本发明专利技术公开了一种用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂及其制备方法，该金属蚀刻剂由以下按照重量份的原料组成：过氧化氢20-30份、乙酸1-5份、次氨基三乙酸1-3份、羧甲基纤维素钠10-15份、硼酸15-20份、富马酸钠12-14份、氟化钠1-2份、乙二醇4-10份、联苯胺黄2-10份、硬脂酸钡6-8份、偶氮二异丁腈8-12份。本发明专利技术还提供了用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂的制备方法。该金属蚀刻剂的蚀刻速率高达132nm/min以上，远远高于一般的蚀刻液，提高了蚀刻效率，且在加入铜粉末的情况下，该金属蚀刻剂仅具有38.9℃的最高温度，因此抑制了有效成分过氧化氢的分解，显著的提高了稳定性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属蚀刻
，具体是一种用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂及其制备方法。
技术介绍
蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻和干蚀刻两类。例如，用氢氟酸对玻璃制品的局部表面进行腐蚀，在其表面刻画出各种花纹、图案、刻度、格子等。化学蚀刻过程是现在需蚀刻的玻璃表面涂上保护漆或石蜡。然后放入氢氟酸和少量NH4F组成的蚀刻液，玻璃表面层与氢氟酸作用，生成的氟化物溶解在蚀刻液中或沉积在玻璃表面。化学蚀刻就是将需要蚀刻的金属制件浸泡在由各种化学成分组成的蚀刻溶液中，在室温或加热的情况下，经过一定时间的反应后，需要蚀刻部分的金属慢慢溶解，最终达到所需要的蚀刻深度，使金属制件表面显露出具有凹凸立体感的装饰文字或图纹。化学蚀刻的过程实际上是金属在化学溶液中的自溶解，也就是腐蚀过程。半导体器件在基板上形成金属布线的过程通常包括：通过溅射形成金属层、通过涂覆在所选区域上形成光刻胶、曝光和显影光刻胶、和利用金属蚀刻剂蚀刻该金属层。为了降低金属布线的电阻，因此要采用低电阻的金属层，如含铜金属层，目前，市场上的用于含铜金属层的蚀刻剂，蚀刻效率较慢，其使用效果难以满足用户的需求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂及其制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂，由以下按照重量份的原料组成：过氧化氢20-30份、乙酸1-5份、次氨基三乙酸1-3份、羧甲基纤维素钠10-15份、硼酸15-20份、富马酸钠12-14份、氟化钠1-2份、乙二醇4-10份、联苯胺黄2-10份、硬脂酸钡6-8份、偶氮二异丁腈8-12份。作为本专利技术进一步的方案：由以下按照重量份的原料组成：过氧化氢23-28份、乙酸2-4份、次氨基三乙酸2-3份、羧甲基纤维素钠12-14份、硼酸16-19份、富马酸钠13-14份、氟化钠1-2份、乙二醇5-8份、联苯胺黄4-8份、硬脂酸钡6-7份、偶氮二异丁腈9-11份。作为本专利技术再进一步的方案：由以下按照重量份的原料组成：过氧化氢25份、乙酸3份、次氨基三乙酸2份、羧甲基纤维素钠13份、硼酸18份、富马酸钠13份、氟化钠2份、乙二醇6份、联苯胺黄6份、硬脂酸钡7份、偶氮二异丁腈10份。所述用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂的制备方法，步骤如下：1)量取乙酸、羧甲基纤维素钠、硼酸、富马酸钠、氟化钠、乙二醇和联苯胺黄，加入到容器内，加热至50-60℃，搅拌混合5-10分钟，获得第一混合液；2)将第一混合液在自然冷却至室温，称取并加入硬脂酸钡，加热至42-48℃，搅拌混合10-15分钟，获得第二混合液；3)称取偶氮二异丁腈，并加入至第二混合液内，继续混合搅拌5-8分钟，获得第三混合液；4)将第三混合液冷却至室温，量取并加入过氧化氢和次氨基三乙酸，搅拌均匀即可。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：1、该金属蚀刻剂的蚀刻速率高达132nm/min以上，远远高于一般的蚀刻液，提高了蚀刻效率。2、在加入铜粉末的情况下，该金属蚀刻剂仅具有38.9℃的最高温度，因此抑制了有效成分过氧化氢的分解，显著的提高了稳定性。3、该金属蚀刻剂对Cu单层和Cu/Mo-Ti层的蚀刻均具有优良的平直度和极好的锥形轮廓，同时未留下残留物，因此具有极好的蚀刻性能。具体实施方式下面结合具体实施方式对本专利技术的技术方案作进一步详细地说明。实施例1一种用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂，由以下按照重量份的原料组成：过氧化氢20份、乙酸1份、次氨基三乙酸1份、羧甲基纤维素钠10份、硼酸15份、富马酸钠12份、氟化钠1份、乙二醇4份、联苯胺黄2份、硬脂酸钡6份、偶氮二异丁腈8份。