唑硅烷化合物、表面处理液、表面处理方法及其利用技术

本发明专利技术的目的在于提供新的唑硅烷化合物及其合成方法以及以该唑硅烷化合物作为成分的硅烷偶联剂，并且提供使用该唑硅烷化合物的表面处理液、表面处理方法和材质不同的两种材料的胶粘方法。本发明专利技术的唑硅烷化合物是由特定的化学式(I-1)或(II-1)表示的化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】唑硅烷化合物、表面处理液、表面处理方法及其利用
本专利技术涉及新的唑硅烷化合物以及使用该唑硅烷化合物的表面处理液、表面处理方法及其利用。
技术介绍
近年来，为了应对电子设备和电子部件的小型化、薄型化等，印刷布线板正在进行多层化，所谓多层印刷布线板通过在单面或双面上设置有由铜箔等构成的电路的内层用电路板上经由预浸料层叠外层用电路板或铜箔并将其一体化来制造。对于这样的多层印刷布线板而言，确保形成在内层用电路板上的铜电路与使外层用电路板或铜箔层叠的预浸料的绝缘胶粘树脂之间的胶粘性成为重要的课题。在专利文献1中记载了涉及使铜箔与预浸料的胶粘性和将铜箔与预浸料胶粘而得到的覆铜层压板的焊料耐热性提高的铜箔表面处理剂的专利技术。在该文献中公开了：组合使用具有咪唑环的三烷氧基硅烷化合物和四烷氧基硅烷化合物作为该表面处理剂的成分。在专利文献2中记载了涉及不对铜的表面进行蚀刻等粗化处理而能够维持铜与树脂等绝缘材料之间的密合性的铜的表面调节组合物和表面处理方法的专利技术。在该文献中公开了：从与绝缘材料的密合性优良这样的理由考虑，作为表面调节组合物的成分，还优选具有烷氧基的硅烷偶联剂、例如硅醇、三硅醇等，并且，其中，从提高铜与环氧树脂等绝缘材料的密合性这样的理由考虑，优选具有巯基的硅烷偶联剂。另外，公开了含有该表面调节组合物的溶液可以通过使该组合物溶解于水与有机溶剂的混合溶剂中来制备，并公开了：使上述溶液与铜的表面接触后，可以在进行水洗后使其干燥，也可以不进行水洗而使其干燥，并且，在进行水洗后使其干燥的情况下，可以得到均匀厚度的膜，另一方面，在不进行水洗而干燥的情况下，可以得到高的与绝缘材料的密合性。在专利文献3中记载了涉及硅烷偶联剂溶液的制造方法、硅烷偶联剂溶液、使用该硅烷偶联剂溶液的基材的表面处理方法等的专利技术。在该文献中公开了：将有机硅化合物与水混合而充分地形成硅醇基后进一步混合醇时，能够实现高硅醇化率，并且也能够实现均匀的涂敷，实现优良的密合性，而且，作为硅醇化率，优选为60～100％、更优选为80～100％。而且，作为上述有机硅化合物，公开了3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷。需要说明的是，使由有机高分子化合物、无机材料构成的基材与液晶性化合物的密合性优良这一点作为专利技术的课题，并没有提及以铜作为基材时的密合性。在专利文献4中记载了涉及硅烷偶联剂和聚合物组合物的专利技术。在该文献中，作为玻璃或金属与橡胶的胶粘用底漆中使用的硅烷偶联剂的成分，公开了各种使三唑、噻二唑等含氮杂环与三甲氧基甲硅烷基、三乙氧基甲硅烷基等甲硅烷基经由具有硫醚(硫化物)键等的有机基团键合而成的结构的物质。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平7-286160号公报专利文献2：日本特开2009-263790号公报专利文献3：日本特开2006-045189号公报专利文献4：日本特开2002-363189号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题为了提高金属、无机材料和树脂材料等材质不同的两种材料的胶粘性，本专利技术的目的在于提供新的唑硅烷化合物及其合成方法以及以该唑硅烷化合物作为成分的硅烷偶联剂，并且提供使用该唑硅烷化合物的表面处理液、表面处理方法和不同材料的胶粘方法。用于解决问题的方法本专利技术人为了解决上述问题而反复进行了深入研究，结果发现，通过使唑类化合物与卤代烷基硅烷化合物或异氰酸根合烷基硅烷化合物反应，可以合成新的唑硅烷化合物，从而完成了本专利技术。