校正参数确定方法、装置及设备制造方法及图纸

技术编号:12953284 阅读:68 留言:0更新日期:2016-03-02 12:58
本申请公开了校正参数确定方法、装置及设备,应用于自动曝光控制AEC校正,所述方法包括:获取目标系统的理论校正参数,所述理论校正参数为所述目标系统的线性拟合函数中因变量为预设的目标因变参数时对应的自变量值,所述线性拟合函数为预设因变参数随预设校正参数呈线性变化的拟合函数;获取所述目标系统根据所述理论校正参数进行AEC校正所得的第一因变参数;若所述第一因变参数与所述目标因变参数之间的误差在预设的误差范围内,则确定所述理论校正参数为匹配所述目标因变参数的目标校正参数。本申请实施例可以有效降低校正次数,快速获得与目标因变参数匹配的目标校正参数,提高校正参数确定效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及参数校正
,尤其涉及校正参数确定方法、装置及设备
技术介绍
数字化X射线摄影(DR,Digital Rad1graphy)设备因其福射剂量小、影像质量高、疾病的检出率和诊断的准确性较高而被广泛的应用。DR系统的自动曝光控制(AEC,Automatic Exposure Control)校正在DR系统的使用过程中至关重要。AEC校正要求曝光后的相应参数在预设范围内,对DR系统进行AEC校正,通常需要反复设置待校正参数,针对每次设置的待校正参数进行曝光,判断曝光后的相应参数是否处于预设范围。上述AEC校正方式难以确定待校正参数设置次数和曝光次数,曝光次数越多,X射线的曝光量和曝光时间越多,AEC校正效率越低。
技术实现思路
本申请提供校正参数确定方法、装置及设备,以解决现有AEC校正效率较低的问题。根据本申请实施例的第一方面,提供一种校正参数确定方法,应用于自动曝光控制AEC校正,所述方法包括:获取目标系统的理论校正参数,所述理论校正参数为所述目标系统的线性拟合函数中因变量为预设的目标因变参数时对应的自变量值,所述线性拟合函数为预设因变参数随预设校正参数呈线性变化的拟合函数;获取所述目标系统根据所述理论校正参数进行AEC校正所得的第一因变参数;若所述第一因变参数与所述目标因变参数之间的误差在预设的误差范围内,则确定所述理论校正参数为匹配所述目标因变参数的目标校正参数。根据本申请实施例的第二方面,提供一种校正参数确定装置,应用于自动曝光控制AEC校正,所述装置包括:理论校正参数获取模块,用于获取目标系统的理论校正参数,所述理论校正参数为所述目标系统的线性拟合函数中因变量为预设的目标因变参数时对应的自变量值,所述线性拟合函数为预设因变参数随预设校正参数呈线性变化的拟合函数;第一因变参数获取模块,用于获取所述目标系统根据所述理论校正参数进行AEC校正所得的第一因变参数;第一参数确定模块,用于在所述第一因变参数与所述目标因变参数之间的误差在预设的误差范围内时,确定所述理论校正参数为匹配所述目标因变参数的目标校正参数。根据本申请实施例的第三方面,提供一种校正参数确定设备,应用于自动曝光控制AEC校正,包括:处理器;用于存储所述处理器可执行指令的存储器;其中,所述处理器被配置为:获取目标系统的理论校正参数,所述理论校正参数为所述目标系统的线性拟合函数中因变量为预设的目标因变参数时对应的自变量值,所述线性拟合函数为预设因变参数随预设校正参数呈线性变化的拟合函数;获取所述目标系统根据所述理论校正参数进行AEC校正所得的第一因变参数;若所述第一因变参数与所述目标因变参数之间的误差在预设的误差范围内,则确定所述理论校正参数为匹配所述目标因变参数的目标校正参数。应用本申请实施例,本申请通过获取目标系统的理论校正参数、所述目标系统根据所述理论校正参数进行AEC校正所得的第一因变参数,并在所述第一因变参数与所述目标因变参数之间的误差在预设的误差范围内时,确定所述理论校正参数为匹配所述目标因变参数的目标校正参数,可以有效降低校正次数,快速获得与目标因变参数匹配的目标校正参数,提高校正参数确定效率,进而可应用于AEC校正以提高AEC校正效率。应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本申请。【附图说明】此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本申请的实施例,并与说明书一起用于解释本申请的原理。