化合物、有机电致发光元件用材料、油墨组合物、有机电致发光元件、及电子设备制造技术

技术编号:13055506 阅读:144 留言:0更新日期:2016-03-23 18:33
本发明专利技术提供化合物,所述化合物由下述通式(1)和(2)表示,并且在1分子内具有11个以上苯环,具有被具有特定结构的取代基取代的含氮杂芳族基团;包含该化合物的有机电致发光元件用材料;含有溶剂和该化合物的油墨组合物;使用了该化合物的有机电致发光元件;以及搭载有该有机电致发光元件的电子设备。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化合物、有机电致发光元件用材料、油墨组合物、有机电致发光元件、及电子设备
本专利技术涉及化合物、有机电致发光元件用材料、油墨组合物、有机电致发光元件、及电子设备。
技术介绍
已知下述的有机电致发光元件(以下,有时也记载为“有机EL元件”),所述有机电致发光元件在阳极与阴极之间具有包含发光层的有机薄膜层,由通过被注入到发光层中的空穴与电子的再结合而产生的激子(exciton)能量获得发光。(参照专利文献1)。对于有机EL元件而言,发挥作为自发光型元件的优点,作为高发光效率、高画质、低电力消耗以及薄型的设计性优异的发光元件而受到期待。已知将发光层形成为在主剂中掺杂作为掺杂剂的发光材料而得到的主剂/掺杂剂发光层。在主剂/掺杂剂发光层中,能由被注入到主剂中的电荷高效地产生激子。而且,可将产生的激子的能量向掺杂剂转移,可由掺杂剂获得高效率的发光。近年来,为了实现有机EL元件的性能提升,关于主剂/掺杂剂系统也进行了进一步的研究,持续进行了合适的主体材料及其他的有机EL元件用材料的探索。另外,形成有机EL元件的各层的方法主要可分为真空蒸镀法、分子束蒸镀法等蒸镀法、和浸渍法、旋涂法、铸造法、棒涂法及辊涂法等涂布法。对于利用涂布法进行层形成的材料而言,要求例如温度耐性、在溶剂中的可溶性等与蒸镀法中使用的材料不同的特性。因此,在蒸镀法中有用的材料不一定在涂布法中也有用。此外,在可利用涂布法进行层形成的基础上,还需要满足作为有机EL元件而要求的多种性能要求。尤其是,在大型的有机EL显示器、照明面板等的制造中,为了可应用利用涂布法进行的层形成,期待可用于涂布法的有机EL元件用材料的开发。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2012/086170号。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术的目的在于提供一种合适地应用于利用涂布法进行层形成而得到的有机EL元件的化合物。另外,其他目的在于提供由该化合物形成的有机电致发光元件用材料、包含该化合物的油墨组合物、及使用了该化合物的有机电致发光元件、以及搭载有该有机电致发光元件的电子设备。用于解决课题的手段本专利技术人反复进行了深入研究,结果发现,具有被具有特定结构的取代基取代的含氮杂芳族基团的化合物可解决上述课题。即,根据本专利技术的一个方式,可提供下述[1]~[5]。[1]化合物,所述化合物由下述通式(1)及(2)表示,并且在1分子内含有11个以上的苯环。[化1](通式(1)中,A1表示取代或未取代的成环原子数5~30的含氮杂芳族基团。L1及L2各自独立地表示取代或未取代的成环碳原子数6~30的芳族烃基、取代或未取代的成环原子数5~30的杂环基、或2~4个这些基团键合而成的基团。a及b各自独立地表示0或1。其中,a为0时,(L1)0表示单键。另外,b为0时,(L2)0表示单键。Rx表示氢原子或取代基。X1~X8各自独立地表示C(R1)~C(R8)、或氮原子。R1~R8各自独立地表示氢原子或取代基,相邻的取代基可以相互键合而形成环。其中,R1~R4及Rx中的任一个表示在*1的位置与L2键合的单键。通式(2)中,La表示取代或未取代的成环碳原子数6~30的芳族烃基、或取代或未取代的成环原子数5~30的杂环基。s表示0或1。其中,s为0时,(La)0表示单键。X101~X108分别表示C(R101)~C(R108)或氮原子。R101~R108各自独立地为氢原子或取代基,相邻的取代基可以相互键合而形成环。其中,R105~R108中的任一个表示在*a的位置与La直接键合的单键。Ra及Rb各自独立地表示氢原子、碳原子数1~10的烷基、成环碳原子数6~14的芳基、或成环原子数5~14的杂芳基。Ra与Rb可以相互键合而形成环。