一种防浪涌电路制造技术

本发明专利技术公开了一种防浪涌电路，包括大功率电阻R1、MOS管Q1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、稳压管ZD1、电容C1、电解电容EC1、电容C3、电容C2、桥堆BD1和保险丝F1，其特征在于所述的电容C1的一端接电解电容EC1的正极、电阻R4的一端和桥堆BD1的正极，电容C1的另一端、电解电容EC1的负极、MOS管Q1的漏极和电阻R1的一端接地，电阻R1的另一端接桥堆BD1的负极、MOS管Q1源极、电容C2的一端、稳压管ZD1的阳极、电容C3的一端和电阻R3的一端，电容C2的另一端接MOS管Q1的栅极、稳压管ZD1的阴极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接电阻R4、电阻R3和电容C3的另一端。本发明专利技术在快速开关机以及热机开关机，浪涌电流一样都能得到抑制，从而大大减少电子产品对电网的冲击。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路领域，具体地说是一种防浪涌电路。
技术介绍
经常使用的NTC抑制浪涌电流电路由于其简单得到广泛的应用，其电路结构如图1所示，可是由于其功耗以及热机无抑制浪涌作用使得在很多应用中效果不理想。随着现在电子产品对浪涌电流要求越来越高，这种结构的电路已不能满足要求。
技术实现思路
本专利技术要解决的是现有技术存在的上述问题，旨在提供一种改进型的防浪涌电路，既能够更有效地降低浪涌电流，大大减少对电网的冲击，同时功耗低，且不会产生热机无抑制浪涌作用。为解决上述问题，本专利技术采用以下技术方案:一种防浪涌电路，包括大功率电阻RU MOS管QU电阻R2、电阻R3、电阻R4、稳压管ZDU电容Cl、电解电容EC1、电容C3、电容C2、桥堆BDl和保险丝F1，其特征在于所述的电容Cl的一端接电解电容ECl的正极、电阻R4的一端和桥堆BDl的正极，电容Cl的另一端、电解电容ECl的负极、MOS管Ql的漏极和电阻Rl的一端接地，电阻Rl的另一端接桥堆BDl的负极、MOS管Ql源极、电容C2的一端、稳压管ZDl的阳极、电容C3的一端和电阻R3的一端，电容C2的另一端接MOS管Ql的栅极、稳压管ZDl的阴极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接电阻R4、电阻R3和电容C3的另一端。本专利技术的一种防浪涌电路，在启动的时候，由于电解电容ECl和电容Cl上电压为O，MOS管Ql关断，输入电压通过大功率电阻Rl给电解电容ECl和电容Cl充电，所以电流由电阻Rl决定，电阻Rl阻值越大，浪涌电流就越小，当电解电容ECl上的电压达到某一个值时，MOS管Ql栅极电压达到MOS管的阈值电压时，MOS管Ql开启，短路电阻R1，启动完成，由于MOS管Ql导通后，MOS管Ql的DS之间电压非常小，损耗非常低。电容C2、电容C3可以用来调节MOS管Ql栅极电压的上升时间，控制MOS管Ql的开通时间，稳压管ZDl可以用来保护MOS管Ql栅极电压不超过其限值。由于电阻Rl的存在，使得浪涌电流可以做的很小，而由于MOS管Ql的存在，使得整个电子产品在正常工作的时候，效率不受影响。本专利技术还要提供另一种结构的防浪涌电路，包括大功率电阻Rl、MOS管Q1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、稳压管ZD1、电容Cl、电解电容EC1、电容C3、电容C2、桥堆BD1、保险丝F1、二极管D1、三极管Q2及电阻R5，其特征在于所述的电容Cl的一端接电解电容ECl的正极、电阻R4的一端和桥堆BDl的正极，电容Cl的另一端、电解电容ECl的负极、MOS管Ql的漏极和电阻Rl的一端接地，电阻Rl的另一端接桥堆BDl的负极、MOS管Ql源极、电容C2的一端、稳压管ZDl的阳极、电容C3的一端、电阻R3的一端和电阻R5的一端，电容C2的另一端接MOS管Ql的栅极、稳压管ZDl的阴极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接二极管Dl的阴极和三极管Q2的源极，三极管Q2的基极接电阻R5的另一端，三极管Q2的集电极接电阻R4、电阻R3和电容C3的另一端。本技术方案是在前一技术方案基础上作的改进，增加了一个由二极管Dl、三极管Q2及电阻R5构成的栅极泄放电路，其主要作用在于关断的时候用来泄放MOS管Ql栅极的电压，当关断输入电压，三极管Q2基极电压先下降，导致三极管Q2导通，MOS管Ql栅极电压通过三极管Q2快速放电，三极管Q2快速关断，当开通输入电压的时候，输入还是得通过电阻Rl给电解电容ECl和电容Cl充电，所以通过这个电路可以更好的实现快速开关机，而由于MOS管Ql的存在，使得整个电子产品在正常工作的时候，效率不受影响，就是快速开关机以及热机开关机，浪涌电流一样都能得到抑制，从而大大减少电子产品对电网的冲击。