一种新型结构的移动电源电路制造技术

技术编号:12976465 阅读:95 留言:0更新日期:2016-03-04 00:06
本发明专利技术公开了一种新型结构的移动电源电路,包括充电用PMOS 1管、放电用PMOS 2管以及充放电共用NMOS管;其中,所述充电用PMOS 1管的漏极与电压输入端VIN连接,所述放电用PMOS 2管的漏极与电压输出端VOUT连接;所述充电用PMOS 1管和放电用PMOS 2管的源极分别与所述充放电共用NMOS管的漏极连接;所述充放电共用NMOS管的漏极还依次通过电感L、采样电阻RS以及输出电容C与外部电源BATT连接。本发明专利技术与现有技术相比:本发明专利技术的移动电源电路可实现同步降压模式的开关式充电功能和同步升压功能;且该电路中减少了一个功率管,降低了成本,提高了工作效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种新型结构的移动电源电路
技术介绍
现有移动电源充放电芯片,在采用开关式充放电的架构下,至少需要四个功率管才能实现充电和放电功能。并且在充电和放电过程中,功率通路上有三个功率管,降低了充放电的效率。
技术实现思路
本专利技术目的是针对现有技术存在的缺陷提供一种新型结构的移动电源电路。本专利技术为实现上述目的,采用如下技术方案:一种新型结构的移动电源电路,包括充电用PMOS1管、放电用PMOS2管以及充放电共用NMOS管;其中,所述充电用PMOS1管的漏极与电压输入端VIN连接,所述放电用PMOS2管的漏极与电压输出端VOUT连接;所述充电用PMOS1管和放电用PMOS2管的源极分别与所述充放电共用NMOS管的漏极连接;所述充放电共用NMOS管的漏极还依次通过电感L、采样电阻RS以及输出电容C与外部电源BATT连接。本专利技术的有益效果:与现有技术相比:本专利技术的移动电源电路可实现同步降压模式的开关式充电功能和同步升压功能;且该电路中减少了一个功率管,降低了成本,提高了工作效率。附图说明图1为本专利技术的电路原理示意图。图2为本专利技术在移动电源模块中的具体应用原理图。图3为本专利技术在升压状态下,充电用PMOS管的栅压和衬底电压控制波形图。具体实施方式图1所示,涉及一种新型结构的移动电源电路,包括充电用PMOS1管、放电用PMOS2管以及充放电共用NMOS管;其中,所述充电用PMOS1管的漏极与电压输入端VIN连接,所述放电用PMOS2管的漏极与电压输出端VOUT连接;所述充电用PMOS1管和放电用PMOS2管的源极分别与所述充放电共用NMOS管的漏极连接;所述充放电共用NMOS管的漏极还依次通过电感L、采样电阻RS以及输出电容C与外部电源BATT连接。图2为本专利技术在移动电源模块中的具体应用原理图;本专利技术电路为图中的V_CONTROL模块。当系统检测到输入电压时充电状态开启,放电用PMOS2管处于常关断状态,系统工作于标准的开关式充电模式。为防止放电用PMOS2管漏电,在充电状态下,PMOS2的栅电压VG2和衬底电压VB2选择为VG2=VB2=VIN。当系统没有检测到输入电压时,系统工作于放电状态,充电用PMOS1管常关断,系统工作于标准的同步升压模式。因为放电过程电感充电,导致电感端脉冲电压VSW>VOUT,充电用PMOS1管的栅电压VG1和衬底电压VB1必须在VSW和VOUT之间做选择(即图2中的V_CONTROL模块)。图3为本专利技术在升压状态下,充电用PMOS1管的栅压和衬底电压控制波形图。图中可知,在NMOS管导通的TON时间内,VG1=VB1=VOUT;在NMOS管关闭的TOFF时间内,因为VSW>VOUT,为防止电感向VIN端漏电,选择VG1=VB1=VSW。综上,按照标准充电和升压的工作时序,选择合适的栅压和衬底电平,可对功率管进行有效的控制,以防止不需要的功率管漏电。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例,并不用以限制本专利技术,凡在本专利技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
一种新型结构的移动电源电路

【技术保护点】
一种新型结构的移动电源电路,其特征在于,包括充电用PMOS 1管、放电用PMOS 2管以及充放电共用NMOS管;其中,所述充电用PMOS 1管的漏极与电压输入端VIN连接,所述放电用PMOS 2管的漏极与电压输出端VOUT连接;所述充电用PMOS 1管和放电用PMOS 2管的源极分别与所述充放电共用NMOS管的漏极连接;所述充放电共用NMOS管的漏极还依次通过电感L、采样电阻RS以及输出电容C与外部电源BATT连接。

【技术特征摘要】
1.一种新型结构的移动电源电路,其特征在于,包括充电用PMOS1管、放
电用PMOS2管以及充放电共用NMOS管;其中,所述充电用PMOS1管的漏极与
电压输入端VIN连接,所述放电用PMOS2管的漏极与电压输出端VO...

【专利技术属性】
技术研发人员:王冬峰刘桂芝马丙乾吴国平
申请(专利权)人:无锡矽林威电子有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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