一种紫外LED光源三层封装方法技术

本发明专利技术公开了一种紫外LED光源三层封装方法，包括以下步骤：步骤一、提供含有印刷电路层的基板；步骤二、将紫外LED芯片固定在基板上；步骤三、采用金线将紫外LED芯片与基板电极连接；步骤四、将第一硅胶包覆在紫外LED芯片和金线上；步骤五、将第二硅胶灌封在第一硅胶上，所述第二硅胶的折射率小于第一硅胶的折射率；步骤六、将石英透镜设置在第二硅胶上，所述石英透镜的折射率小于第二硅胶的折射率；步骤七、烘烤得到紫外LED光源。采用本方法可以有效的增加出光率，并降低光衰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设及L邸封装方法
，特别是一种紫外L邸光源=层封装方法。
技术介绍
半导体照明作为新一代的照明技术，具有很多优点：节能、环保、长寿命、响应快 等，近年来发展非常迅速。 紫外L邸具体积小、寿命长和效率高等优点，具有广泛的应用前景。目前，紫外 L邸的发光功率较低，除了忍片制作水平的提高外，封装技术对L邸的特性也有重要的影 响。目前，紫外L邸主要有环氧树脂封装和金属与玻璃透镜封装。前者主要应用于400nm 左右的近紫外LE化但紫外光对材料的老化影响较大。后者主要应用于波长小于380 nm的 紫外LE化由于GaN和蓝宝石折射率分别为2. 4和1. 76,而气体折射率为1，较大的折射率 差导致全反射对光的限制较为严重，封装材料是LED封装技术的另一个重要方面。L邸封 装材料主要有玻璃透镜、环氧树脂和娃树脂等。石英玻璃软化点溫度为1600°C，热加工溫 度为1700~2000°C，从工艺的角度，石英玻璃不适合用来密封LED忍片；环氧树脂高溫 耐热性能一般，耐紫外光性能较差出光效率低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的不足而提供一种紫外LED光源S 层封装方法，采用本方法可W有效的增加出光率，并降低光衰。本专利技术为解决上述技术问题采用W下技术方案： 根据本专利技术提出的一种紫外L邸光源=层封装方法，包括W下步骤： 步骤一、提供含有印刷电路层的基板； 步骤二、将紫外L邸忍片固定在基板上； 步骤=、采用金线将紫外L邸忍片与基板电极连接； 步骤四、将第一硅胶包覆在紫外L邸忍片和金线上； 步骤五、将第二硅胶灌封在第一硅胶上，所述第二硅胶的折射率小于第一硅胶的折射 率. 步骤六、将石英透镜设置在第二硅胶上，所述石英透镜的折射率小于第二硅胶的折射 率. 步骤屯、烘烤得到紫外L邸光源。作为本专利技术所述的一种紫外L邸光源=层封装方法进一步优化方案，所述第一娃 胶的折射率为1. 53。作为本专利技术所述的一种紫外L邸光源=层封装方法进一步优化方案，所述第二娃 胶的折射率为1. 51。作为本专利技术所述的一种紫外L邸光源=层封装方法进一步优化方案，所述石英透 镜的折射率为1. 46。 作为本专利技术所述的一种紫外L邸光源=层封装方法进一步优化方案，所述石英透 镜为实屯、。 本专利技术采用W上技术方案与现有技术相比，具有W下技术效果： (1) 本专利技术与传统的封装方法相比，本专利技术提供的紫外L邸=层封装设计方法，出光效 率提高约60%; (2) 老化试验表明，传统封装使用环氧树脂封装，紫外LED的发光功率在100小时内衰 减到50% W下，而本专利技术提供的紫外L邸=层封装设计方法，连续工作800小时后发光功率 依然维持在95% W上，发光功率衰减低于5%。【附图说明】 图1是包含环氧树脂的传统封装方法COB (化ip on board)光源结构示意图。 图2是传统封装方法COB (化ip on board)光源结构示意图。 图3是本专利技术所述方法紫外L邸光源=层封装设计结构图。 图中的附图标记解释为：1-石英透镜，2-基板，3-紫外L邸忍片，4-环氧树脂， 5-第一硅胶，6-第二硅胶。【具体实施方式】 下面结合附图对本专利技术的技术方案做进一步的详细说明： 一种紫外L邸光源=层封装设计方法，包含W下步骤： 1、 将紫外L邸忍片3固定在含有印刷电路层的基板2上； 2、 使用金线将紫外L邸忍片3正负极分别于印刷电路层正负极连接； 3、 使用点胶机将调配好比例的折射率为1. 53的第一硅胶5点在L邸忍片上，仅包覆住 紫外LH)忍片3及金线； 4、 使用点胶机将调配好比例的折射率为1. 51的第二硅胶6灌粉在LED内部； 5、 将折射率为1. 