低温多晶硅TFT基板及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种低温多晶硅TFT基板及其制作方法。本发明专利技术的低温多晶硅TFT基板，沟道区上方设有金属层，可将所述金属层、及源极与漏极作为光罩，在多晶硅层上形成轻掺杂漏区，减少形成轻掺杂漏区所单独需要的光罩；同时由于增加了一层与多晶硅层沟道区相连的金属层，可以有效降低沟道区的电阻，提高TFT的开态电流。本发明专利技术的低温多晶硅TFT基板的制作方法，通过在形成源极与漏极的同时，在沟道区上方形成金属层，并将金属层、及源极与漏极作为光罩，在多晶硅层上形成轻掺杂漏区，减少了形成轻掺杂漏区所单独需要的光罩，从而节省了生产成本，提高了产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种低温多晶硅TFT基板及其制作方法。
技术介绍
液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlightmodule)。传统的液晶面板的结构是由一彩色滤光片基板(ColorFilterSubstrate)、一薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate，TFTArraySubstrate)以及一配置于两基板间的液晶层(LiquidCrystalLayer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon，LTPS)技术是新一代TFT基板的制造技术，与传统非晶硅(a-Si)技术的最大差异在于，低温多晶硅显示器反应速度较快，且有高亮度、高解析度与低耗电量等优点。低温多晶硅技术中，目前各大厂家较常用的是顶栅型的低温多晶硅TFT基板，但是顶栅型的低温多晶硅TFT基板中为了防止光照对漏电流的影响，一般都会在有效显示区域(ActiveArea，AA)的TFT器件底部增加遮光金属层，这样就增加了低温多晶硅TFT基板的制程成本。由此可见开发底栅型低温多晶硅TFT基板工艺对于节省成本，增加产能具有重要意义。请参阅图1，为一种现有的底栅型低温多晶硅TFT基板的剖面结构示意图，包括基板100、设于所述基板100上的栅极200、设于所述基板100与栅极200上的栅极绝缘层300、设于所述栅极绝缘层300上的多晶硅层400、设于所述栅极绝缘层300与多晶硅层400上的源极500与漏极600；所述多晶硅层400包括位于两侧且分别与所述源极500与漏极600相接触的源/漏极接触区410、位于所述多晶硅层400中间的沟道区420、及位于所述源/漏极接触区410与沟道区420之间的轻掺杂漏区(LDD)430。在该低温多晶硅TFT基板的制作方法中，所述源/漏极接触区410、沟道区420、及轻掺杂漏区430这三个区域都需要单独掺杂，这样在制程中至少需要两道光罩，工艺较为繁琐，生产效率较低，生产成本较高。因此，有必要提供一种低温多晶硅TFT基板及其制作方法，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种低温多晶硅TFT基板，沟道区上方设有金属层，沟道区的电阻较低，TFT的开态电流较高。本专利技术的目的还在于提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，通过在沟道区上方制作金属层，并将金属层、及源极与漏极作为光罩在多晶硅层上形成轻掺杂漏区，减少形成轻掺杂漏区所单独需要的光罩，节省生产成本，提高产能。为实现上述目的，本专利技术提供一种低温多晶硅TFT基板，包括基板、设于所述基板上的栅极、设于所述基板与栅极上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的多晶硅层、设于所述栅极绝缘层与多晶硅层上的源极与漏极、及设于所述多晶硅层上且位于所述源极与漏极之间的金属层；所述多晶硅层包括位于两侧且分别与所述源极与漏极相接触的源/漏极接触区、位于所述金属层下方的沟道区、及位于所述源/漏极接触区与沟道区之间的轻掺杂漏区。所述基板为玻璃基板。所述栅极绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅、或二者的组合。所述栅极、源极、漏极、及金属层的材料为钼、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。所述源/漏极接触区为N型重掺杂区，所述沟道区为P型重掺杂区，所述轻掺杂漏区为N型轻掺杂区；或所述源/漏极接触区为P型重掺杂区，所述沟道区为N型重掺杂区，所述轻掺杂漏区为N型轻掺杂区。本专利技术还提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，包括如下步骤：步骤1、提供基板，在所述基板上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极；步骤2、在所述基板与栅极上沉积栅极绝缘层；步骤3、在所述栅极绝缘层上形成多晶硅层；步骤4、对所述多晶硅层的两侧区域进行离子植入，形成源/漏极接触区；对所述多晶硅层的中间区域进行离子植入，形成沟道区；步骤5、在所述栅极绝缘层与多晶硅层上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，形成源极、漏极、及位于所述源极与漏极之间的金属层；步骤6、以所述金属层、及源、漏极为光罩，对所述多晶硅层进行离子植入，得到位于所述源/漏极接触区与沟道区之间的轻掺杂漏区。