本发明专利技术涉及一种显示装置，包括：布置在基板的第一区域上的第一半导体层，所述第一半导体层具有多晶半导体材料，且具有第一沟道区域、第一源极区域和第一漏极区域；布置在该基板的第二区域上的第二半导体层，所述第二半导体层具有氧化物半导体材料，且具有第二沟道区域、第二源极区域和第二漏极区域；与该第一沟道区域重叠的第一栅极，且在该第一沟道区域和该第一栅极之间具有第一栅极绝缘层；与该第二沟道区域重叠的第二栅极，且在该第二沟道区域和该第二栅极之间具有该第一栅极绝缘层；覆盖该第一半导体层、该第二半导体层、该第一栅极和该第二栅极的中间绝缘层；以及布置在中间绝缘层上的第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】显装置 本申请要求分别于2014年8月29日、2014年8月29日、2014年8月29日W 及 2015 年 8 月 11 日申请的韩国专利申请 No. 10-2014-0114301、No. 10-2014-0114304、 No. 10-2014-0114308 W 及 No. 10-2015-0113274 的优先权，并要求分别于 2014 年 8 月 29日、2014年8月29日W及2014年8月29日申请的美国临时申请No. 62/043,448、 No. 62/043, 458 W及No. 62/043, 478的优先权。为了所有目的将上述专利申请并入本文，如 同在本文完全阐述一样。
本专利技术设及一种在同一基板上具有两个不同类型薄膜晶体管的薄膜晶体管基板， W及使用薄膜晶体管基板的显示装置。
技术介绍
现今，随着信息社会的发展，对于呈现信息的显示装置的需求不断增长。因此，已 经发展出多种不同的平板显示装置（FPD)，用于克服阴极射线管（CRT)的诸多缺陷，例如重 量重、体积大。平板显示装置包括液晶显示装置化CD)、等离子体显示面板（PDP)、有机发光 显示装置（OLED)和电泳显示装置巧D)。 平板显示装置中的显示面板可包括薄膜晶体管基板，薄膜晶体管基板在W矩阵形 式排列的每个像素区域中分配有薄膜晶体管。例如，液晶显示装置化CD)通过利用电场控 制液晶层的光透射率来呈现视频数据。对于有机发光二极管显示装置，因为其中形成有有 机发光二极管，所W通过在W矩阵形式布置的每个像素中产生适当控制的光来呈现视频数 据。 作为自发光显示装置，有机发光二极管显示装置具有响应速度非常快、亮度非常 高且视角大的优点。使用具有优良能效的有机发光二极管的有机发光二极管显示装置 (OLED)可分为无源矩阵型有机发光二极管显示装置（PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极 管显示装置（AMOLED)。 由于个人电子设备更趋于流行，对于便携式和/或可穿戴装置的开发十分积极。 为了将显示装置用于便携式和/或可穿戴装置，显示装置要具有低功耗的特点。但是，利用 迄今为止研发的技术难W获得具有卓越较好低功耗特性的显示装置。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本专利技术的目的在于提供一种用于平板显示装置的薄膜晶体管 基板，其在同一基板上具有至少两个特性互不相同的薄膜晶体管。本专利技术的另一个目的在 于提供一种用于平板显示装置的薄膜晶体管基板，其具有利用优化的制造工艺和最少化的 掩模工艺制造的两个不同类型的晶体管。 为了实现上述目的，本专利技术提供一种显示装置，包括：布置在基板的第一区域上的 第一半导体层，所述第一半导体层具有多晶半导体材料，且具有第一沟道区域、第一源极区 域和第一漏极区域；布置在该基板的第二区域上的第二半导体层，所述第二半导体层具有 氧化物半导体材料，且具有第二沟道区域、第二源极区域和第二漏极区域；与该第一沟道区 域重叠的第一栅极，且在该第一沟道区域和该第一栅极之间具有第一栅极绝缘层；与该第 二沟道区域重叠的第二栅极，且在该第二沟道区域和该第二栅极之间具有该第一栅极绝缘 层；覆盖该第一半导体层、该第二半导体层、该第一栅极和该第二栅极的中间绝缘层；W及 布置在中间绝缘层上的第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极。 在一个实施方式中，该第一半导体层、该第一栅极、该第一源极区域、该第一漏极 区域、该第一源极和该第一漏极包括在第一薄膜晶体管中，且该第二半导体层、该第二栅 极、该第二源极区域、该第二漏极区域、该第二源极和该第二漏极包括在第二薄膜晶体管 中。 在一个实施方式中，所述显示装置还包括驱动器，其中该第一薄膜晶体管和该第 二薄膜晶体管的至少之一布置在像素中，且其中该第一薄膜晶体管和该第二薄膜晶体管的 至少之一布置在该驱动器中。 