46的石英透镜1放置在LED上部并卡住； 6、 将半成品送入烤箱烘烤； 本专利技术的原理是，娃树脂比环氧树脂具备更强的抗热和抗紫外光能力，并且使用从内 到外逐步递减折射率的方式，可W使内部出光的全反射率降低，即增加了出光率，又降低了 在LED的光衰； 硅胶的主要结构包括Si和20,主链Si-O-Si是无机的，而且具有较高的键能（422. 5 kj /mol);而环氧树脂的主链主要是C-C或C-O，键能分别为35化J /mol和344. 4 kj / mol。由于键能较高，硅胶的性能相对要稳定。因此，硅胶具有良好的耐紫外光特性。 上述的步骤中，封装结构共有3层。可W使用常规的固晶焊线工艺，上述的材料均 可W采用折射率相同的常规材料； 上述的步骤3中，里层采用第一硅胶进行密封，因为第一硅胶的折射率为1. 53, GAN 和蓝宝石衬底的折射率分别为2. 4和1. 76,使用高折射率胶水拉近了与忍片折射率的差， 有利于充分提高LED的提取效率，并且固化后为弹性硅胶，较低的机械强度有利于保护忍 片和电极引线； 上述的步骤4中，灌粉是第二硅胶，作为石英玻璃透镜和第一硅胶层间的过渡层，第二 硅胶折射率为I. 51，与第一硅胶的折射率I. 53接近，故透光性很好，全反射率低，并且与 硅胶固化后硬度大、粘接性强，能很好地固定玻璃透镜； 上述的步骤5中，外层是高透过率石英玻璃透镜，，折射率为1. 46，用于光的导出，并 形成一定的光场分布，其极高的紫外光透过率减少了光在激射过程中的损失。 在整个结构中，为了尽可能减少娃树脂对紫外光的吸收损耗，树脂层厚度都较 薄。同时，折射率逐层递减的3层结构有利于减少光在传播过程中的菲涅尔损耗。 图1是包含环氧树脂的传统封装方法COB (化ip on board)光源结构示意图。图 1中的4是环氧树脂。 图2是传统封装方法COB (化ip on board)光源结构示意图。 实施例1 本专利技术所提供的紫外L邸光源=层封装设计方法，基本工艺中的固晶，焊线，点胶等工 艺，固晶焊线与传统封装方法的工艺相同，包括： 固晶：如图3所示，将紫外LED忍片3固定到基板2上； 焊线：如图3所示，将紫外L邸忍片使用金线与基板的电路连接； 点胶：如图3所示，将配置好的第一硅胶5点到紫外LED忍片3的周围，仅需包覆住忍 片和金线；之后再如图3所示，将配置好的第二硅胶6点到LED内部；然后将石英透镜1盖 到LED上部卡住， 烘烤：完成上述步骤后放入烤箱烘烤即可。 本专利技术增加了紫外LED出光效率及减少光衰；从内到外依次使用递减折射率的封 装材料，降低了出光的全反射率，增加LED出光效率。 本专利技术实施例紫外L邸光源=层封装设计方法与常规紫外L邸封装的数据对比如 下表1所示：表1 W上数据均为常溫常压下，使用20mA电流持续点亮，点亮一定时间后进行测试得出。 W上所述的具体实施方案，对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步 的详细说明，所应理解的是，W上所述仅为本专利技术的具体实施方案而已，并非用W限定本发 明的范围，任何本领域的技术人员，在不脱离本专利技术的构思和原则的前提下所做出的等同 变化与修改，均应属于本专利技术保护的范围。【主权项】1. 一种紫外LED光源三层封装方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、提供含有印刷电路层的基板； 步骤二、将紫外LED芯片固定在基板上； 步骤三、采用金线将紫外LED芯片与基板电极连接； 步骤四、将第一硅胶包覆在紫外LED芯片和金线上； 步骤五、将第二硅胶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种紫外LED光源三层封装方法，其特征在于，包括以下步骤:步骤一、提供含有印刷电路层的基板；步骤二、将紫外LED芯片固定在基板上；步骤三、采用金线将紫外LED芯片与基板电极连接；步骤四、将第一硅胶包覆在紫外LED芯片和金线上；步骤五、将第二硅胶灌封在第一硅胶上，所述第二硅胶的折射率小于第一硅胶的折射率；步骤六、将石英透镜设置在第二硅胶上，所述石英透镜的折射率小于第二硅胶的折射率；步骤七、烘烤得到紫外LED光源。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈浩，
申请(专利权)人：江苏稳润光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32