一种纳米硼纤维增强的高弹氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料及其制备方法技术

技术编号:12978509 阅读:134 留言:0更新日期:2016-03-04 01:05
本发明专利技术公开了一种纳米硼纤维增强的高弹氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料,该材料将氮化铝和碳化硅粉体混合使用,具备高的导热和环保性,以季铵盐离子液体、无水乙醇等制备的复合溶剂较之传统的有机溶剂表面张力更低,对粉体的浸润性更佳,得到的复合醇基流延浆料气泡少,物料间分布均匀稳定,粘度适中,流动性好,制得的坯体脱胶和烧结稳定性更佳,加入的纳米硼纤维轻质高强,高弹导热,增强效果显著,再结合烧结助剂及其它原料,制备得到的复合陶瓷基板片抗折抗弯,光洁致密,导热效率更高,可广泛的用做多种电路板基板。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】 一种纳米硼纤维増强的高弹氮化铝-碳化硅复合电路板基 板材料及其制备方法
本专利技术涉及电路板用陶瓷基板材料
,尤其涉及一种纳米硼纤维增强的高弹氣化招-碳化娃复合电路板基板材料及其制备方法。
技术介绍
随着电子元器件功率和密度的增大,致使单位体积发热量也随之增加,对电路基板的综合性能要求越来越高,其中陶瓷基板具备良好的综合性能,在绝缘性、导热性以及热膨胀性、化学稳定性等方面表现突出,逐渐被广泛的应用于基板材料中,其中沿用较久的主要是以氧化铝、氧化铍作为基板原料,然而这两种材料存在热导率低、有毒等缺陷,应用受到限制,反之以氮化铝、碳化硅作为基板材料在使用性能上则具有较为明显的优势。虽然氮化铝、碳化硅陶瓷基板的应用前景广阔,然而在实际生产过程中存在原料价格较为昂贵、高温烧结致密度低、生产过程繁琐、原料利用率低、实际导热率不尽如人意等等问题,制约着这类材料的大规模使用,急需从原料配制及生产工艺上做进一步的改进。
技术实现思路
本专利技术目的就是为了弥补已有技术的缺陷,提供一种纳米硼纤维增强的高弹氮化招-碳化娃复合电路板基板材料及其制备方法。本专利技术是通过以下技术方案实现的: 一种纳米硼纤维增强的高弹氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料,该材料由以下重量份的原料制成:氮化铝60-70、纳米二硫化钼0.5-0.6、纳米硼纤维1-2、碳化硅15-20、硅藻土微粉3-4、季铵盐类离子液体10-12、无水乙醇适量、硅烷偶联剂kh550 1_2、异己二醇4-5、聚乙二醇1-1.5、烧结助剂6-8。所述的烧结助剂由以下重量份的原料制成:高纯硼粉2-3、冰晶石粉4-5、纳米氮化铝10-15、固含量为25-30%的氧化铝溶胶10-15、乙酸0.01-0.02,烧结助剂的制备方法为:将所有原料全部投入球磨罐中,密闭滚动球磨10-12h,球磨结束后将混合浆料取出,放入真空干燥烘箱中干燥,干燥温度为80-100°C,完全干燥后冷却至室温,所得粉体球磨分散成粉体即得。所述的一种纳米硼纤维增强的高弹氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料的制备方法为: (1)先将氮化铝、碳化硅、纳米二硫化钼、纳米硼纤维、硅藻土微粉、季铵盐离子液体、硅烷偶联剂kh550、烧结助剂混合后球磨分散20-25h,随后加入其它剩余成分,继续球磨分散10-15h,所得浆料的粘度控制在15000-20000cpS,最后将所得浆料经过真空除泡处理后备用; (2)将上述制备的浆料经流延成型机,流延得到所需厚度的坯体,所得坯体在500-600°C条件下热处理2-3h后将坯体送入真空电阻炉中,并在氮气和氢气混合气体氛围下以1500-1605°C的温度烧结3-4h,即得所述复合基板材料,其中氮气和氢气的流量比为1:0.5-1 ο本专利技术将氮化铝和碳化硅粉体混合使用,综合两者的优点,具备高的导热和环保性,而以季铵盐离子液体、无水乙醇等制备的复合溶剂较之传统的有机溶剂表面张力更低,对粉体的浸润性更佳,得到的复合醇基流延浆料气泡少,物料间分布均匀稳定,粘度适中,流动性好,制得的坯体脱胶和烧结稳定性更佳,加入的纳米硼纤维轻质高强,高弹导热,增强效果显著,再结合烧结助剂及其它原料,制备得到的复合陶瓷基板片抗折抗弯,光洁致密,导热效率更高,可广泛的用做多种电路板基板。【具体实施方式】该实施例材料由以下重量份的原料制成:氮化铝60、纳米二硫化钼0.5、纳米硼纤维1、碳化硅15、硅藻土微粉3、季铵盐类离子液体10、无水乙醇适量、硅烷偶联剂kh550 1、异己二醇4、聚乙二醇1、烧结助剂6。