本发明专利技术属于废水净化处理方法领域，特别涉及含有机硅废水的净化处理方法。本发明专利技术所要解决的技术问题是提供一种成本较低的含有机硅废水的净化处理方法。本发明专利技术含有机硅废水的净化处理方法为含有机硅废水依次经过厌氧反应、好氧反应、絮凝沉淀、二次厌氧反应、二次好氧反应和二次絮凝沉淀处理。本发明专利技术通过两级生化+两级徐凝沉淀处理工艺，降低对高浓度、毒性大、含盐量高等难降解废水的处理费用，降低企业成本。运用本工艺能够将含有机硅的废水COD直接处理到50mg/L以下，符合国家污水综合排放标准。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于废水净化处理方法领域，特别设及含有机娃废水的净化处理方法。
技术介绍
有机娃生产工艺决定了其废水中有机污染物成分复杂，主要成分聚硅氧烷既有有 机物的性质又有无机物的特性，为难生化降解的有机物质，直接生物处理难W达到处理要 求。传统的生化处理工艺对有机娃废水几乎没有处理效果，国内外多采用物理化学法（如 化nton试剂法、高压电晕+臭氧联用法）进行处理，该处理方式成本高，且难直接达标排放。 目前国内出现了前端预处理+生化法处理有机娃废水的试验研究（如：微电解+高效微生 物处理法），该法提高了有机娃废水的可生化性，能有效降低废水CODcr，但仍无法达到国 家污水综合排放标准（GB8978-1996) -级排放标准，对其生产废水的深度处理没有进行彻 底的研究，有机娃废水的处理达标仍是世界性难题。 专利CN102001800A提供了一种含有机娃废水的净化处理方法，该处理方法为含 有机娃废水依次经过厌氧反应、好氧反应、混凝沉淀、臭氧氧化、二次好氧反应、二次混凝沉 淀和二次臭氧氧化处理。但臭氧氧化处理的操作费用高且会导致有机娃化合物的损失。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术所要解决的技术问题是提供成本较低且操作简单的一种含 有机娃废水的净化处理方法。 阳〇化]本专利技术含有机娃废水的净化处理方法为含有机娃废水依次经过厌氧反应、好氧反 应、絮凝沉淀、二次厌氧反应、二次好氧反应和二次絮凝沉淀处理。所述厌氧反应是密闭条 件下进行，培养驯化厌氧菌，在厌氧条件下由多种（厌氧或兼性）微生物的共同作用，使有 机物分解并产生消解气（CH4和C0 2)，消解气从废水中排出。厌氧过程一般划分为Ξ个连续 的阶段，即水解酸化阶段、产氨产乙酸阶段和产甲烧阶段，相应的将厌氧发酵微生物分为发 酵细菌群、产氨产乙酸菌群、产甲烧菌群。所述厌氧反应废水流量1~1(K)LA，D0值（水中 溶解氧）控制在〇.〇1~1〇111旨/1。血^55如大于50%时可适当排泥，加氨氧化钢或硫酸稀溶 液调节；抑控制在7~7. 5之间。 所述好氧反应采用生物膜方式，废水中生成好氧活性污泥。具体为废水经过好氧 培养驯化后，由供气阀口控制调节使废水DO值在0. 01~40mg/l，优选为4~lOmg/l，生化 柱水溫为12~35°C，停留时间控制为10~100小时，优选为15~30小时。 所述絮凝沉淀过程为：将好氧反应后的废水中加入絮凝剂和助凝剂并揽拌，静置 后泥水分离得到沉降絮体和上层清液，使得废水中仍没有去除的、并能形成可沉降絮体的 污染物质、金属阳离子（化 2\化2+，其沉淀效果最好在碱性环境）和没有隔除彻底的少量的 硅油在絮凝剂的作用下得W去除，同时充分利用滤下废水呈碱性的特点，既减少额外投加 碱，又避免了因投加药剂而增加系统的废水量，从而降低了物化处理运行成本。 