一种SIW传输线，涉及微波、传输线技术。包括第一传输线、第二传输线和第三传输线，所述第一传输线、第二传输线和第三传输线包括介质基板、设置于介质基板上表面的第一金属覆铜层和设置于介质基板下表面的第二金属覆铜层，所述介质基板上设置有两排相互平行的金属化通孔并且所述金属化通孔贯穿第一金属覆铜层、介质基板、第二金属覆铜层形成基片集成波导；所述第一传输线与第二传输线垂直，第二传输线与第三传输线垂直，SIW传输线呈阶梯状。本发明专利技术SIW传输线实现了端口不在同一平面的器件的集成，且其传输性能与等长的传统传输线的性能几乎一致。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及微波、传输线技术，具体设及一种X波段SIW传输线。
技术介绍
近年来，传输线技术的研究有了很大的发展。继传统波导之后，相继出现了带状 线、微带线、槽线等微带型结构。W上几种传输线具有各自的优点和缺陷。传统波导传输功 率大，传输性能好，损耗小，但是体积比较大，难W和其他元器件集成；而微带型结构体积较 小，易于集成，但是损耗较大。 基片集成波导（Substrate Integrated Waveguide. SIW)是一种可集成于介质基 片中的新型传输线结构。SIW通常是在介质基板上打两排金属通孔，再在基板两面覆W金属 得到的。在保证传输线上能量不泄露的情况下，将通孔阵列等效为金属壁，传输特性则可近 似矩形波导分析。SIW结构具有传统波导和微带型结构传输线的优点，即具有低福射、低插 损、较高Q值、高功率容量、小型化、易于连接等优点，且可将无源器件、有源器件和天线等 所有通信器件集成在同一衬底上。然而，传统结构的SIW无法满足端口不在同一平面的器 件的集成。
技术实现思路
本专利技术针对
技术介绍
存在的缺陷，提出了一种X波段（8. 2~12. 4GHz)的SIW传输 线，本专利技术SIW传输线实现了端口不在同一平面的器件的集成，且该传输线具有与传统SIW 传输线相同的传输性能。 阳0化]本专利技术的技术方案如下： -种SIW传输线，包括第一传输线、第二传输线和第立传输线，所述第一传输线、 第二传输线和第=传输线包括介质基板、设置于介质基板上表面的第一金属覆铜层和设置 于介质基板下表面的第二金属覆铜层，所述介质基板上设置有两排相互平行的金属化通孔 并且所述金属化通孔贯穿第一金属覆铜层、介质基板、第二金属覆铜层形成基片集成波导； 所述第一传输线与第二传输线垂直，第二传输线与第立传输线垂直，所述SIW传输线呈阶 梯状。 进一步地，通过调整第一传输线、第二传输线、第=传输线的结构参数，W及第二 传输线的长度，即可控制SIW传输线的传输性能。 进一步地，所述第一传输线与第二传输线连接处的金属化通孔一半位于第一传输 线上，另一半位于第二传输线上；所述第二传输线与第=传输线连接处的金属化通孔一半 位于第二传输线上，另一半位于第=传输线上。 上述SIW传输线作为端口不在同一平面的器件的连接应用。 上述SIW传输线的设计方法如下： W11] 步骤1 :根据X波段矩形波导与圆孔SIW传输线的尺寸等效经验公式，得到第一传输线、第二传输线与第=传输线的 中屯、频率f。，金属通孔直径d，相邻金属通孔孔间距S，两排金属化通孔之间的距离W ; 步骤2 :根据经验公式的限制条件，分别对步骤1得到的t s、w参数， 固定其中两个参数，扫描剩下的一个参数，进一步优化第一、第二、第=传输线的尺寸；[001引步骤3 :将步骤2得到的优化尺寸后的第一传输线、第二传输线、第立传输线构建 为阶梯状结构，其中第一传输线与第二传输线垂直，第二传输线与第=传输线垂直；然后对 第二传输线中金属化通孔的个数进行参数扫描，从而得到本专利技术SIW传输线的最优尺寸。 本专利技术的有益效果为：本专利技术通过将第一传输线、第二传输线和第=传输线运= 段基本传输线建立为阶梯状结构，实现了端口不在同一平面的器件的集成，且其传输性能 与等长的传统传输线的性能几乎一致。【附图说明】 图1为本专利技术SIW传输线中的第一传输线、第二传输线或第=传输线的俯视图； 图2为本专利技术提供的SIW传输线的结构示意图； 图3为本专利技术提供的SIW传输线的Sii参数仿真结果； 图4为与本专利技术SIW传输线等长的传统结构传输线的S。