电源快速启动电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种电源快速启动电路，包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R41、电容C3、电容C5、稳压二极管ZD2、二极管D1、二极管D2、NMOS管Q1及电解电容EC1，所述电阻R8一端及NMOS管的漏极与整流后电压VBUS连接，所述电阻R8另一端接电阻R9一端，所述电阻R9另一端与、所述电容C3一端及NMOS管Q1的栅极连接，所述NMOS管Q1的源极与电容C5的一端及二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极与电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端、电解电容EC1的正极、稳压管二极管ZD2的负极及二极管D2的负极连接IC的供电引脚VCC连接，所述二极管D2的正极与电阻R41一端连接，所述电阻R41的另一端与变压器辅助绕组的正端VA连接。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发电路领域，尤其涉及LED电源的启动电路，具体地说是一种电源快速启动电路。
技术介绍
随着LED行业的快速发展，市场对LED灯具的启动时间要求越来越快，现在CE中已经规定进入欧洲的灯具启动时间需满足小于0.5S，LED电源传统的单级启动电路已经无法满足这个要求，两级启动线路本身的局限性，不能使其满足全部的LED电源芯片，很多IC本身又不含有内部高压启动功能，形式迫切需求一个新的启动线路来满足快速启动的要求。
技术实现思路
本技术要解决的是现有技术存在的上述问题，旨在提供一种结构简单，元器件少，成本低的电源快速启动电路。为解决上述问题，本技术采用以下技术方案：电源快速启动线路，包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R41、电容C3、电容C5、稳压二极管ZD2、二极管D1、二极管D2、NMOS管Q1及电解电容EC1，其特征在于所述电阻R8一端及NMOS管的漏极与整流后电压VBUS连接，所述电阻R8另一端接电阻R9一端，所述电阻R9另一端与、所述电容C3一端及NMOS管Q1的栅极连接，所述NMOS管Q1的源极与电容C5的一端及二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极与电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端、电解电容EC1的正极、稳压管二极管ZD2的负极及二极管D2的负极连接IC的供电引脚VCC连接，所述二极管D2的正极与电阻R41一端连接，所述电阻R41的另一端与变压器辅助绕组的正端VA连接，所述稳压二极管ZD2的正极、电容C3的另一端、电容C5的另一端、电解电容EC1的负极及稳压二极管ZD2的正极均接地。本技术的电源快速启动电路，当电源开关开启后，AC电压经过整流桥后的电压VBUS通过电阻R8，电阻R9对电容C3充电，当电容C3上的电压达到NMOS管Q1的开启门限电压时Q1导通，VBUS电压通过NMOS管Q1、二极管D1及电阻R10对电解电容EC1充电，当电解电容EC1上的电压达到IC的开启电压时，IC启动，电源工作。当电容C5上的电压充到使NMOS管Q1VGS电压低于NMOS管开启门限电压时，NMOS管Q1关闭。将电容C3配置容值很小的贴片电容，NMOS管Q1可以瞬间导通，同时将电阻R10的阻值设计得较小，EC1上的电压VCC迅速能够达到IC的开启电压。可见，本技术的电源快速启动电路，结构简单，元器件少，成本低廉，运行可靠，并且达到瞬间快速启动的效果。作为本技术的改进，所述NMOS管Q1的栅源极之间还设有稳压管ZD1，并且，所述稳压管ZD1的负极与NMOS管Q1的栅连接，所述稳压管ZD1的正极与NMOS管Q1的源极连接。稳压管ZD1可嵌位电容C3上的电压，防止电容C3上的电压超过NMOS管VGS最大电压从而击穿NMOS管。作为本技术的进一步改进，所述的稳压管ZD1采用BZT52C15稳压管。所述的NMOS管Q1采用TK4A60DBMOS管。所述的稳压管ZD2采用BZT52C20稳压管。所述的二极管D1和二极管D2采用1N4148W二极管。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步说明。图1是本技术电源快速启动电路的结构示意图。