晶体管及显示设备制造技术

本发明专利技术涉及晶体管及显示设备。具体地说提供一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种氧化物半导体层，包括：包含纳米晶体的第一区；以及包括沿垂直于所述氧化物半导体层的表面的方向的c轴取向的结晶的第二区，其中所述氧化物半导体层包括铟、锡及锌，其中所述第二区位于所述第一区之上，并且其中所述氧化物半导体层的端部具有锥形形状。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，坂仓真之，渡边了介，坂田淳一郎，秋元健吾，宫永昭治，广桥拓也，岸田英幸，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP