半导体器件及半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件，使半导体器件(纵型的功率MOSFET)的特性提高。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)中设置具有角部的螺旋状的p型柱区域(PC3)。在将形成有半导体元件的单元区域(CR)包围的周边区域(PER)的外延层上形成将单元区域(CR)螺旋状地包围、且具有构成角部的第1侧面和第2侧面的沟槽，在该沟槽埋入外延层。像这样，通过将p型柱区域(PC3)(n型柱区域)螺旋状地配置，而能够避免基于过热点的耐压裕度的降低。另外，由于维持了p型柱区域(PC3)(n型柱区域)的连续性，所以电场朝向外周部被阶段地缓和，耐压得以提高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件，具有：半导体层，其具有第1区域和包围所述第1区域的第2区域；形成于所述第1区域的所述半导体层中的多个第1凸柱和多个第2凸柱，所述第1凸柱为第1导电类型，所述第2凸柱为导电类型与所述第1导电类型相反的第2导电类型；半导体元件，其形成于所述第1区域的所述半导体层的上方；以及形成于所述第2区域的所述半导体层中的第3凸柱及第4凸柱，所述第3凸柱为所述第1导电类型，所述第4凸柱为所述第2导电类型，所述第1凸柱与所述第2凸柱交替地配置，所述第3凸柱配置为螺旋状地包围所述第1区域，所述第4凸柱配置于螺旋状的所述第3凸柱之间，且配置为螺旋状地包围所述第1区域，所述第1凸柱配置于形成于所述半导体层中的第1沟槽中，所述第3凸柱配置于形成于所述半导体层中的第2沟槽中，所述螺旋状的第3凸柱的第1周具有角部，构成角部的第1侧面及第2侧面与面(100)或者面(110)对应。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：安孙子雄哉，市村昭雄，五十岚俊昭，白井康裕，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP