适用于高气压下的分子束外延生长的实时监测荧光屏座制造技术

适用于高气压下的分子束外延生长的实时监测荧光屏座，荧光屏座是带有圆形孔的框架，荧光屏座固定在分子束外延中心线束的中央，圆形孔是偏心圆的结构；将荧光屏固定在偏心孔的位置，即荧光屏放置在荧光屏座的偏心圆上，电子束打在荧光屏上的位置是在圆形荧光屏的偏心处。当一个位置的电子束斑点老化以后，将荧光屏旋转一个角度，电子束又能得到一个新的照射点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种圆形焚光屏座，具体涉及一种适用于高气压下的圆形焚光屏座。
技术介绍
荧光屏作为分子束外延生长的实时监测成像已得到了广泛的应用。从Rheed电子枪发射出来的具有一定能量(通常为10-30kev)的电子束以1-2°的掠射角射到样品表面，然后衍射到荧光屏上成像，因此荧光屏上的成像所反映的完全是样品表面的结构信息。然而电子束长时间打在荧光屏的同一个位置会带来电子束斑点的老化问题，从而影响对样品表面结构的观察与检测；同时荧光屏的价格比较昂贵，由电子束斑点老化所带来的荧光屏的更换时成本增加。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本技术提供一种适用于高气压下的Rheed荧光屏座。将荧光屏座设计为圆形结构，放置荧光屏的孔开设在荧光屏座的偏心处，这样，荧光屏的圆心与荧光屏座的圆心就不在同一个点，电子束通过锥形屏蔽罩打射在荧光屏上的位置就不在焚光屏的圆心处。。本技术的技术方案是:适用于高气压下的分子束外延生长的实时监测荧光屏座，荧光屏座是带有圆形孔的框架，荧光屏座固定在分子束外延中心线束的中央，圆形孔是偏心圆的结构；将荧光屏固定在偏心孔的位置，即荧光屏放置在荧光屏座的偏心圆上，电子束打在荧光屏上的位置在圆形荧光屏的偏心处。本技术的有益效果:通过将荧光屏放置在荧光屏座的偏心孔处，电子束打到荧光屏上的位置就在荧光屏的偏心处，当一个位置的电子束斑点老化以后，通过旋转荧光屏，电子束就能得到一个新的照射点，从而大大提高了荧光屏的使用效率。【附图说明】图1为本技术荧光屏座的结构说明图。图2为本技术荧光屏侧视示意图。【具体实施方式】下面结合附图对本技术作进一步的说明。如图1所不，焚光屏座1上开设一个偏心焚光屏放置孔2，焚光屏放置在焚光屏座上面的偏心孔处，通过压板将荧光屏固定在荧光屏座上，电子束通过屏蔽罩的小管口处打到荧光屏上，电子束斑点打在荧光屏的偏心处，不在荧光屏的圆心如图2。这样，当一个位置的电子束斑点老化以后，松开荧光屏座固定压板，将荧光屏旋转一个角度，再用压板和固定装置3 (可以为螺杆螺母结构)将荧光屏固定在荧光屏座上，电子束又能得到一个新的照射点。4为荧光屏座圆心位置即电子束打击的位置。与传统的荧光屏座结构相比，荧光屏的使用效率得到了很大的提高。虽然本技术已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本技术。本技术所属
中具有通常知识者，在不脱离本技术的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本技术的保护范围当视权利要求书所界定者为准。【主权项】1.适用于高气压下的分子束外延生长的实时监测荧光屏座，其特征是荧光屏座是带有圆形孔的框架，荧光屏座固定在分子束外延中心线束的中央，圆形孔是偏心圆的结构；将荧光屏固定在偏心孔的位置，即荧光屏放置在荧光屏座的偏心圆上，电子束打在荧光屏上的位置在圆形焚光屏的偏心处。【专利摘要】适用于高气压下的分子束外延生长的实时监测荧光屏座，荧光屏座是带有圆形孔的框架，荧光屏座固定在分子束外延中心线束的中央，圆形孔是偏心圆的结构；将荧光屏固定在偏心孔的位置，即荧光屏放置在荧光屏座的偏心圆上，电子束打在荧光屏上的位置是在圆形荧光屏的偏心处。当一个位置的电子束斑点老化以后，将荧光屏旋转一个角度，电子束又能得到一个新的照射点。【IPC分类】H01J29/18, H01J29/02【公开号】CN205050802【申请号】CN201520848873【专利技术人】马建行, 陆伟华, 邵玮 【申请人】苏州新锐博纳米科技有限公司【公开日】2016年2月24日【申请日】2015年10月29日本文档来自技高网...

【技术保护点】
适用于高气压下的分子束外延生长的实时监测荧光屏座，其特征是荧光屏座是带有圆形孔的框架，荧光屏座固定在分子束外延中心线束的中央，圆形孔是偏心圆的结构；将荧光屏固定在偏心孔的位置，即荧光屏放置在荧光屏座的偏心圆上，电子束打在荧光屏上的位置在圆形荧光屏的偏心处。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马建行，陆伟华，邵玮，
申请(专利权)人：苏州新锐博纳米科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32