在一个实施方式中，该驱动器包括：输出数据电压的数据驱动器；将来自该数据 驱动器的数据电压分配给数据线的多路复用器；W及输出扫描脉冲至栅极线的栅极驱动 器，其中该第一薄膜晶体管和该第二薄膜晶体管的至少之一布置在该多路复用器和该栅极 驱动器中的任一个中。 在一个实施方式中，该第二薄膜晶体管是用于选择像素的开关元件，且该第一薄 膜晶体管是用于驱动由该第二薄膜晶体管所选择的像素中的有机发光二极管的驱动元件。 在一个实施方式中，该第一源极通过该中间绝缘层接触该第一源极区域，该第一 漏极通过该中间绝缘层接触该第一漏极区域，该第二源极通过该中间绝缘层接触该第二源 极区域，该第二漏极通过该中间绝缘层接触该第二漏极区域。 在一个实施方式中，该显示装置还包括：在除该第二区域W外的第一区域内，覆盖 位于该中间绝缘层的下方的第一半导体层和第一栅极的下部中间绝缘层，其中该第一半导 体层和该第二半导体层被布置在同一层上。 在一个实施方式中，该显示装置还包括：在除该第二区域W外的第一区域内，覆盖 位于栅极绝缘层的下方的第一半导体层的下部栅极绝缘层，其中该第一半导体层和该第二 半导体层被布置在同一层上。 在一个实施方式中，该显示装置还包括：在该第一半导体层上覆盖该基板的整个 表面的下部栅极绝缘层，其中该第一半导体层被布置在该下部栅极绝缘层的下方，且其中 该第二半导体层被布置在该下部栅极绝缘层的上方。 按照本专利技术的用于平板显示装置的薄膜晶体管基板W及使用薄膜晶体管基板的 显示装置在同一基板上具有两个不同类型的薄膜晶体管，从而任意一种类型的薄膜晶体管 的缺点可W被另一种类型的薄膜晶体管补偿。尤其是，通过具有低截止电流特性的薄膜晶 体管，显示装置能具有低频驱动特性和低功耗特性。因此，可W应用于便携式和/或可穿戴 设备。【附图说明】 用于对本专利技术提供更进一步理解的附图并入本申请并且构成本申请的一部分，附 图示出了本专利技术的多个实施方式，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。 在附图中： 图1为示出按照本专利技术第一实施方式的用于平板显示装置的薄膜晶体管基板的 结构的截面图，在薄膜晶体管基板中形成两个不同类型薄膜晶体管。 图2为示出按照本专利技术第一实施方式的用于平板显示装置的薄膜晶体管基板的 制造方法流程图，在薄膜晶体管基板中形成两个不同类型薄膜晶体管。 图3为示出按照本专利技术第二实施方式的用于平板显示装置的薄膜晶体管基板的 结构的截面图，在薄膜晶体管基板中形成两个不同类型薄膜晶体管。 图4为示出按照本专利技术第二实施方式的用于平板显示装置的薄膜晶体管基板的 制造方法流程图，在薄膜晶体管基板中形成两个不同类型薄膜晶体管。 图5为示出按照本专利技术第=实施方式的用于平板显示装置的薄膜晶体管基板的 结构的截面图，在薄膜晶体管基板中形成两个不同类型薄膜晶体管。图6为示出按照本专利技术第=实施方式的用于平板显示装置的薄膜晶体管基板的 制造方法流程图，在薄膜晶体管基板中形成两个不同类型薄膜晶体管。 图7为示出按照本专利技术第一应用示例的显示装置的结构的框图。 图8为示出按照本专利技术第二应用示例的边缘场型液晶显示装置中具有氧化物半 导体层的薄膜晶体管基板的平面图。[002引图9为示出按照本专利技术第二应用示例的薄膜晶体管基板沿图8中切割线1-1'获 取的结构的截面图。 图10为示出按照本专利技术第=应用示例的有源矩阵型有机发光二极管显示装置中 的一个像素的结构的平面本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种显示装置，包括：布置在基板的第一区域上的第一半导体层，所述第一半导体层具有多晶半导体材料，且具有第一沟道区域、第一源极区域和第一漏极区域；布置在该基板的第二区域上的第二半导体层，所述第二半导体层具有氧化物半导体材料，且具有第二沟道区域、第二源极区域和第二漏极区域；与该第一沟道区域重叠的第一栅极，且在该第一沟道区域和该第一栅极之间具有第一栅极绝缘层；与该第二沟道区域重叠的第二栅极，且在该第二沟道区域和该第二栅极之间具有该第一栅极绝缘层；覆盖该第一半导体层、该第二半导体层、该第一栅极和该第二栅极的中间绝缘层；以及布置在中间绝缘层上的第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴世伦摅，白正善，李胜敏，白朱爀，申铉秀，全济勇，李道炯，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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