本实施例中所述用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂的制备方法，步骤如下：1)量取乙酸、羧甲基纤维素钠、硼酸、富马酸钠、氟化钠、乙二醇和联苯胺黄，加入到容器内，加热至50℃，搅拌混合5分钟，获得第一混合液；2)将第一混合液在自然冷却至室温，称取并加入硬脂酸钡，加热至42℃，搅拌混合10分钟，获得第二混合液；3)称取偶氮二异丁腈，并加入至第二混合液内，继续混合搅拌5分钟，获得第三混合液；4)将第三混合液冷却至室温，量取并加入过氧化氢和次氨基三乙酸，搅拌均匀即可。实施例2一种用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂，由以下按照重量份的原料组成：过氧化氢30份、乙酸5份、次氨基三乙酸3份、羧甲基纤维素钠15份、硼酸20份、富马酸钠14份、氟化钠2份、乙二醇10份、联苯胺黄10份、硬脂酸钡8份、偶氮二异丁腈12份。本实施例中所述用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂的制备方法，步骤如下：1)量取乙酸、羧甲基纤维素钠、硼酸、富马酸钠、氟化钠、乙二醇和联苯胺黄，加入到容器内，加热至60℃，搅拌混合10分钟，获得第一混合液；2)将第一混合液在自然冷却至室温，称取并加入硬脂酸钡，加热至48℃，搅拌混合15分钟，获得第二混合液；3)称取偶氮二异丁腈，并加入至第二混合液内，继续混合搅拌8分钟，获得第三混合液；4)将第三混合液冷却至室温，量取并加入过氧化氢和次氨基三乙酸，搅拌均匀即可。实施例3一种用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂，由以下按照重量份的原料组成：过氧化氢25份、乙酸3份、次氨基三乙酸2份、羧甲基纤维素钠13份、硼酸18份、富马酸钠13份、氟化钠2份、乙二醇6份、联苯胺黄6份、硬脂酸钡7份、偶氮二异丁腈10份。本实施例中所述用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂的制备方法，步骤如下：1)量取乙酸、羧甲基纤维素钠、硼酸、富马酸钠、氟化钠、乙二醇和联苯胺黄，加入到容器内，加热至55℃，搅拌混合8分钟，获得第一混合液；2)将第一混合液在自然冷却至室温，称取并加入硬脂酸钡，加热至45℃，搅拌混合12分钟，获得第二混合液；3)称取偶氮二异丁腈，并加入至第二混合液内，继续混合搅拌6分钟，获得第三混合液；4)将第三混合液冷却至室温，量取并加入过氧化氢和次氨基三乙酸，搅拌均匀即可。实施例4一种用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂，由以下按照重量份的原料组成：过氧化氢30份、乙酸2份、次氨基三乙酸3份、羧甲基纤维素钠10份、硼酸16份、富马酸钠14份、氟化钠1份、乙二醇4份、联苯胺黄5份、硬脂酸钡8份、偶氮二异丁腈8份。本实施例中所述用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂的制备方法，步骤如下：1)量取乙酸、羧甲基纤维素钠、硼酸、富马酸钠本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂及其制备方法，其特征在于，由以下按照重量份的原料组成：过氧化氢20‑30份、乙酸1‑5份、次氨基三乙酸1‑3份、羧甲基纤维素钠10‑15份、硼酸15‑20份、富马酸钠12‑14份、氟化钠1‑2份、乙二醇4‑10份、联苯胺黄2‑10份、硬脂酸钡6‑8份、偶氮二异丁腈8‑12份。
【技术特征摘要】
1.一种用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂及其制备方法，其特征在于，由以下按照重量份的原料组成：过氧化氢20-30份、乙酸1-5份、次氨基三乙酸1-3份、羧甲基纤维素钠10-15份、硼酸15-20份、富马酸钠12-14份、氟化钠1-2份、乙二醇4-10份、联苯胺黄2-10份、硬脂酸钡6-8份、偶氮二异丁腈8-12份。
2.根据权利要求1所述的用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂，其特征在于，由以下按照重量份的原料组成：过氧化氢23-28份、乙酸2-4份、次氨基三乙酸2-3份、羧甲基纤维素钠12-14份、硼酸16-19份、富马酸钠13-14份、氟化钠1-2份、乙二醇5-8份、联苯胺黄4-8份、硬脂酸钡6-7份、偶氮二异丁腈9-11份。
3.根据权利要求2所述的用于蚀刻含铜金属层的金属蚀刻剂，其特征在于，由以下按照重量份的原料组成...
【专利技术属性】
技术研发人员：尹国钦，郭永华，杨正军，吕淑英，颜磊，张美刚，田芳华，
申请(专利权)人：宁波东盛集成电路元件有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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