发光器件制造技术

本发明专利技术公开了一种发光器件，其将光学效率和热辐射最大化并且便于薄膜型制造。所公开的发光器件包括包含多个孔的膜、用于覆盖所述多个孔的上部导电图案、从所述上部导电图案延伸从而被容纳在所述孔中的下部导电图案、用于连接相邻的上部导电图案的桥接零件以及安装在所述上部导电图案中的每一个中的发光二极管芯片，从而使得所述器件可以以薄膜型实现并且将光学效率和热辐射最大化，提供缩短制造时间和降低成本的优势。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
示例性实施例涉及一种发光器件，且更具体地涉及一种可最大化照明效率和散热并且可容易在薄结构中制作的发光器件。
技术介绍
发光二极管芯片是被配置为在施加正向电压时发射光的电致发光器件。化合物半导体(诸如磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)以及类似物)用作发射红色光或绿色光的发光二极管芯片的材料，并且使用基于氮化镓(GaN)的化合物半导体作为发射UV光和蓝色光的发光二极管的材料。此类发光二极管芯片已用在各种显示器、背光单元的光源以及类似物中，并且其应用已基于能够发射红色、绿色和蓝色光的三个发光二极管芯片的使用或基于能够由磷光体通过波长转换发射白色光的白色发光二极管芯片的开发扩展到照明设备。普通发光二极管芯片安装在由包括引线框的基板上的隔板限定的凹陷区域上，并且该凹陷区域填充有包含磷光体的包封构件以形成单个发光封装。然后，多个发光封装安装在单个电路板上以构成单个发光器件。然而，由于此普通发光器件是通过如下方式来制作的:制造包括隔板和引线框的基板，然后将发光二极管芯片安装在该基板上以形成发光封装，随后将该发光封装安装在电路板上，因此存在制造过程复杂和薄发光器件制造受限的问题。此外，此普通发光器件需要使用模制树脂在金属引线框上制造隔板和基板，并且因此因表面粘附力的劣化而经受由水分渗入引起的结构缺陷。
技术实现思路
技术问题示例性实施例提供一种可最大化照明效率和散热并且可容易在薄结构中制作的发光器件。示例性实施例提供一种能够减少制造成本的发光器件。技术解决方案根据一个示例性实施例，一种发光器件包括:膜，该膜包括多个孔；上部导电图案，该上部导电图案覆盖该多个孔；下部导电图案，该下部导电图案从上部导电图案延伸并且容纳在该孔中；桥接件，该桥接件将相邻的上部导电图案连接到彼此；以及发光二极管芯片，该发光二极管芯片安装到每个上部导电图形上。该多个孔可按矩阵形式布置在该膜上。该桥接件可将在第一方向上彼此相邻的上部导电图案连接到彼此，并且在垂直于该第一方向的第二方向上彼此相邻的上部导电图案可彼此分离预定距离。该膜可由多个单元体组成，该上部导电图案可包括第一和第二上部导电图案，该第一和第二上部导电图案关于一个单元体彼此分离，该第一和第二上部导电图案由在第二方向上彼此相邻的单元体共享。该发光器件还可包括:反射单元，覆盖暴露在彼此分离的第一和第二上部导电图案之间的该膜、桥接件以及第一和第二上部导电图案的上表面的部分；以及透镜单元，该透镜单元设置在反射单元上。该发光器件还可包括突出部，该突出部形成在该反射单元上以限定透镜单元的形成区域。该突出部可由具有从最底层到最高层逐渐减小的面积的多个层组成，并且可具有阶梯式内部侧表面。该发光器件还可包括位于突出部内的模制单元，并且该模制单元还可包括荧光材料。在第二方向上，桥接件的宽度可与上部导电图案的宽度相同或者比其小，并且大于透镜单元的半径。下部导电图案包括在第二方向上具有不同宽度的第一和第二区域。第二区域可具有比该第一区域大的宽度，第一区域的宽度可以是第二区域的宽度的80%或更多，并且该第一区域可以是其中安装发光二极管芯片的区域。上部导电图案和下部导电图案可暴露于对应于单元体发光器件的第二方向的两个侧表面。桥接件可暴露于对应于单元体发光器件的第一方向的其他侧表面，并且桥接件和上部导电图案可沿该单元体发光器件的边缘连接到彼此。该膜可由多个单元体组成，该多个孔可包括位于每一单元体中的一对第一孔和第二孔，上部导电图案可包括第一上部导电图案和第二上部导电图案，该第一上部导电图案和第二上部导电图案可具有其中该第一上部导电图案和第二上部导电图案关于一个单元体彼此分离的边界区域，并且该边界区域可设置在第一孔和第二孔之间。