参数仿真结果； 图5为本专利技术提供的SIW传输线的Si2参数仿真结果； 图6为与本专利技术SIW传输线等长的传统结构传输线的Si2参数仿真结果； 图7为本专利技术提供的SIW传输线的VSWR曲线； 图8为与本专利技术SIW传输线等长的传统结构传输线的VSWR曲线； 图9为本专利技术提供的SIW传输线的传播常数； 图10为与本专利技术SIW传输线等长的传统结构传输线的传播常数； 图11为本专利技术提供的SIW传输线的衰减常数；图12为与本专利技术SIW传输线等长的传统结构传输线的衰减常数。【具体实施方式】 下面结合附图和实施例，详述本专利技术的技术方案。 如图2所示，为本专利技术提供的SIW传输线的结构示意图；本专利技术提供的SIW传输线 由=段基本传输线组成，分别为第一传输线、第二传输线和第=传输线，每段基本传输线的 俯视图如图1所示，包括介质基板、设置于介质基板上表面的第一金属覆铜层和设置于介 质基板下表面的第二金属覆铜层，所述介质基板上设置有两排相互平行的金属化通孔并且 所述金属化通孔贯穿第一金属覆铜层、介质基板、第二金属覆铜层形成基片集成波导；所述 第一传输线与第二传输线垂直，第二传输线与第立传输线垂直，所述SIW传输线呈阶梯状； 通过调整第一传输线、第二传输线、第=传输线的结构参数，W及第二传输线的长度，即可 控制SIW传输线的传输性能。 实施例 一种X波段SIW传输线，包括第一传输线、第二传输线和第=传输线，所述第一传 输线与第二传输线垂直，第二传输线与第=传输线垂直，所述SIW传输线呈阶梯状；所述第 一传输线与第二传输线连接处的金属化通孔为半孔，第二传输线与第一传输线、第=传输 线连接处的金属化通孔为半孔，第=传输线与第二传输线连接处的金属化通孔为半孔。 上述X波段SIW传输线的设计过程为： 步骤1:根据X波段矩形波导与圆孔SIW传输线的尺寸等效经验公式.得到X波段第一传输线、第二传输线与第=传 输线的中屯、频率f。，金属通孔直径山相邻金属通孔孔间距S，两排金属化通孔之间的距离 W，如图1所示；介质基板相对介电常数为3,损耗正切为0. 0013,厚度t = 0. 25mm ;初调d 为0. 7mm，S为1. 3mm，计算得到W为13. 4mm ;[003引步骤2 :分别对步骤1得到的d、s、w参数，固定其中两个参数，W较小步长，扫描剩 下一个参数，W确定满足=段基本传输线尺寸的最优值；具体地，选择d从0. 6mm到0. 9mm， 步长为0.1 mm ;选择S从Imm到1. 6mm，步长为0.1 mm ;选择w从12mm到15mm，步长为0.1 mm； 对W上结果进行筛选：为了使高次模介质频率大于标准波导，则w-d《13. 2mm，并且由于传 输线的传输性能需要Sii参数小于30地，S 12参数大于0. 23地；综上可得到d = 0. 8mm，S = 1. 4mm, W = 14mm ； 步骤3 :将步骤2得到的优化尺寸后的第一传输线、第二传输线、第S传输线构建 为阶梯状结构，其中第一传输线与第二传输线垂直，第二传输线与第=传输线垂直；其中， 第二传输线的长度为SX (ri2-l)，调节第二传输线的长度，对ri2进行扫描得到符合要求的最 优值；然后调节ri2从7变化到13,步长为1，对W上结果进行筛选；由于本专利技术SIW传输线 性能需要Sii参数小于30地，S 12参数大于0. 3地；综上，选择n 2= 10 ; 步骤4 :SIW传输线中第一传输线中金属通孔的个数Iii= 11，第S传输线中金属通 孔的个数ri3= 11，其中基本传输线连接处的半个金属孔计算为1个，因此，SIW传输线的总 长度本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种SIW传输线，包括第一传输线、第二传输线和第三传输线，所述第一传输线与第二传输线垂直，第二传输线与第三传输线垂直，所述SIW传输线呈阶梯状。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：邓龙江，董师伶，汪晓光，陈良，梁迪飞，陈虹宇，李丽华，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51
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