其中烧结助剂由以下重量份的原料制成:高纯硼粉2、冰晶石粉4、纳米氮化铝10、固含量为25%的氧化铝溶胶10、乙酸0.01,烧结助剂的制备方法为:将所有原料全部投入球磨罐中,密闭滚动球磨10h,球磨结束后将混合浆料取出,放入真空干燥烘箱中干燥,干燥温度为80°C,完全干燥后冷却至室温,所得粉体球磨分散成粉体即得。 该实施例材料的制备方法为: (1)先将氮化铝、碳化硅、纳米二硫化钼、纳米硼纤维、硅藻土微粉、季铵盐离子液体、硅烷偶联剂kh550、烧结助剂混合后球磨分散20h,随后加入其它剩余成分,继续球磨分散10h,所得浆料的粘度控制在15000cpS,最后将所得浆料经过真空除泡处理后备用; (2)将上述制备的浆料经流延成型机,流延得到厚度为3mm的坯体,所得坯体在500°C条件下热处理2h后将坯体送入真空电阻炉中,并在氮气和氢气混合气体氛围下以1550°C的温度烧结3h,即得所述复合基板材料,其中氮气和氢气的流量比为1:0.5。 该实施例制得的基板的性能测试结构为: 体积密度:3.50g/cm3;弯曲强度:580.2MPa ;热导率:174.2 (ff/m.k)。【主权项】1.一种纳米硼纤维增强的高弹氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料,其特征在于,该材料由以下重量份的原料制成:氮化铝60-70、纳米二硫化钼0.5-0.6、纳米硼纤维1-2、碳化硅15-20、硅藻土微粉3-4、季铵盐类离子液体10-12、无水乙醇适量、硅烷偶联剂kh5501-2、异己二醇4-5、聚乙二醇1-1.5、烧结助剂6-8。2.如权利要求1所述的一种纳米硼纤维增强的高弹氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料,其特征在于,所述的烧结助剂由以下重量份的原料制成:高纯硼粉2-3、冰晶石粉4-5、纳米氮化铝10-15、固含量为25-30%的氧化铝溶胶10-15、乙酸0.01-0.02,烧结助剂的制备方法为:将所有原料全部投入球磨罐中,密闭滚动球磨10-12h,球磨结束后将混合浆料取出,放入真空干燥烘箱中干燥,干燥温度为80-100°C,完全干燥后冷却至室温,所得粉体球磨分散成粉体即得。3.如权利要求1所述的,其特征在于,所述的制备方法为: (1)先将氮化铝、碳化硅、纳米二硫化钼、纳米硼纤维、硅藻土微粉、季铵盐离子液体、硅烷偶联剂kh550、烧结助剂混合后球磨分散20-25h,随后加入其它剩余成分,继续球磨分散10-15h,所得浆料的粘度控制在15000-20000cpS,最后将所得浆料经过真空除泡处理后备用; (2)将上述制备的浆料经流延成型机,流延得到所需厚度的坯体,所得坯体在500-600°C条件下热处理2-3h后将坯体送入真空电阻炉中,并在氮气和氢气混合气体氛围下以1500-1605°C的温度烧结3-4h,即得所述复合基板材料,其中氮气和氢气的流量比为1:0.5-1 ο【专利摘要】本专利技术公开了一种纳米硼纤维增强的高弹氮化铝-碳化硅复合电路板基板材料,该材料将氮化铝和碳化硅粉体混合使用,具备高的导热和环保性,以季铵盐离子液体、无水乙醇等制备的复合溶剂较之传统的有机溶剂表面张力更低,对粉体的浸润性更佳,得到的复合醇基流延浆料气泡少,物料间分布均匀稳定,粘度适中,流动性好,制得的坯体脱胶和烧结稳定性更佳,加入的纳米硼纤维轻质高强,高弹导热,增强效果显著,再结合烧结助剂及其它原料,制备得到的复合陶瓷基板片抗折抗弯,光洁致密,导热效率更高,可广泛的用做多种电路板基板。【IPC分类】C04B35/80, C04B35/582【公开号】CN105367103【申请号】CN201510706746【专利技术人】王丹丹, 王乐平, 夏运明,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米硼纤维增强的高弹氮化铝‑碳化硅复合电路板基板材料,其特征在于,该材料由以下重量份的原料制成:氮化铝60‑70、纳米二硫化钼0.5‑0.6、纳米硼纤维1‑2、碳化硅15‑20、硅藻土微粉3‑4、季铵盐类离子液体10‑12、无水乙醇适量、硅烷偶联剂kh550 1‑2、异己二醇4‑5、聚乙二醇1‑1.5、烧结助剂6‑8。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王丹丹王乐平夏运明涂聚友
申请(专利权)人:合肥龙多电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:安徽;34

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