该边界区域可在一个单元体内在水平于对角方向的方向上形成。第一孔可具有三个内侧表面，而第二孔可具有五个内侧表面。根据本专利技术的另一示例性实施例，发光器件可包括:第一下部导电图案和第二下部导电图案，在第一方向上彼此分离；第一上部导电图案和第二上部导电图案，在第一下部导电图案和第二下部导电图案上分别设置；绝缘体，在第一下部导电图案和第二下部导电图案之间设置；第一桥接件，在垂直于第一方向的第二方向上从第一上部导电图案延伸；第二桥接件，在第二方向上从第二上部导电图案延伸；以及发光二极管芯片，安装在第一上部导电图案上。发光器件可进一步包括部分地覆盖第一桥接件、第二桥接件以及第一上部导电图案和第二上部导电图案的反射单元，以及设置在反射单元上的透镜单元。第一桥接件和第二桥接件的宽度可以在第一方向上分别等于或小于第一上部导电图案和第二上部导电图案的宽度，且可以小于透镜单元的半径。第二下部导电图案可包括在第一方向上具有不同面积的第一区域和第二区域，该第一区域和第二区域可以在第二方向上具有不同宽度，第二区域的宽度可以大于第一区域的宽度，第一区域的宽度可以是第二区域的宽度的80%或更多，且发光二极管芯片可以安装在与第一区域重叠的区域上。第一上部导电图案、第二上部导电图案、第一下部导电图案以及第二下部导电图案可以具有暴露于与第一方向相对应的两个侧表面的侧表面。第一桥接件的暴露侧表面可以连接到第一上部导电图案的暴露侧表面，且第二桥接件的暴露侧表面可以连接到第一上部导电图案的暴露侧表面。有益效果根据示例性实施例，发光器件可以通过一种结构实现薄结构，所述结构包括具有多个孔的膜、形成在膜上的上部导电图案，形成在该多个孔内部并在上部导电图案下方的下部导电图案，以及安装在上部导电图案中的每个上的发光二极管芯片。另外，由于上部导电图案形成在膜上，且该多个孔填充有下部导电图案，根据示例性实施例的该发光器件可以防止通过典型的发光器件的引线框与绝缘基板之间的空间渗入水分或异物而导致的故障。此外，根据示例性实施例的发光器件允许发光二极管芯片产生的热量通过上部导电图案和下部导电图案轻松排放，从而保证优良的散热效率。此外，根据示例性实施例的发光器件具有简单结构，其中在膜的上部导电图案上直接安装发光二极管芯片，然后形成透镜单元以覆盖相应的发光二极管芯片，由此通过简化结构降低制造成本和时间。根据第二示例性实施例的发光器件包括在每个单元体中分割成第一上部导电图案和第二上部导电图案的上部导电图案以及分割成第一下部导电图案和第二下部导电图案的下部导电图案，其中发光二极管芯片安装在第一上部导电图案上，由此实现发光器件的薄结构。此外，在根据第二示例性实施例的发光器件中，第一和第二上部导电图案通过桥接件彼此连接，这样，第一和第二下部导电图案中的每个的区域以及切割区域彼此间隔预定距离，由此允许轻松切割作业。此外，在根据示例性实施例的发光器件中，膜被设置成包围第一下部导电图案和第二下部导电图案，这样，第一下部导电图案和第二下部导电图案不会暴露在膜外部，从而通过外力防止水分渗入及变形，由此提高可靠性。此外，根据示例性实施例的发光器件进一步包括在第一上部导电图案和第二上部导电图案的第二方向上的桥接件，从而在形成第一下部导电图案和第二下部导电图案的电镀过程中防止诸如线电阻之类的电学特征的劣化，由此，第一下部导电图案和第二下部导电图案可以形成为具有均匀厚度。此外，根据示例性实施例的发光器件通过由多个层组成的突出部的结构提高光提取效率本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，其包括：膜，所述膜包括多个孔；上部导电图案，所述上部导电图案覆盖所述多个孔；下部导电图案，所述下部导电图案从所述上部导电图案延伸并且容纳在所述多个孔中；桥接件，所述桥接件将相邻的上部导电图案彼此连接；和发光二极管芯片，所述发光二极管芯片安装在所述上部导电图案中的每一个上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴宰贤，表炳基，
申请(专利权)人：首尔半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR