高抑制低损耗调螺免调试TEM介质双工器及其制作方法技术

本申请公开了一种高抑制低损耗调螺免调试TEM介质双工器及其制作方法，该介质双工器包括由固态介电材料制成的本体，所述本体呈矩形体，其5个表面包覆有金属层，所述本体的中部沿其长度方向开设有隔离槽，所述隔离槽的两侧分别阵列设置有多个调试盲孔，所述每个调试盲孔中分别配合设置有一个调谐螺钉，所述介质双工器相邻的两个侧面分别连接有一MBX组件，所述每一MBX组件分别包括一射频线缆和一连接器，所述射频线缆的一端通过线缆接头套连接于所述本体的侧面，另一端与所述连接器连接，所述本体与所述MBX组件相对的一个侧面设有SMA接头。

【技术实现步骤摘要】

本申请设及一种通信设备，特别是设及一种高抑制低损耗调螺免调试TOM介质双 工器及其制作方法。
技术介绍
通讯系统中通常采用波导滤波器将特定频段范围内的干扰信号或杂波信号滤除。 传统波导滤波器结构为金属腔体结构，即采用金属或金属合金等贵重材料(如:侣、儀合金 等)将中间或局部掏空，其金属材料主要起到电磁屏蔽和结构支撑的作用。采用此种方式设 计出来的滤波器虽然具有较高的Q值，但其体积及重量较大，不利于安装、拆卸及运输;而且 由于贵重金属价格较高，导致波导滤波器成本也较高。传统介质双工器还存在功率小的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高抑制低损耗调螺免调试TEM介质双工器及其制作方 法，W克服现有技术中的不足。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：本申请实施例公开了一种高抑制低损耗调螺免调试TOM介质双工器，包括由固态 介电材料制成的本体，所述本体呈矩形体，其5个表面包覆有金属层，所述本体的中部沿其 长度方向开设有隔离槽，所述隔离槽的两侧分别阵列设置有多个调试盲孔，所述每个调试 盲孔中分别配合设置有一个调谐螺钉，所述介质双工器相邻的两个侧面分别连接有一MBX 组件，所述每一MBX组件分别包括一射频线缆和一连接器，所述射频线缆的一端通过线缆接 头套连接于所述本体的侧面，另一端与所述连接器连接，所述本体与所述MBX组件相对的一 个侧面设有SM接头。优选的，在上述的高抑制低损耗调螺免调试TEM介质双工器中，所述隔离槽的两侧 分别设置有20个调试盲孔。[000引优选的，在上述的高抑制低损耗调螺免调试TEM介质双工器中，相邻两个所述调试 盲孔之间的中屯、距为11+0.1mm。优选的，在上述的高抑制低损耗调螺免调试TEM介质双工器中，所述本体底部的两 侧分别凸伸有2个安装板，所述安装板上开设有安装孔。 优选的，在上述的高抑制低损耗调螺免调试TEM介质双工器中，所述固态介电材料 为陶瓷。优选的，在上述的高抑制低损耗调螺免调试TEM介质双工器中，所述导电层为银或 铜。 相应的，本申请还公开了一种高抑制低损耗调螺免调试TOM介质双工器的制作方 法，依次包括步骤：[001引（1)、粉料制作； (2)、干压成型，成型压力为9.5±I.OMPa，获得巧件的长度150.9mm，宽度49mm，巧 件的比重为166±0.5g，;fc丕件的高度为13.7~13.8111111，巧件的密度为2.01邑/?3;[001引（3)、烧成，收缩率满足12.2~12.5%，成瓷密度满足1.8~2.0g/cm3; (4)、尺寸研磨，研磨后巧件长度为126.75±0.05mm，宽度为41.15±0.05mm，厚度 为 11.0±0.05mm; (5)、金属化，在陶瓷介质5个面披银；[001 引（6)、老化，条件:90~100°C/24h，：-10~-5°C/24h; (7)、频率研磨； (8)、印刷； (9)、完成MBX组件、SMA接头W及螺钉的焊装； (10)、调试，获得成品。与现有技术相比，本专利技术的优点在于:本专利技术的介质双工器具有高抑制、低损耗、 调螺免调试的优点，其还具有功率大的优势，可达到几十瓦。【附图说明】为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下， 还可W根据运些附图获得其他的附图。图1所示为本专利技术具体实施例中高抑制低损耗调螺免调试TOM介质双工器的结构 示意图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行详细的描 述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术 中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施 例，都属于本专利技术保护的范围。