图1A为本申请校正参数确定方法的一个实施例流程图;图1B为本申请中校正参数与因变参数的实际曲线关系示意图;图1C为本申请校正参数确定方法的线性拟合函数的示意图;图2A为本申请校正参数确定方法的另一个实施例流程图;图2B为本申请校正参数确定方法的第二校正参数的示意图;图3A为本申请校正参数确定方法的另一个实施例流程图;图3B为本申请校正参数确定方法的第三校正参数和第四校正参数的示意图;图4为本申请校正参数确定装置的实施例硬件架构图;图5为本申请校正参数确定装置的一个实施例框图;图6为本申请校正参数确定装置的另一个实施例框图;图7为本申请校正参数确定装置的另一个实施例框图。【具体实施方式】在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解,本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。下面结合具体实施例对本申请进行详细描述。参见图1A,为本申请校正参数确定方法的一个实施例流程图,应用于自动曝光控制AEC校正,包括以下步骤:步骤101:获取目标系统的理论校正参数,所述理论校正参数为所述目标系统的线性拟合函数中因变量为预设的目标因变参数时对应的自变量值,所述线性拟合函数为预设因变参数随预设校正参数呈线性变化的拟合函数。步骤102:获取所述目标系统根据所述理论校正参数进行AEC校正所得的第一因变参数。步骤103:若所述第一因变参数与所述目标因变参数之间的误差在预设的误差范围内,则确定所述理论校正参数为匹配所述目标因变参数的目标校正参数。本实施例,通过获取目标系统的理论校正参数、所述目标系统根据所述理论校正参数进行AEC校正所得的第一因变参数,并在所述第一因变参数与所述目标因变参数之间的误差在预设的误差范围内时,确定所述理论校正参数为匹配所述目标因变参数的目标校正参数,可以有效降低校正次数,快速获得与目标因变参数匹配的目标校正参数,提高校正参数确定效率,进而可应用于AEC校正以提高AEC校正效率。 本申请的校正参数确定,可应用于数字化X射线摄影(DR,Digital Rad1graphy)系统的自动曝光控制校正过程中,快速得到与DR系统的目标因变参数匹配的校正参数,无需人工根据不同目标因变参数范围,反复设置校正参数和令DR系统曝光,能极大的提高自动曝光控制的校正效率和准确度。其中,对于步骤101,所述目标系统可为DR系统,所述预设校正参数可为电离室左场补偿参数、电离室右场补偿参数或KV断点的电离室参考电压,KV断点为管电压断点,所述预设因变参数相应可为电离室左场的mAs反馈量、电离室右场的mAs反馈量或图像平均灰度。其中,mA*ms = mAs, mAs简称毫安秒。在本实施例中,获取目标系统的理论校正参数可直接从预设存储区域调取预先存储的理论校正参数,也可以实时生成。所述线性拟合函数可实时拟合生成,也可直接从预设存储区域调取。DR系统中,在相同X射线球管电压下,因变参数与校正参数之间为正相关,如图1B所示,曲线g(x)可为因变参数与校正参数之间的实际曲线关系。本申请的实施例将目标系统的因变参数与校正参数间的关系近似为线性正相关,通过对目标系统的因变参数与校正参数进行线性拟合,可获得如图1C所示的直线f(x)为目标系统的线性拟合函数。在一个可选的实现方式中,在获取目标系统的理论校正参数之前,还包括:获取所述线性拟合函数。将所述目标因变参数作为因变量代入所述线性拟合函数,计算所述线性拟合函数的自变量值。本实现方式可快速准确地获取所述线性拟合函数的自变量值为目标系统的理论校正参数,进而提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种校正参数确定方法,应用于自动曝光控制AEC校正,其特征在于,所述方法包括:获取目标系统的理论校正参数,所述理论校正参数为所述目标系统的线性拟合函数中因变量为预设的目标因变参数时对应的自变量值,所述线性拟合函数为预设因变参数随预设校正参数呈线性变化的拟合函数;获取所述目标系统根据所述理论校正参数进行AEC校正所得的第一因变参数;若所述第一因变参数与所述目标因变参数之间的误差在预设的误差范围内,则确定所述理论校正参数为匹配所述目标因变参数的目标校正参数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张连成
申请(专利权)人:沈阳东软医疗系统有限公司
类型:发明
国别省市:辽宁;21

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