闪存的制作方法技术

本申请公开了一种闪存的制作方法。该闪存包括第一栅极单元和第二栅极单元，第一栅极单元包括第一栅极、第一隔离件、第一源极区和第一漏极区，第二栅极单元包括第二栅极、第二隔离件、第二源极区和第二漏极区，制作方法包括第一栅极单元的制作过程和第二栅极单元的制作过程，在进行第一栅极单元的制作过程时，利用有机材料保护已经制作完成的第二栅极或第二栅极单元；或者在进行第二栅极单元的制作过程时，利用有机材料保护已经制作完成的第一栅极或第一栅极单元。通过本申请，解决了在存储单元上沉积的用于保护单元的物质难以去除的问题，进而达到了快速彻底去除为保护存储单元而沉积的物质的效果。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种。
技术介绍
随着超大规模集成器件的发展，器件的尺寸在不断的缩小，膜的厚度也在不断的减小，在器件的制造的各个环节中面临不同程度的挑战。对于闪存，由于器件的使用过程中需要对闪存的存储单元区和其外围电路区进行操作，而不同区域需要不同的操作条件，因此存储单元区和其外围电路区的设计规则也明显的不同。例如，存储单元区需要更小的栅极间隔。因为外围电路区需要较高的击穿电压，一般地，充电器件需要较高击穿电压，特别是高压器件，更需要较高的击穿电压，这就要求外围电路区的隔离件的宽度要比存储单元区的宽度宽。在制造器件的过程中，需要分别对存储单元区和外围电路区进行工艺处理，从而得到宽度不同的隔离件。在传统的工艺中，为了在形成外围电路的隔离件时保护存储单元免受损坏，用SiN或者氧化膜将存储单元区I域填满，但是沉积的SiN或者氧化物很难被去除。针对现有技术中在存储单元上沉积的用于保护存储单元的物质难以去除的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
为了解决在存储单元上沉积的用于保护存储单元的物质难以去除的问题，本申请提供了一种，能够更容易地去除为保护存储单元而沉积的物质。根据本申请的一个方面，提供了一种，该制作方法包括:所述闪存包括第一栅极单元和第二栅极单元，所述第一栅极单元包括第一栅极、第一隔离件、第一源极区和第一漏极区，所述第二栅极单元包括第二栅极、第二隔离件、第二源极区和第二漏极区，所述制作方法包括所述第一栅极单元的制作过程和所述第二栅极单元的制作过程在进行所述第一栅极单元的制作过程时，利用有机材料保护已经制作完成的所述第二栅极或第二栅极单元；或者在进行所述第二栅极单元的制作过程时，利用有机材料保护已经制作完成的所述第一栅极或第一栅极单元。进一步地，所述制作方法包括:提供衬底；进行所述第一栅极单元的制作过程；在所述第一栅极单元上形成第一有机材料层；在所述第一有机材料层上形成第一氧化层；进行所述第二栅极单元的制作过程；以及去除所述第一氧化层和所述第一有机材料层。进一步地，所述制作方法包括:提供衬底；在所述衬底上形成第一栅极和第二栅极；在所述第二栅极上形成第二有机材料层；在所述第二有机材料层上形成第二氧化层；进行所述第一栅极单元的制作过程中第一隔离件、第一源极区和第一漏极区的制作，得到所述第一栅极单元；去除所述第二氧化层和所述第二有机材料层；在所述第一栅极单元上形成第三有机材料层；在所述有机材料层上形成第三氧化层；进行所述第二栅极单元的制作过程中第二隔离件、第二源极区和第二漏极区的制作，得到所述第二栅极单元；以及去除所述第三氧化层和所述第三有机材料层。进一步地，所述有机材料选自(1，4)-萘并烷或(9，10)-蒽并烷。进一步地，所述制作方法中，去除所述有机材料的过程包括:采用灰化气体对所述有机材料进行灰化，形成灰化残留物；以及去除所述灰化残留物。进一步地，对所述有机材料进行灰化的过程包括:在80?300°C下，向所述有机材料通入流量为800?lOOOsccm的所述灰化气体，对所述有机材料进行加压，压力为600?650mT，其中，所述灰化气体包括氧气、氢气和氮气。进一步地，所述灰化气体包括体积为:氧气17% -45 %、氮气50% -80 %和3% -5%的氢1气。进一步地，所述制作方法中，去除所述有机材料的过程包括:利用含氢气体对所述有机材料进行软化处理；利用氧化性气体对所述有机材料进行灰化处理；以及去除所述灰化残留物。