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用于无凸起内建层(BBUL)的无凸起管芯封装接口制造技术

技术编号:12995658 阅读:152 留言:0更新日期:2016-03-10 05:03
本公开的实施例涉及集成电路(IC)封装组件中的至嵌入式硅管芯的无凸起接口。在一个实施例中,一种方法包括:形成介电材料的环绕部分,该环绕部分在介电材料中定义空腔;在空腔中放置至少一个管芯,该管芯包括接触;在该管芯上和环绕部分上沉积介电材料;刻蚀介电材料来暴露出接触;以及在接触上沉积导电材料。可以描述和/或要求保护其它实施例。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的实施例通常涉及集成电路领域,并更特别地,涉及集成电路(IC)封装组件中的至嵌入式硅芯片的无凸起接口以及制造包括这种接口的封装组件的方法。
技术介绍
新兴的封装组件可包括嵌入式管芯,例如处理器和存储器芯片。为了访问这些嵌入式管芯,封装组件必须包含导电路径来在电学上将封装级互连件(例如焊锡球)耦合至芯片接触。用来制造管芯与周围的封装之间的接口的现有技术可能需要若干工艺步骤,每个步骤都会造成组件的成本上升和生产的复杂性。减少所需要的步骤的数量可以简化工艺和减少完成的封装组件的生产成本。附图说明通过下述结合附图的详细的描述,将会更容易理解这些实施例。为了便于此描述,相似的参考数字指代相似的结构元件。通过示例而非限制的方式,在附图的图片中示出了这些实施例。图1A-E示意地图解了根据一些实施例的在制造的各种阶段过程中封装衬底的横截面侧视图。图2A-H示意地图解了根据一些实施例的在制造的各种阶段过程中封装衬底的横截面侧视图。图3示意地图解了根据一些实施例的封装组件的横截面侧视图。图4示意地图解了根据一些实施例的在安装之前的管芯的横截面侧视图。图5示意地图解了根据一些实施例的制造IC封装组件的方法的流程图。图6示意地图解了根据一些实施例的包括有本文中描述的IC封装组件或者封装衬底的计算装置。具体实施方式本公开的实施例描述集成电路(IC)封装组件中的至嵌入式硅管芯的无凸起接口以及制造包括这种接口的封装组件的方法。在下面的描述中,图解的实施方式的各个方面将使用本领域技术人员通常采用的术语被描述,来向本领域技术人员传达他们工作的实质。但是,本领域技术人员将可理解,仅利用一些所描述的方面也可以实践本公开的这些实施例。出于解释的目的,阐述了特定数量、材料和构造,为的是提供对图解的实施方式的透彻的理解。然而,对于本领域技术人员来说明显的是,不利用这些具体细节也可实践本公开的这些实施例。在其他情况下,公知特征被省略或简化,以便不会模糊图解的实施方式。在以下详细的描述中,参考形成说明书的一部分的附图,其中,类似的数字自始至终指代类似的部件,并且通过图解的方式示出其中可实践本公开的主题的实施例。应该理解的是,也可利用其它实施例,并且可在结构或者逻辑上作出变化而不背离本公开的范围。因此,下面的详细描述并不是限制意义,实施例的范围是由所附的权利要求和其等价物来定义的。为了本公开的目的,短语“A和/或B”意味着(A)、(B)、或者(A和B)。为了本公开的目的,短语“A、B和/或C”意味着(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或者(A、B和C)。本说明书会使用基于透视的描述,例如顶部/底部、内部/外部、上方/下方等等。这些描述仅仅是用来简化讨论,并不意在将本文中描述的实施例的应用限制到任何特定的方向。本说明书会使用短语“在一个实施例中”、“在多个实施例中”或者“在一些实施例中”,其会指代一个或多个相同或不同的实施例。另外,关于本公开的实施例所使用的术语“包含”、“包括”、“具有”等具有相同的含义。本文中可能会使用术语“与…相耦合”及其衍生词。“耦合”可能意味着下面的一个或多个意思。“耦合”可能意味着两个或更多个元件直接地物理接触或者电学接触。然而,“耦合”也可能意味着两个或更多个元件间接地彼此接触,但是仍然彼此配合或相互作用,并且也可能意味着一个或更多个其他元件耦合于或连接于这些元件之间,其就是所谓的彼此耦合。“直接地耦合”可能意味着两个或更多个元件直接接触。在各种实施例中,短语“第一特征形成于、放置于或者设置于第二特征上”可能意味着第一特征是形成于、放置于或者设置于第二特征之上,并且至少一部分的第一特征与至少一部分的第二特征是直接接触(例如,直接的物理和/或电学接触)或者间接接触(例如,在第一特征和第二特征之间具有一个或多个其他特征)。如本文中所使用的,术语“模块”可指代一部分的或者包括执行一个或多个软件或固件程序、组合逻辑电路和/或提供所描述的功能的其他合适的组件的专用集成电路(ASIC)、电子电路、芯片上系统(SoC)、处理器(共享的、专用的或者群组的)和/或存储器(共享的、专用的或者群组的)。图1(A)-2(H)图解了根据特定实施例的用于形成包括在无核衬底中的嵌入式芯片的组件的操作。在特定实施例中,两个相同的嵌入式芯片组件可以以背靠背的方式形成。这是通过使用粘合剂将组件配对在一起来完成的。例如,如图1(A)中所图解的,载体结构包括材料(例如预浸材料10),在其上金属层(例如短铜(Cu)箔12)定位于其上部。为了使背靠背组件形成成为可能,另一层金属层(例如短铜箔12)定位于预浸材料10的下部,如图1中所图解的。相同的组件形成于预浸材料10的上方和下方,如图1(A)-2(H)中所图解的。