所述絮凝剂为聚合Ξ氧化侣、聚合硫酸铁和聚合硫酸侣中任意一种或至少两种的 组合，所述组合典型但非限制性实例有：聚合Ξ氧化侣和聚合硫酸铁的组合，聚合硫酸铁和 聚合硫酸侣的组合，聚合Ξ氧化侣、聚合硫酸铁和聚合硫酸侣的组合等。 所述絮凝剂的加入量为100~200mg/L滤液，例如100mg/l、110mg/l、120mg/l、 130mg/L、140mg/L、150mg/L、160mg/L、170mg/L、180mg/L、190mg/L或 200mg/L等。 所述助凝剂为聚丙締酷胺和/或骨胶，例如聚丙締酷胺、骨胶或聚丙締酷胺和骨 胶的组合物。 |；0011] 所述助凝剂的加入量为0. 5~3mg/L滤液，例如0. 5mg/L、Img/L、1. 5mg/L、2mg/L、 2. 5mg/L或 3mg/L等。 所述二次厌氧反应为：絮凝沉淀的上层清液进行厌氧反应，其反应条件同厌氧反 应相同，二次厌氧反应废水流量1~10化A，控制DO值0. 01~lOmg/l，二次厌氧反应溶液 MLSS大于50 %时排泥，调节溶液抑为7~7. 5。所述二次好氧反应为生物膜和生物滤池 结合的方式，废水中生成好氧活性污泥。采用陶瓷或活性炭作为生物滤池和生物膜的载体， 菌种经过好氧培养驯化后，电磁空气累鼓风，由供气阀口控制调节，使废水DO值在0. 01~ 40mg/L，优选为5~20mg/l，生化柱水溫为12~35°C，停留时间控制10~100小时，优选 为15~30小时。 二次絮凝沉淀处理的步骤与絮凝沉淀相同，得到的上层清液经检测水质达标后排 放。本专利技术方法适用于CODcr《3500mg/L氯离子浓度《4000mg/L的含有机娃废水。 本专利技术通过两级生化+絮凝沉淀处理工艺，降低对高浓度、毒性大、含盐量高等难 降解废水的处理费用，降低企业成本。利用本专利技术方法处理有机娃废水，高效，节能，成本 低，并可回收盐类等有用资源，对废物进行无害化处理。运用本工艺将含有机娃的废水COD 直接处理到50mg/LW下，符合国家污水综合排放标准（GB8978-1996) -级排放标准。【具体实施方式】 本专利技术将含有机娃废水引入厌氧反应池后，在厌氧菌的作用下，经过水解发酵、产 氨产酸、产甲烧Ξ个阶段后，废水CODcr有较大幅度降低。废水经厌氧后，引入好氧反应池， 采用生物膜法，电磁空气累鼓风，得到的废水经絮凝沉淀后将上清液引入二次厌氧反应池 后，引入二次好氧反应池，该好氧池采用生物滤池和生物膜相结合的方式进行好氧处理，废 水静置沉淀，将上清液进行二次絮凝沉淀后，废水达标后排放。 实施例1 厌氧反应池，引入含有机娃废水（氯离子浓度《4000mg/l，C0Dcr《3200mg/l，pH 控制在5~7. 5之间），进液的流量控制约15LA。厌氧反应池中废水DO值应<lOmg/l，如 过高时应检查原因。MLSS如高至50%时可适当排泥，然后加氨氧化钢或硫酸稀溶液调节使 抑控制在7~7. 5之间；停留时间20~24小时。 好氧反应池：采用生物膜法，用丝状纤维组成的纤维束作为软性填料，经过好氧培 养驯化后，当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
含有机硅废水的净化处理方法，其特征在于：含有机硅废水依次经过厌氧反应、好氧反应、絮凝沉淀、二次厌氧反应、二次好氧反应和二次絮凝沉淀处理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐德生，
申请(专利权)人：无锡市嘉邦电力管道厂，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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