进一步地，所述含氢气体为联肼或氢气，所述含氢气体的流量为800?lOOOsccm ；所述氧化性气体包括氧气和氮气，所述氧气的流量为9000?9500sccm，氮气的流量为600?650sccm，所述氧化性气体的压力为600?650mT，温度为200?300°C，时间为40?50秒。进一步地，去除所述灰化残留物的过程包括:利用溶液对所述灰化残留物进行清洗，其中，所述溶液包括65?75wt%单乙醇胺、3?10￥七％对_甲苯磺酸、15?25界七％去离子水、0.5?5wt%没食子酸和1?3wt%苯并三唑。进一步地,所述溶液包括70wt%单乙醇胺、7*1:%对-甲苯磺酸、19.5wt%去离子水、1.5wt%没食子酸和lwt%苯并三唑。进一步地，所述衬底划分为存储单元区和外围电路区，所述制作方法在去除所述氧化层和所述有机材料之后还包括:在所述第一栅极单元和所述第二栅极单元沉积金属硅化物阻挡层的过程。进一步地，所述金属硅化物阻挡层的过程包括以下步骤:在所述存储单元区的源极区和漏极区沉积所述金属硅化物阻挡层；以及在所述外围电路区的栅极顶部、源极区和漏极区形成所述金属硅化物阻挡层。进一步地，所述第一栅极位于所述存储单元区，所述第二栅极位于所述外围电路区，所述第一隔离件的宽度小于所述第二隔离件的宽度。通过本申请，采用沉积有机材料保护存储单元的方法，解决了在存储单元上沉积的用于保护单元的物质难以去除的问题，进而达到了容易去除为保护存储单元而沉积的物质的效果。【附图说明】构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施方式及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中:图1示出了本申请一种优选实施方式所提供的流程图；图2示出了本申请另一种优选实施方式所提供的流程图；图3示出了本申请的一种实施方式中衬底的结构示意图，其中在该衬底上划分了存储单元区和外围电路区；图4示出了本申请在图3所示衬底上依次沉积隧穿氧化层、第一多晶硅层、0N0层、第二多晶硅层和氮化硅层后的剖面结构示意图；图5示出了对图4所示的存储单元区进行漏极轻掺杂并形成第一栅极后的剖面结构示意图；图6示出了在图5所示的存储单元区进行源漏离子注入形成源极区、漏极区和第一隔离件后的剖面结构示意图；图7示出了在图6所示的第一栅极单元上和外围电路区的氮化硅层上沉积有机材料层后的剖面结构示意图；图8示出了在图7所示的第一有机材料层上沉积第一氧化层后的剖面结构示意图；图9示出了去除图8所示的外围电路区的第一氧化层、第一有机材料层、氮化硅层和第二多晶硅层的剖面结构示意图；图10示出了对图9所示的外围电路区的氮化硅层、多晶硅掩模层和0Ν0层进行刻蚀，得到第二栅极后的剖面结构示意图；图11示出了在图10所示的外围电路区进行漏极轻掺杂并在第二栅极上形成第二隔离件后的剖面结构示意图；图12示出了对图11所示的外围电路区进行源漏离子注入并去除存储单元区的第一有机材料层后的剖面结构示意图；以及图13示出了对图12所示的存储单元的第一源极区和第一漏极区以及外围电路区的第二栅极、第二源极区和第二漏极区沉积金属硅化物阻挡层后的剖面结构示意图。附图标记:衬底300，隧穿氧化层301，第一多晶硅层302，0Ν0层303，第二多晶硅层304和氮化石圭层305,第一氧化层306,第一有机材料层307,金属娃化物阻挡层308,第一栅极单兀100，第一栅极101，第一隔离件102，第一源极区103，第一漏极区当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存的制作方法，所述闪存包括第一栅极单元和第二栅极单元，所述第一栅极单元包括第一栅极、第一隔离件、第一源极区和第一漏极区，所述第二栅极单元包括第二栅极、第二隔离件、第二源极区和第二漏极区，所述制作方法包括所述第一栅极单元的制作过程和所述第二栅极单元的制作过程，其特征在于，在进行所述第一栅极单元的制作过程时，利用有机材料保护已经制作完成的所述第二栅极或第二栅极单元；或者在进行所述第二栅极单元的制作过程时，利用有机材料保护已经制作完成的所述第一栅极或第一栅极单元

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨芸，李绍彬，仇圣棻，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31