具体实施方式参照图1，本技术的电源快速启动线路，包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R41、电容C3、电容C5、稳压二极管ZD1、稳压二极管ZD2、二极管D1、二极管D2、NMOS管Q1及电解电容EC1，所述电阻R8一端及NMOS管的漏极与整流后电压VBUS连接，所述电阻R8另一端接电阻R9一端，所述电阻R9另一端与稳压管ZD1负极、所述电容C3一端及NMOS管Q1的栅极连接，所述NMOS管Q1的源极与电容C5的一端及二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极与电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端、电解电容EC1的正极、稳压管二极管ZD2的负极及二极管D2的负极连接IC的供电引脚VCC连接，所述二极管D2的正极与电阻R41一端连接，所述电阻R41的另一端与变压器辅助绕组的正端VA连接，所述稳压二极管ZD1的正极、稳压二极管ZD2的正极、电容C3的另一端、电容C5的另一端、电解电容EC1的负极及稳压二极管ZD2的正极均接地。所述的稳压管ZD1采用BZT52C15稳压管。所述的NMOS管Q1采用TK4A60DBMOS管。所述的稳压管ZD2采用BZT52C20稳压管。所述的二极管D1和二极管D2采用1N4148W二极管。本技术的工作原理如下：当电源开关开启后，AC电压经过整流桥后的电压VBUS通过电阻R8，电阻R9对电容C3充电，当电容C3上的电压达到NMOS管Q1的开启门限电压时Q1导通，VBUS电压通过NMOS管Q1、二极管D1及电阻R10对电解电容EC1充电，当电解电容EC1上的电压达到IC的开启电压时，IC启动，电源工作。当电容C5上的电压充到使NMOS管Q1VGS电压低于NMOS管开启门限电压时，NMOS管Q1关闭。将电容C3配置容值很小的贴片电容，NMOS管Q1可以瞬间导通，同时将电阻R10的阻值设计得较小，EC1上的电压VCC迅速能够达到IC的开启电压。稳压管ZD1可嵌位电容C3上的电压，防止电容C3上的电压超过NMOS管VGS最大电压从而击穿NMOS管。本实用新型的电路在全电压输入范围内能做到小于0.2S开启，可以轻松满足0.5S启动的要求。应该理解到的是：上述实施例只是对本技术的说明，而不是对本实用新型的限制，任何不超出本技术实质精神范围内的技术创造，均落入本实用新型的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
电源快速启动电路，包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R41、电容C3、电容C5、稳压二极管ZD2、二极管D1、二极管D2、NMOS管Q1及电解电容EC1，其特征在于所述电阻R8一端及NMOS管的漏极与整流后电压VBUS连接，所述电阻R8另一端接电阻R9一端，所述电阻R9另一端与、所述电容C3一端及NMOS管Q1的栅极连接，所述NMOS管Q1的源极与电容C5的一端及二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极与电阻R10的一端连接，所述电阻R10的另一端、电解电容EC1的正极、稳压管二极管ZD2的负极及二极管D2的负极连接IC的供电引脚VCC连接，所述二极管D2的正极与电阻R41一端连接，所述电阻R41的另一端与变压器辅助绕组的正端VA连接，所述稳压二极管ZD2的正极、电容C3的另一端、电容C5的另一端、电解电容EC1的负极及稳压二极管ZD2的正极均接地。

【技术特征摘要】
1.电源快速启动电路，包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R41、电容C3、
电容C5、稳压二极管ZD2、二极管D1、二极管D2、NMOS管Q1及电解电
容EC1，其特征在于所述电阻R8一端及NMOS管的漏极与整流后电压VBUS
连接，所述电阻R8另一端接电阻R9一端，所述电阻R9另一端与、所述电
容C3一端及NMOS管Q1的栅极连接，所述NMOS管Q1的源极与电容C5
的一端及二极管D1的正极连接，所述二极管D1的负极与电阻R10的一端
连接，所述电阻R10的另一端、电解电容EC1的正极、稳压管二极管ZD2
的负极及二极管D2的负极连接IC的供电引脚VCC连接，所述二极管D2
的正极与电阻R41一端连接，所述电阻R41的另一端与变压器辅助绕组的正
端VA连接，所述稳压二极管ZD2的正极、电容C3的另一端、...

【专利技术属性】
技术研发人员：巴明磊，吴海燕，方洁苗，
申请(专利权)人：浙江榆阳电子有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33