同的电源电压，写入相同的有关光的亮度、灰度之类的灰阶数据，以及输入相同的发光控制信号和扫描信号。由此，能够测量出两个像素电当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种像素测试电路，其用于通过量测机台测量AMOLED的像素元件的参数，其特征在于，包括：多个像素电路组，所述多个像素电路组的任一个包括多个像素电路，所述多个像素电路为相同的电路且彼此连接；以及至少一个开关电路，所述开关电路由多个薄膜场效应晶体管构成，设置于所述多个像素电路组之间，使所述多个像素电路组彼此构成并联连接；其中所述开关电路用于连接或者断开所述多个像素电路组的并联连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：董杭，左文霞，颜圣佑，王承贤，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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