为了简单起见,将讨论和参考图1(A)中预浸材料10上方的组件的形成。金属层(例如长铜箔14)耦合至短铜箔12。长铜箔14可以是牺牲层,在后续的工艺过程中会被移除。所图解的组件可以是具有多个相同的背靠背结构的组件的较大面板的一部分。在特定的实施例中,数千个组件可以从单个面板形成。在特定的实施例中,组件可以形成作为背靠背个体衬底组件的大面板的一部分。该面板可以被这样形成,使得短铜箔12不完全延伸至面板边缘,同时长铜箔14延伸超过短铜箔12。在短铜箔12不存在的那些端部处,长铜箔14接合至预浸材料10(例如,从预浸材料中的环氧树脂)。长铜箔14和预浸材料10之间的此接合将组件保持在一起。当面板工艺完成时,长铜箔14接合至预浸材料10的端部区域被切除。沿着面板长度的剩余部分,没有什么将长铜箔保持到短铜箔上。于是在后面的工艺操作中,将长铜箔从组件上刻蚀掉。如图1(B)所图解的,封装叠加(POP)焊垫16形成在长铜箔14上。可以使用对于POP焊垫16来说任何合适的材料,包括但不限于多层结构,包括包含金(Au)和镍(Ni)的第一层16a以及包含铜的第二层16b。第一层16a可以组成表面处理层,其将位于另一个组件可以被耦合的表面上。POP焊垫16可以使用任何合适的工艺来形成,包括但不限于,沉积、掩蔽和刻蚀操作。图1(C)图解了在长铜箔14上和在POP焊垫16上的介电层18的形成。介电层18可以由任何合适的介电材料形成,包括但不限于聚合材料。介电层18可以使用具有例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造封装组件的方法,所述方法包括:形成介电材料的环绕部分,所述环绕部分在所述介电材料中定义空腔;在所述空腔中放置至少一个管芯,所述管芯包括接触;在所述管芯上和所述环绕部分上沉积介电材料;刻蚀所述介电材料来暴露出所述接触;以及在所述接触上沉积导电材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种制造封装组件的方法,所述方法包括:
形成介电材料的环绕部分,所述环绕部分在所述介电材料中定义空腔;
在所述空腔中放置至少一个管芯,所述管芯包括接触;
在所述管芯上和所述环绕部分上沉积介电材料;
刻蚀所述介电材料来暴露出所述接触;以及
在所述接触上沉积导电材料。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
形成所述环绕部分的所述步骤包括形成穿过所述环绕部分的导电路径。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于:
形成所述导电路径的所述步骤包括形成重分布层。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
形成所述环绕部分的所述步骤是通过层合来执行的。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
沉积所述介电材料的所述步骤是通过层合来执行的。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
沉积所述介电材料的所述步骤基本填充了所述空腔的位于所述管芯与所
述介电材料的所述环绕部分之间的的多个部分。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
在所述管芯和所述环绕部分上沉积所述介电材料的所述步骤形成均匀的
表面。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于:
放置所述至少一个管芯的所述步骤包括放置具有设置于所述接触上的
钝化层和设置于所述钝化层中的开口的管芯,所述开口用于暴露出所述接
触;
沉积所述介电材料的所述步骤填充所述开口;以及
刻蚀所述介电材料的所述步骤从所述开口移除所述介电材料。
9.如权利要求1-8中任一项所述的方法,其特征在于:
在所述空腔中放置所述至少一个管芯的所述步骤包括在所述空腔中放置
多个管芯。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于:
所述多个管芯中的每一个包括凹陷的暴露的接触。
11.如权利要求1-8中任一项所述的方法,其特征在于:
所述接触是凹陷的暴露的接触。
12.如权利要求4-8中任一项所述的方法,其特征在于:
形成所述环绕部分的所述步骤包括形成穿过所述环绕部分的导电路径。
13.如权利要求2、3或5-8中任一项所述的方法,其特征在于:
形成所述环绕部分的所述步骤是通过层合来执行的。
14.如权利要求2-6或8中任一项所述的方法,其特征在于:
在所述管芯和所述环绕部分上沉积所述介电材料的所述步骤形成均匀的
表面。
15.如权利要求1或4-8中任一项所述的方法,其特征在于:
刻蚀所述介电材料来暴露出所述接触的所述步骤暴露了与穿过所述环绕

\t部分的导电路径电学耦合的至少一个额外的接触。
16.一种封装组件,包括:
管芯,位于由介电材料的环绕部分定义的空腔中,所述管芯具有管芯
接触;
导电路径,穿过...

【专利技术属性】
技术研发人员:W·H·泰赫J·S·古扎克R·L·散克曼
申请(专利权)人:英特尔公司
类型:发明
国别省市:美国;US

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