结合图1所示，高抑制低损耗调螺免调试TOM介质双工器，包括由固态介电材料制 成的本体1，本体呈矩形体，其5个表面包覆有金属层，本体的中部沿其长度方向开设有隔离 槽101，隔离槽的两侧分别阵列设置有多个调试盲孔102,每个调试盲孔102中分别配合设置 有一个调谐螺钉2,介质双工器相邻的两个侧面分别连接有一MBX组件3,每一MBX组件3分别 包括一射频线缆301和一连接器302,射频线缆301的一端通过线缆接头套303连接于本体的 侧面，另一端与连接器302连接，本体1与MBX组件3相对的一个侧面设有SMA接头4。 进一步的，隔离槽的两侧分别设置有20个调试盲孔。相邻两个调试盲孔之间的中 屯、距为11 ±0.1mm。进一步的，本体1底部的两侧分别凸伸有2个安装板103,安装板103上开设有安装 孔 1031。在上述技术方案中，固态介电材料优选为陶瓷，陶瓷具有较高的介电常数，硬度及 耐高溫的性能也比较好，因此成本射频滤波器领域常用的固态介电材料。当然，介电材料也 可W选用本领域技术人员所知的其他材料，如玻璃、电绝缘的高分子聚合物等。在上述技术方案中，导电层优选为银或铜等金属材料。上述高抑制低损耗调螺免调试TEM介质双工器的制造方法，依次包括步骤： (1)、粉料制作；MWF-9 材料，溫度系数-8.6ppm/°C，-40 ~8(rC (2)、干压成型，成型压力为9.5±1.0MPa，获得巧件的长度150.9mm，宽度49mm，巧 件的比重为166±0.5g，;fc丕件的高度为13.7~13.8111111，巧件的密度为2.01邑/?3; 要求； 1)、成型后的巧件毛刺必须立即清除。 2)、成型后的巧件表面不得有残留的料粉。3)、成型巧件时要保证巧件上下密度的均匀一致。 4)、成型后的巧件表面不得有缺损。 (3)、烧成，收缩率满足12.2~12.5%，成瓷密度满足1.8~2.Og/cm3,满足[00创要求： 1)、烧成后的巧件表面不得有分层.开裂和缺口现象。2)、烧成后的巧件外径尺寸两端的误差必须控制在<0.Imm. 3)、烧成后的巧件表面不得有色斑，由于烧成而引起的色变可W接受。4)、烧成后的巧件表面不得有气孔和砂眼[004引 （4)、尺寸研磨，研磨后巧件长度为126.75±0.05mm，宽度为41.15±0.05mm，厚度 为 11.0±0.05mm;(5)、金属化，在陶瓷介质5个面披银，126.75*41.15-个面预留不被银； (6)、老化，条件：90~100。(3/2地，：-10~-5。(3/2地； (7)、频率研磨； (8)、印刷；(9)、完成MBX组件、SMA接头W及螺钉的焊装；(10)、调试，获得成品，调试指标如下： 需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实 体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示运些实体或操作之间存 在任何运种实际的关系或者顺序。而且，术语"包括"、"包含"或者其任何其他变体意在涵盖 非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要 素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为运种过程、方法、物品或者设备 所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句"包括一个……"本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高抑制低损耗调螺免调试TEM介质双工器，其特征在于，包括由固态介电材料制成的本体，所述本体呈矩形体，其5个表面包覆有金属层，所述本体的中部沿其长度方向开设有隔离槽，所述隔离槽的两侧分别阵列设置有多个调试盲孔，所述每个调试盲孔中分别配合设置有一个调谐螺钉，所述介质双工器相邻的两个侧面分别连接有一MBX组件，所述每一MBX组件分别包括一射频线缆和一连接器，所述射频线缆的一端通过线缆接头套连接于所述本体的侧面，另一端与所述连接器连接，所述本体与所述MBX组件相对的一个侧面设有SMA接头。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱田中，倪玉荣，
申请(专利权)人：张家港保税区灿勤科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32