Ra与R101、Rb与R108各自独立地可以相互键合而形成环。式(2)在*b的位置与L1、L2、R1~R8、及Rx中的至少1个键合。该情况下,式(2)所键合的R1~R8、及Rx表示单键。当式(2)存在多个时,分别可以相同也可以不同。)。[2]油墨组合物,其包含溶剂及上述[1]所述的化合物。[3]有机电致发光元件用材料,其含有上述[1]所述的化合物。[4]有机电致发光元件,其具有阴极、阳极、及在该阴极与该阳极之间的一层以上的有机薄膜层,上述一层以上的有机薄膜层包含发光层,上述一层以上的有机薄膜层中的至少1层包含上述[1]所述的化合物。[5]电子设备,所述电子设备搭载有上述[4]所述的有机电致发光元件。通过本专利技术的其他方式,可提供下述[6]~[10]。[6]下述通式(3)及(4)表示的化合物。[化2](通式(3)中,A2表示取代或未取代的成环原子数5~30的含氮杂芳族基团。L3及L4各自独立地表示取代或未取代的成环碳原子数6~30的芳族烃基、取代或未取代的成环原子数5~30的杂环基、或2~4个这些基团键合而成的基团。c及d各自独立地表示0或1。其中,c为0时,(L3)0表示单键。另外,d为0时,(L4)0表示单键。Rp~Ru各自独立地表示氢原子或取代基。X17~X80分别表示C(R17)~C(R80)、或氮原子。R17~R80各自独立地表示氢原子或取代基,相邻的取代基可以相互键合而形成环。其中,R17~R20中的任一个表示与*4键合的单键,Rp、R29~R32中的任一个表示与*5键合的单键,R37~R40中的任一个表示与*6键合的单键,Rq、R41~R44中的任一个表示与*7键合的单键,R21~R24中的任一个表示与*8键合的单键,Rr、R49~R52中的任一个表示与*9键合的单键,Rp、R25~R28中的任一个表示与*10键合的单键,Rs、R61~R64中的任一个表示与*11键合的单键,R33~R36中的任一个表示与*12键合的单键,Rt、R69~R72中的任一个表示与*13键合的单键,Rq、R45~R48中的任一个表示与*14键合的单键,Ru、R73~R76中的任一个表示与*15键合的单键。X17~X80、R17~R80、及Rp~Ru中同一符号的基团存在多个时,分别可以相同也可以不同。e~h各自独立地表示0或1的整数。其中,e~h为0时,()0各自独立地表示氢原子或取代基。t及u各自独立地表示0~2的整数,t+u=2。其中,t为0时的[]0、及u为0时的[]0分别表示氢原子。通式(4)中,Lb表示取代或未取代的成环碳原子数6~30的芳族烃基、或取代或未取代的成环原子数5~30的杂环基。m表示0或1。其中,m为0时,(Lb)0表示单键。X301~X308分别表示C(R301)~C(R308)或氮原子。R301~R308各自独立地为氢原子或取代基,相邻的取代基可以相互键合而形成环。其中,R305~R308中的任一个表示在*c的位置与Lb直接键合的单键。Raa及Rbb各自独立地表示氢原子、碳原子数1~10的烷基、成环碳原子数6~14的芳基、或成环原子数5~14的杂芳基。Raa与Rbb可以相互键合而形成环。Raa与R301、Rbb与R308各自独立地可以相互键合而形成环。式(4)在*d的位置与L3、L4、X17~X80、及Rp~Ru中的至少1个键合。该情况下,式(4)所键合的R17~R80、及Rp~Ru表示单键。式(4)存在多个时,分别可以相同也可以不同。)。[7]油墨组合物,其包本文档来自技高网
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【技术保护点】
化合物,所述化合物由下述通式(1)及(2)表示,并且在1分子内含有11个以上的苯环,[化1]通式(1)中,A1表示取代或未取代的成环原子数5~30的含氮杂芳族基,L1及L2各自独立地表示取代或未取代的成环碳原子数6~30的芳族烃基、取代或未取代的成环原子数5~30的杂环基、或2~4个这些基团键合而成的基团,a及b各自独立地表示0或1,其中,a为0时,(L1)0表示单键,另外,b为0时,(L2)0表示单键,Rx表示氢原子或取代基,X1~X8各自表示C(R1)~C(R8)、或氮原子,R1~R8各自独立地表示氢原子或取代基,相邻的取代基可以相互键合而形成环,其中,R1~R4及Rx中的任一个表示在*1的位置与L2键合的单键,通式(2)中,La表示取代或未取代的成环碳原子数6~30的芳族烃基、或取代或未取代的成环原子数5~30的杂环基,s表示0或1,其中,s为0时,(La