所述步骤1中的基板为玻璃基板。所述步骤2中的栅极绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅、或二者的组合。所述栅极、源极、漏极、及金属层的材料为钼、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。所述源/漏极接触区为N型重掺杂区，所述沟道区为P型重掺杂区，所述轻掺杂漏区为N型轻掺杂区；或者所述源/漏极接触区为P型重掺杂区，所述沟道区为N型重掺杂区，所述轻掺杂漏区为N型轻掺杂区。本专利技术的有益效果：本专利技术的低温多晶硅TFT基板，沟道区上方设有金属层，可将所述金属层、及源极与漏极作为光罩，在多晶硅层上形成轻掺杂漏区，减少形成轻掺杂漏区所单独需要的光罩；同时由于增加了一层与多晶硅层沟道区相连的金属层，可以有效降低沟道区的电阻，提高TFT的开态电流。本专利技术的低温多晶硅TFT基板的制作方法，通过在形成源极与漏极的同时，在沟道区上方形成金属层，并将金属层、及源极与漏极作为光罩，在多晶硅层上形成轻掺杂漏区，减少了形成轻掺杂漏区所单独需要的光罩，从而节省了生产成本，提高了产能。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为现有的低温多晶硅TFT基板的剖面结构示意图；图2为本专利技术的低温多晶硅TFT基板的剖面结构示意图；图3为本专利技术的低温多晶硅TFT基板的制作方法的示意流程图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图2，本专利技术首先一种低温多晶硅TFT基板，包括基板1、设于所述基板1上的栅极2、设于所述基板1与栅极2上的栅极绝缘层3、设于所述栅极绝缘层3上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温多晶硅TFT基板，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的栅极(2)、设于所述基板(1)与栅极(2)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上的多晶硅层(4)、设于所述栅极绝缘层(3)与多晶硅层(4)上的源极(5)与漏极(6)、及设于所述多晶硅层(4)上且位于所述源极(5)与漏极(6)之间的金属层(7)；所述多晶硅层(4)包括位于两侧且分别与所述源极(5)与漏极(6)相接触的源/漏极接触区(41)、位于所述金属层(7)下方的沟道区(42)、及位于所述源/漏极接触区(41)与沟道区(42)之间的轻掺杂漏区(43)。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅TFT基板，其特征在于，包括基板(1)、设于所述
基板(1)上的栅极(2)、设于所述基板(1)与栅极(2)上的栅极绝缘层
(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上的多晶硅层(4)、设于所述栅极绝缘层
(3)与多晶硅层(4)上的源极(5)与漏极(6)、及设于所述多晶硅层(4)
上且位于所述源极(5)与漏极(6)之间的金属层(7)；
所述多晶硅层(4)包括位于两侧且分别与所述源极(5)与漏极(6)相
接触的源/漏极接触区(41)、位于所述金属层(7)下方的沟道区(42)、及
位于所述源/漏极接触区(41)与沟道区(42)之间的轻掺杂漏区(43)。
2.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板，其特征在于，所述基板
(1)为玻璃基板。
3.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板，其特征在于，所述栅极
绝缘层(3)的材料为氮化硅、氧化硅、或二者的组合。
4.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板，其特征在于，所述栅极
(2)、源极(5)、漏极(6)、及金属层(7)的材料为钼、铝、铜中的一种或
多种的堆栈组合。
5.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板，其特征在于，所述源/漏
极接触区(41)为N型重掺杂区，所述沟道区(42)为P型重掺杂区，所述
轻掺杂漏区(43)为N型轻掺杂区；或者所述源/漏极接触区(41)为P型重
掺杂区，所述沟道区(42)为N型重掺杂区，所述轻掺杂漏区(43)为N型
轻掺杂区。
6.一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步
骤：
步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积第一金属层，并对所述
第一金属层进行图案化...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈归，龚强，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42