EEPROM结构及其制备方法技术

本发明专利技术提出了一种EEPROM结构及其制备方法，将常开比特结构处的浮栅与控制栅短接，在对EEPROM进行读取时可以通过控制栅直接施加电压开启常开比特结构的通道，提高电流，在EEPROM工作时有利于数据的存储和维持，并能提高器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种EEPROM结构及其制备方法。
技术介绍
电可擦可编程只读存储器(EEPROM，ElectricallyErasable ProgrammableRead-Only Memory)是一种以字节(Byte)为最小修改单位、可以通过电子方式多次复写的半导体存储设备。相比可擦可编程只读存储器(EPR0M，Erasable Programmable Read-OnlyMemory)，EEPR0M不需要用紫外线照射，也不需取下，就可以用特定的电压，来抹除芯片上的信息，以便写入新的数据。由于EEPROM的优秀性能以及在线上操作的便利，它被广泛用于需要经常擦除的B1S芯片以及闪存芯片，并逐步替代部分有断电保留需要的随机存取存储器(RAM，RandomAccess Memory)芯片，甚至取代部分的硬盘功能，与高速RAM成为二^世纪最常用且发展最快的两种存储技术。请参考图1，图1为现有技术中EEPROM的结构示意图，包括衬底10、源漏极11、栅氧化层20、比特结构(Bit)、字线50、介质层60及侧墙结构40，其中，所述源漏极11形成在所述衬底10内，所述栅氧化层20形成在所述衬底10上，所述比特结构、字线50、介质层60及侧墙结构40均形成在所述栅氧化层20上，所述比特结构位于所述字线50的两侧(称为镜像比特结构，mirror bits)，并由上述介质层60隔离开，所述侧墙结构40位于所述比特结构远离所述字线50的一侧，其中，所述比特结构包括浮栅31、栅间介质层32及控制栅33ο如图1所示，目前90nm的EEPROM只使用mirror bits的其中一个比特结构，另外一个比特结构不使用，处以擦除(erased)的低阻态，从而能够提高电流，有利于数据的存储和维持。然而，这样可能存在的风险，即不使用的比特结构如果在EEPROM使用过程中出现问题，并呈现高阻态，将导致整个器件区(cell)失效。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种EEPROM结构及其制备方法，能够直接在常开的比特结构中的浮栅上施加电压，提高器件的性能。为了实现上述目的，本专利技术提出了一种EEPROM结构，包括步骤:衬底、源漏极、栅介质层、存储比特结构、常开比特结构、字线及介质层，其中，所述源漏极形成在所述衬底内，所述栅介质层形成在所述衬底上，所述字线、存储比特结构、常开比特结构及介质层均形成在所述栅介质层上，所述存储比特结构和常开比特结构分别位于所述字线的两侧，并由所述介质层隔离开；所述常开比特结构包括浮栅及控制栅，所述控制栅形成在所述浮栅的表面，所述浮栅形成在所述栅介质层的表面。进一步的，在所述的EEPROM结构中，所述存储比特结构包括浮栅、栅间介质层及控制栅，所述栅间介质层位于所述浮栅和控制栅之间，所述浮栅形成在所述栅介质层的表面。进一步的，在所述的EEPROM结构中，所述浮栅及控制栅的材质为多晶硅。进一步的，在所述的EEPROM结构中，所述栅间介质层材质为低k值介质层、氧化硅、氮化硅或氧化硅-氮化硅-氧化硅组合。进一步的，在所述的EEPROM结构中，所述栅介质层为氧化娃。进一步的，在所述的EEPROM结构中，所述介质层为氧化娃或氮化娃。进一步的，在所述的EEPROM结构中，所述字线的材质为多晶硅。本专利技术还提出了一种EEPROM的制备方法，用于制备如上文所述的EEPROM结构，包括步骤:提供衬底，所述衬底内形成有源漏极，表面形成有栅介质层；在所述栅介质层表面形成浮栅；在所述浮栅表面形成栅间介质层；刻蚀去除常开比特结构处的栅间介质层，保留位于存储比特结构处的栅间介质层；在所述常开比特结构处的浮栅上形成控制栅，在所述存储比特结构处的栅间介质层上形成控制栅。进一步的，在所述的EEPROM的制备方法中，形成介质层和字线，所述字线形成于所述存储比特结构及常开比特结构之间，并由所述介质层隔离开。与现有技术相比，本专利技术的有益效果主要体现在:将常开比特结构处的浮栅与控制栅短接，在对EEPROM进行读取时可以通过控制栅直接施加电压开启常开比特结构的通道，提高电流，在EEPROM工作时有利于数据的存储和维持，并能提高器件的性能。【附图说明】图1为现有技术中EEPROM的结构示意图；图2为本专利技术一实施例中制备EEPROM的结构示意图；图3为本专利技术一实施例中EEPROM的制备方法的流程图。【具体实施方式】下面将结合示意图对本专利技术的EEPROM结构及其制备方法进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。请参考图2，在本实施例中，提出了一种EEPROM结构，包括步骤:衬底100、源漏极110、栅介质层200、存储比特结构当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种EEPROM结构，其特征在于，包括步骤：衬底、源漏极、栅介质层、存储比特结构、常开比特结构、字线及介质层，其中，所述源漏极形成在所述衬底内，所述栅介质层形成在所述衬底上，所述字线、存储比特结构、常开比特结构及介质层均形成在所述栅介质层上，所述存储比特结构和常开比特结构分别位于所述字线的两侧，并由所述介质层隔离开；所述常开比特结构包括浮栅及控制栅，所述控制栅形成在所述浮栅的表面，所述浮栅形成在所述栅介质层的表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高超，江红，李冰寒，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31