【附图说明】下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术作进一步说明。图1是现有NTC抑制浪涌电流电路的电路图。图2是本专利技术防浪涌电路的一种电路结构图。图3是本专利技术防浪涌电路的另一种电路结构图。【具体实施方式】图1为现有的NTC抑制浪涌电流电路，其缺陷前面已经描述过了，在此不再赘述。参照图2，本专利技术的一种防浪涌电路，包括大功率电阻RUMOS管Q1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、稳压管ZD1、电容Cl、电解电容EC1、电容C3、电容C2、桥堆BDl和保险丝F1，所述的电容Cl的一端接电解电容ECl的正极、电阻R4的一端和桥堆BDl的正极，电容Cl的另一端、电解电容ECl的负极、MOS管Ql的漏极和电阻Rl的一端接地，电阻Rl的另一端接桥堆BDl的负极、MOS管Ql源极、电容C2的一端、稳压管ZDl的阳极、电容C3的一端和电阻R3的一端，电容C2的另一端接MOS管Ql的栅极、稳压管ZDl的阴极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接电阻R4、电阻R3和电容C3的另一端。本专利技术的一种防浪涌电路，其工作原理如下:在启动的时候，由于电解电容ECl和电容Cl上电压为O，MOS管Ql关断，输入电压通过大功率电阻Rl给电解电容ECl和电容Cl充电，所以电流由电阻Rl决定，电阻Rl阻值越大，浪涌电流就越小，当电解电容ECl上的电压达到某一个值时，MOS管Ql栅极电压达到MOS管的阈值电压时，MOS管Ql开启，短路电阻R1，启动完成，由于MOS管Ql导通后，MOS管Ql的DS之间电压非常小，损耗非常低。电容C2、电容C3可以用来调节MOS管Ql栅极电压的上升时间，控制MOS管Ql的开通时间，稳压管ZDl可以用来保护MOS管Ql栅极电压不超过其限值。由于电阻Rl的存在，使得浪涌电流可以做的很小，而由于MOS管Ql的存在，使得整个电子产品在正常工作的时候，效率不受影响。参照图3，本专利技术的另一种结构的防浪涌电路，包括大功率电阻RUMOS管Q1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、稳压管ZD1、电容Cl、电解电容EC1、电容C3、电容C2、桥堆BD1、保险丝F1、二极管D1、三极管Q2及电阻R5，所述的电容Cl的一端接电解电容ECl的正极、电阻R4的一端和桥堆BDl的正极，电容Cl的另一端、电解电容ECl的负极、MOS管Ql的漏极和电阻Rl的一端接地，电阻Rl的另一端接桥堆BDl的负极、MOS管Ql源极、电容C2的一端、稳压管ZDl的阳极、电容C3的一端、电阻R3的一端和电阻R5的一端，电容C2的另一端接MOS管Ql的栅极、稳压管ZDl的阴极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接二极管Dl的阴极和三极管Q2的源极，三极管Q2的基极接电阻R5的另一端，三极管Q2的集电极接电阻R4、电阻R3和电容C3的另一端。本实施方式是在图2实施方式基础上的改进，增加了一个由二极管D1、三极管Q2及电阻R5构成的栅极泄放电路，其主要作用在于关断的时候用来泄放MOS管Ql栅极的电压，当关断输入电压，三极管Q2基极电压先下降，导致三极管Q2导通，MOS管Ql栅极电压通过三极管Q2快速放电，三极管Q2快速关断，当开通输入电压的时候，输入还是得通过电阻Rl给电解电容ECl和电容Cl充电，所以通过这个电路可以更好的实现快速开关机，而由于MOS管Ql的存在，使得整个电子产品在正常工作的时候，效率不受影响，就是快速开关机以及热机开关机，浪涌电流一样都能得到抑制，从而大大减少电子产品对电网的冲击。应该理解到的是:上述实施例只是对本专利技术的说明，而不是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防浪涌电路，包括大功率电阻R1、MOS管Q1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、稳压管ZD1、电容C1、电解电容EC1、电容C3、电容C2、桥堆BD1和保险丝F1，其特征在于所述的电容C1的一端接电解电容EC1的正极、电阻R4的一端和桥堆BD1的正极，电容C1的另一端、电解电容EC1的负极、MOS管Q1的漏极和电阻R1的一端接地，电阻R1的另一端接桥堆BD1的负极、MOS管Q1源极、电容C2的一端、稳压管ZD1的阳极、电容C3的一端和电阻R3的一端，电容C2的另一端接MOS管Q1的栅极、稳压管ZD1的阴极和电阻R2的一端，电阻R2的另一端接电阻R4、电阻R3和电容C3的另一端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：熊洪亮，吴海燕，方洁苗，
申请(专利权)人：浙江榆阳电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33