【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种晶圆级芯片用喷涂装置,属于半导体封装
技术介绍
目前,半导体芯片的TSV封装一般采用先开槽状开口,再开圆孔硅开口,使圆孔硅底部露出芯片的引脚焊盘,然后激光打孔打穿芯片引脚焊盘,完成电路的导出。这种方式,比较适合芯片引脚焊盘较大的结构,而对于芯片的引脚焊盘偏小的产品,在芯片的引脚焊盘上开圆孔的开口大小相对具有局限性,这就导致激光打孔的偏移量允许范围较小,激光打孔容易打到圆孔边缘的硅造成短路,从而使产品的不良率较高;其次,由于底部盲孔的焊盘厚度仅为1um左右,且此种方式封装线路和晶圆触点连接是环形的线接触,接触面积很有限,同时受热冲击或者机械冲击的情况下,容易造成触点处断裂等不良,可靠性较差。
技术实现思路
本技术目的是提供一种晶圆级芯片用喷涂装置,该喷涂装置有利于在高深宽比的盲孔内,将保护光阻液均匀覆盖于盲孔四壁、底部,提升产品性能,也提高了后续显影的精度,进一步提升电性能、产品可靠性和良率。为达到上述目的,本技术采用的技术方案是:一种晶圆级芯片用喷涂装置,所述晶圆级芯片表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔,所述晶圆级芯片表面和盲孔侧表面、底部具有钝化层,位于此盲孔底部钝化层下方具有氧化硅层,一引脚焊盘位于氧化硅层与盲孔相背的一侧且位于盲孔正下方;所述晶圆级静电喷涂装置包括腔体、金属托盘、喷嘴和静电发生器,所述喷嘴上端安装有高压气体输入管,喷嘴侧壁安装有用于传输保护光阻液的液体传输管,所述金属托盘设置于腔体底部的中央区域,所述静电发生器的第一电极输出端通过导线连接到金属托盘,所述静电发生器的 ...
【技术保护点】
一种晶圆级芯片用喷涂装置,其特征在于:所述晶圆级芯片(1)表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔(2),所述晶圆级芯片(1)表面和盲孔(2)侧表面、底部具有钝化层(3),位于此盲孔(2)底部钝化层(3)下方具有氧化硅层(4),一引脚焊盘(5)位于氧化硅层(4)与盲孔(2)相背的一侧且位于盲孔(2)正下方;所述晶圆级静电喷涂装置(6)包括腔体(7)、金属托盘(8)、喷嘴(9)和静电发生器(10),所述喷嘴(9)上端安装有高压气体输入管(11),喷嘴(9)侧壁安装有用于传输保护光阻液的液体传输管(12),所述金属托盘(8)设置于腔体(7)底部的中央区域,所述静电发生器(10)的第一电极输出端通过导线连接到金属托盘(8),所述静电发生器(10)的第二电极输出端通过导线连接到喷嘴(9),所述晶圆级芯片(1)放置于所述金属托盘(8)上表面上,至少2个固定于金属托盘(8)边缘区域的压爪(13)夹持所述晶圆级芯片(1)边缘区。
【技术特征摘要】
1. 一种晶圆级芯片用喷涂装置,其特征在于:所述晶圆级芯片(1)表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔(2),所述晶圆级芯片(1)表面和盲孔(2)侧表面、底部具有钝化层(3),位于此盲孔(2)底部钝化层(3)下方具有氧化硅层(4),一引脚焊盘(5)位于氧化硅层(4)与盲孔(2)相背的一侧且位于盲孔(2)正下方;所述晶圆级静电喷涂装置(6)包括腔体(7)、金属托盘(8)、喷嘴(9)和静电发生器(10),所述喷嘴(9)上端安装有高压气体输入管(11),喷嘴(9)侧壁安装有用于传输保护光阻液的...
【专利技术属性】
技术研发人员:赖芳奇,张志良,吕军,陈胜,
申请(专利权)人:苏州科阳光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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