另外，本专利技术人为了解决上述问题而反复进行了深入研究，结果发现，在分子内具有唑环和硫醚键(-S-)或二硫键(-S-S-)的唑硅烷化合物实现了期望的目的，从而完成了本专利技术。即，本专利技术如下述的[1]～[33]所述。[1]一种唑硅烷化合物，其由下述化学式(I-1)或(II-1)表示。(式(I-1)中，X表示氢原子、-CH3、-NH2、-SH或-SCH3。Y表示-NH-或-S-。R表示-CH3或-CH2CH3。m表示1～12的整数。)A1-S-S-A1(II-1)[2]一种合成方法，其为下述化学式(I-1)所示的唑硅烷化合物的合成方法，(式(I-1)中，X表示氢原子、-CH3、-NH2、-SH或-SCH3。Y表示-NH-或-S-。R表示-CH3或-CH2CH3。m表示1～12的整数。)该合成方法包括使下述化学式(I-2)所示的唑类化合物与下述化学式(I-3)所示的卤代烷基硅烷化合物在脱卤化氢剂的存在下反应的工序。(式(I-2)中，X表示氢原子、-CH3、-NH2、-SH或-SCH3，Y表示-NH-或-S-。)(式(I-3)中，R表示-CH3或-CH2CH3，m表示1～12的整数，Hal表示氯原子、溴原子或碘原子。)[3]一种合成方法，其为下述化学式(II-1)所示的唑硅烷化合物的合成方法，A1-s-S-A1(II1))该合成方法包括使下述化学式(II-2)所示的唑类化合物与下述化学式(II-3)所示的异氰酸根合烷基硅烷化合物反应的工序。A0-S-S-A0(II-2)OCN-(CH2)m-Si(OR)3(II-3)(式(II-3)中，R表示-CH3或-CH2CH3，m表示1～12的整数。)[4]一种硅烷偶联剂，其以下述化学式(III-1)或(IV-1)所示的唑硅烷化合物作为成分。(式(III-1)中，X表示氢原子、-CH3、-NH2、-SH或-SCH3。Y表示-NH-或-S-。R表示-CH3或-CH2CH3。m表示1～12的整数，n表示0或1～3的整数。)A2-S-S-A2(IV-1)[5]一种表面处理液，其含有下述化学式(III-1)或(IV-1)所示的唑硅烷化合物。(式(III-1)中，X表示氢原子、-CH3、-NH2、-SH或-SCH3。Y表示-NH-或-S-。R表示-CH3或-CH2CH3。m表示1～12的整数，n表示0或1～3的整数。)A2-S-S-A2(IV-1)[6]如上述[5]所述的表面处理液，其用于对选自由金属、无机材料和树脂材料组成的组中的至少一种的表面进行处理。[7]如上述[5]所述的表面处理液，其用于将选自由金属、无机材料和树脂材料组成的组中的两种材料胶粘。[8]如上述[6]或[7]所述的表面处理液，其中，上述金属为选自由铜、铝、钛、镍、锡、铁、银、金和它们的合金组成的组中的至少一种。[9]如上述[6]或[7]所述的表面处理液，其中，上述金属为铜或铜合金。[10]如上述[6]或[7]所述的表面处理液，其中，上述无机材料为选自由硅、陶瓷和玻璃组成的组中的至少一种。[11]如上述[10]所述的表面处理液，其中，上述陶瓷为选自由氧化铝、碳化硅、氮化铝、氮化硅和钛酸钡组成的组中的至少一种。[12]如上述[6]或[7]所述的表面处理液，其中，上述树脂材料为选自由丙烯酸酯树脂、环氧树脂和聚酰亚胺树脂组成的组中的至少一种。[13]一种金属的表面处理方法，其中，使上述[5]所述的表面处理液与金属的表面接触。[14]如上述[13]所述的金属的表面处理方法，其中，上述金属为选自由铜、铝、钛、镍、锡、铁、银、金和它们的合金组成的组中的至少一种。[15]如上述[13]所述的金属的表面处理方法，其中，上述金属为铜或铜合金。[16]如上述[15]所述的金属的表面处理方法，其中，在使上述表面处理液与铜或铜合金的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种唑硅烷化合物，其由下述化学式(I‑1)或(II‑1)表示，式(I‑1)中，X表示氢原子、‑CH3、‑NH2、‑SH或‑SCH3，Y表示‑NH‑或‑S‑，R表示‑CH3或‑CH2CH3，m表示1～12的整数，A1‑S‑S‑A1  (II‑1)式(II‑1)中，A1表示Z1表示‑CO‑NR‑(CH2)m‑Si(OR)3，R表示‑CH3或者‑CH2CH3，m表示1～12的整数。