)0表示单键,X101~X108各自表示C(R101)~C(R108)或氮原子,R101~R108各自独立地为氢原子或取代基,相邻的取代基可以相互键合而形成环,其中,R105~R108中的任一个表示在*a的位置与La直接键合的单键,Ra及Rb各自独立地表示氢原子、碳原子数1~10的烷基、成环碳原子数6~14的芳基、或成环原子数5~14的杂芳基,Ra与Rb可以相互键合而形成环,Ra与R101、Rb与R108各自独立地可以相互键合而形成环,式(2)在*b的位置与L1、L2、R1~R8、及Rx中的至少1个键合,该情况下,式(2)所键合的R1~R8、及Rx表示单键,当式(2)存在多个时,分别可以相同也可以不同。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.12 JP 2014-0495491.化合物,所述化合物由下述通式(1a-a)及(2a)表示,并且在1分子内含有11个以上的苯环,通式(1a-a)中,A1表示取代或未取代的下述的含氮杂芳族基,在取代的情况下,含氮杂芳族基的取代基为苯基,L1表示*表示键合位置,a表示1,Rx表示氢原子,Rxa表示氢原子,Ry表示与*3键合的单键,R3表示与*1键合的单键,R14表示与*2键合的单键,R11表示与*za键合的单键,R6a表示与*ya键合的单键,R1、R2、R4~R10、R12、R13、R15、R16、R1a~R5a、R7a、R8a表示氢原子,通式(2a)中,s表示0,(La)0表示单键,R101~R106、R108为氢原子,R107表示在*a的位置与La直接键合的单键,Ra及Rb各自独立地表示甲基或苯基,当式(2a)存在多个时,分别可以相同也可以不同,式(2a)在*b的位置与Rx及Rxa中的至少1个键合。2.下述通式(3a-1)及(4a)表示的化合物,通式(3a-1)中,A2表示取代或未取代的下述的含氮杂芳族基,在取代的情况下,含氮杂芳族基的取代基为苯基,c表示0或1,其中,c为0时,(L3)0表示单键,c为1时,L3表示*表示键合位置,d表示1,L4表示*表示键合位置,Rp、Rq、Rr、Rt各自独立地表示氢原子,R22表示与*8键合的单键,R27表示与*10键合的单键,R35表示与*12键合的单键,R46表示与*14键合的单键,R51表示与*9键合的单键,R70表示与*13键合的单键,R17、R18、R20、R21、R23~R26、R28、R29、R31~R34、R36、R37、R39~R42、R44、R45、R47~R50、R52~R56、R65~R69、R71、R72各自独立地表示氢原子,e和g各自独立地表示0或1的整数,其中,e和g为0时,()0各自独立地表示氢原子,h和f各自独立地表示0,()0各自独立地表示氢原子,t及u各自独立地表示0~2的整数,t+u=2,其中,t和u都不为0、2,通式(4a)中,R301~R306、R308各自独立地为氢原子,R307表示在*c的位置与Lb直接键合的单键,Raa及Rbb各自独立地表示甲基,m表示0,(Lb)0表示单键,式(4a)存在多个时,分别可以相同也可以不同,在式(4a)的*d位置与Rp、Rq、Rr、Rt中的至少1个键合,该情况下,式(4a)所键合的Rp、Rq、Rr、Rt表示单键。3.权利要求2所述的化合物,所述化合物由下述通式(3b-3)表示,通式(3b-3)中,A2、L3、L4、c、d、t、u、R17、R18、R20~R29、R31~R37、R39~R42、R44~R48、Raa、及Rbb与权利要求2中的记载相同,Rcc、Rdd各自独立地表示甲基。4.权利要求1所述的化合物,其中,1分子内的苯环数为12以上。5.权利要求1所述的化合物,其中,1分子内的苯环数为13以上。6.权利要求2所述的化合物,其中,通式(4a)表示的结构为下述芳基,上述式中,*d为上述的通式(4a)中的*d,表示键合位置。7.权利要求1或2所述的化合物,其为下述任一化合物,8.权利要求1或2所述的化合物,其为下述任一化合物,9.油墨组合物,其包含溶剂及权利要求1~8中任一项所述的化合物。10.权利要求9所述的油墨组...

【专利技术属性】
技术研发人员:川上宏典池田洁八卷太郎柏村孝
申请(专利权)人:出光兴产株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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