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.07.02 JP 2013-138541;2013.08.27 JP 2013-175311.一种唑硅烷化合物，其由下述化学式(I-1)或(II-1)表示，式(I-1)中，X表示氢原子、-CH3、-NH2、-SH或-SCH3，Y表示-NH-，R表示-CH3或-CH2CH3，m表示1～12的整数，A1-S-S-A1(II-1)式(II-1)中，A1表示Z1表示-CO-NH-(CH2)m-Si(OR)3，R表示-CH3或者-CH2CH3，m表示1～12的整数。2.一种合成方法，其为下述化学式(I-1)所示的唑硅烷化合物的合成方法，式(I-1)中，X表示氢原子、-CH3、-NH2、-SH或-SCH3，Y表示-NH-，R表示-CH3或-CH2CH3，m表示1～12的整数，该合成方法包括使下述化学式(I-2)所示的唑类化合物与下述化学式(I-3)所示的卤代烷基硅烷化合物在脱卤化氢剂的存在下反应的工序，式(I-2)中，X表示氢原子、-CH3、-NH2、-SH或-SCH3，Y表示-NH-，式(I-3)中，R表示-CH3或-CH2CH3，m表示1～12的整数，Hal表示氯原子、溴原子或碘原子。3.一种合成方法，其为下述化学式(II-1)所示的唑硅烷化合物的合成方法，A1-S-S-A1(II-1)式(II-1)中，A1表示Z1表示-CO-NH-(CH2)m-Si(OR)3，R表示-CH3或者-CH2CH3，m表示1～12的整数，该合成方法包括使下述化学式(II-2)所示的唑类化合物与下述化学式(II-3)所示的异氰酸根合烷基硅烷化合物反应的工序，A0-S-S-A0(II-2)式(II-2)中，A0表示OCN-(CH2)m-Si(OR)3(II-3)式(II-3)中，R表示-CH3或-CH2CH3，m表示1～12的整数。4.一种硅烷偶联剂，其以下述化学式(III-1)或(IV-1)所示的唑硅烷化合物作为成分，式(III-1)中，X表示氢原子、-CH3、-NH2、-SH或-SCH3，Y表示-NH-，R表示-CH3或-CH2CH3，m表示1～12的整数，n表示0或1～3的整数，A2-S-S-A2(IV-1)式(IV-1)中，A2表示Z2表示-CO-NH-(CH2)m-Si(OR)3-n(OH)n，R表示-CH3或者-CH2CH3，m表示1～12的整数，n表示0或1～3的整数。5.一种表面处理液，其含有下述化学式(III-1)或(IV-1)所示的唑硅烷化合物，式(III-1)中，X表示氢原子、-CH3、-NH2、-SH或-SCH3，Y表示-NH-，R表示-CH3或-CH2CH3，m表示1～12的整数，n表示0或1～3的整数，A2-S-S-A2(IV-1)式(IV-1)中，A2表示Z2表示-CO-NH-(CH2)m-Si(OR)3-n(OH)n，R表示-CH3或者-CH2CH3，m表示1～12的整数，n表示0或1～3的整数。6.如权利要求5所述的表面处理液，其用于对选自由金属、无机材料和树脂材料组成的组中的至少一种的表面进行处理。7.如权利要求5所述的表面处理液，其用于将选自由金属、无机材料和树脂材料组成的组中的两种材料胶粘。8.如权利要求6或7所述的表面处理液，其中，所述金属为选自由铜、铝、钛、镍、锡、铁、银、金和它们的合金组成的组中的至少一种。9.如权利要求6或7所述的表面处理液，...

【专利技术属性】
技术研发人员：三浦昌三，村井孝行，奥村尚登，谷冈宫，胜村真人，山地范明，
申请(专利权)人：四国化成工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP