一种LTPS阵列基板以及液晶显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种LTPS阵列基板及液晶显示面板，其中，该LTPS阵列基板包括：第一公共电极层；钝化层，其形成在第一公共电极层上，钝化层中形成有第一过孔；像素电极层，其形成在钝化层上；第二公共电极层，其形成在钝化层上并处于像素电极层中两个相邻子像素的像素电极之间，且与像素电极层保持电隔离，第二公共电极层通过第一过孔与第一公共电极层电连接。该阵列基板能够使得相邻子像素边缘区域处的电场强度得到明显加强，进而提高了该区域处的穿透率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，具体地说，涉及一种LTPS阵列基板以及液晶显示面板。
技术介绍
低温多晶娃(Low Temperature Poly-Silicon，简称为LTPS)薄膜晶体管液晶显示器(即LTPS-TFT IXD)有别与传统的非晶硅薄膜晶体管液晶显示器，其具有分辨率高、反应速度快、亮度高以及开口率高等优点，因此，LTPS-TFT IXD得到了越来越广泛的应用。然而，现有LTPS-TFT IXD的阵列基板存在相邻子像素边缘位置处的穿透率明显低于其他位置处的穿透率的问题，这影响了液晶显示面板的显示效果。基于上述情况，亟需一种能够保证相邻子像素边缘位置处的穿透率的LTPS阵列基板。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是为了调高LTPS阵列基板中相邻子像素边缘位置处的穿透率。为解决上述问题，本专利技术的一个实施例首先提供了一种LTPS阵列基板，其包括:第一公共电极层；钝化层，其形成在所述第一公共电极层上，所述钝化层中形成有第一过孔；像素电极层，其形成在所述钝化层上；第二公共电极层，其形成在所述钝化层上并处于所述像素电极层中两个相邻子像素的像素电极之间，且与所述像素电极层保持电隔离，所述第二公共电极层通过所述第一过孔与所述第一公共电极层电连接。根据本专利技术的一个实施例，在所述阵列基板的数据线位置处，所述阵列基板还包括:透光基板；第一材料层，其形成在所述透光基板上；数据线，其形成在所述第一材料层上；平坦层，其形成在所述数据线和第一材料层上；其中，所述第一公共电极层形成在所述平坦层上。根据本专利技术的一个实施例，所述第二公共电极层形成在所述数据线的正上方。根据本专利技术的一个实施例，所述第一材料层包括:遮光层，其形成在所述透光基板上；第一绝缘层，其形成在所述透光基板和遮光层上。根据本专利技术的一个实施例，所述数据线形成在所述第一绝缘层上并处于所述遮光层的正上方。根据本专利技术的一个实施例，在所述阵列基板的TFT开关位置处，所述阵列基板还包括:透光基板；遮光层，其形成在所述透光基板上；第二绝缘层，其形成在所述遮光层和透光基板上；多晶硅层，其形成在所述第二绝缘层上并处于所述遮光层的正上方；第三绝缘层，其形成在所述多晶硅层和第二绝缘层上；栅极层，其形成在所述第三绝缘层上并处于所述遮光层的正上方；第四绝缘层，其形成在所述栅极层和第三绝缘层上；源漏层，其形成在所述第四绝缘层上，所述源漏层通过形成在所述第三绝缘层和第四绝缘层中的第二过孔与所述多晶硅层电连接；平坦层，其形成在所述源漏层和第四绝缘层上； 其中，所述第一公共电极层形成在所述平坦层上。根据本专利技术的一个实施例，所述第二公共电极层通过所述第一过孔与所述两个相邻子像素中第一子像素的公共电极电连接。根据本专利技术的一个实施例，所述两个相邻子像素中第二子像素的像素电极通过形成在所述钝化层和平坦层中的第三过孔与所述源漏层电连接。根据本专利技术的一个实施例，所述第二公共电极层与所述像素电极层处于同一水平面上。本专利技术还提供了一种液晶显示面板，其包括:如上任一项所述的LTPS阵列基板；彩色滤光板；以及，设置在所述LTPS阵列基板与彩色滤光板之间的液晶层。本专利技术所提供的阵列基板在相邻的像素电极位置处，通过过孔将公共电极桥接出来，桥接出的公共电极与像素电极处于同一水平面，从而使得该区域处的电场强度得到明显加强，进而提高了该区域出的穿透率。同时，对于单个子像素来说，其整体穿透率也会提尚ο此外，在相邻子像素的边缘区域中，由于公共的电极与像素电极处于同一层别，因而不存在材料层数目增加的问题。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要的附图做简单的介绍:图1是现有的LTPS液晶显不面板TFT开关处的结构不意图；图2是现有的LTPS液晶显示面板数据线处的结构示意图；图3是现有的LTPS液晶显示面板中子像素的平面结构图；图4是根据本专利技术一个实施例的LTPS液晶显不面板TFT开关处的结构不意图；图5是根据本专利技术一个实施例的LTPS液晶显示面板数据线处的结构示意图；图6是根据本专利技术一个实施例的LTPS液晶显示面板中子像素的平面结构图；图7是本专利技术所提供的LTPS液晶显示面板与现有的LTPS液晶显示面板的穿透率对比图。【具体实施方式】以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。同时，在以下说明中，出于解释的目的而阐述了许多具体细节，以提供对本专利技术实施例的彻底理解。然而，对本领域的技术人员来说显而易见的是，本专利技术可以不用这里的具体细节或者所描述的特定方式来实施。图1示出了现有的LTPS液晶显示面板TFT开关处的结构示意图。从图1中可以看出，在TFT开关处，现有的LTPS液晶显示面板包括:阵列基板101、彩色滤光板102以及填充在阵列基板101与彩色滤光板102之间的液晶层103。其中，彩色滤光板102包括:透光基板201、黑矩阵202、色阻层203、平坦层204以及膜柱205。其中，黑矩阵202形成在透光基板201上，色阻层203覆盖在黑矩阵202和透光基板201上。黑矩阵202位于色阻层203中两个相邻的亚像素单元的交界位置处。平坦层204形成在色阻层203上，膜柱205形成在平坦层204。本实施例中，膜柱205包括主膜柱和辅膜柱，其用于在液晶显示面板装配时支撑彩色滤光板102。在阵列基板101的TFT开关处，遮光层302形成在透光基板301上，第二绝缘层303形成在遮光层302以及透光基板301上并覆盖遮光层302和透光基板301。主动层(即多晶硅层)304形成在第二绝缘层303上并处于遮光层302的正上方。第三绝缘层305形成在主动层304和第二绝缘层303上并覆盖主动层304和第二绝缘层303。栅极层306形成在第三绝缘层305上并处于多晶硅层304正上方，这样第三绝缘层305便实现了栅极层306与多晶硅层304之间的电隔离。第四绝缘层307形成在栅极层306和第三绝缘层305上，而源漏层(即SD层)308则形成在第四绝缘层307上。其中，第三绝缘层305和第四绝缘层307中形成有第二过孔，源漏层308通过第二过孔而与多晶硅层304实现电连接。平坦层309形成在第四绝缘层307以及源漏层308上，公共电极层310形成在平坦层309上。从图1中可以看出，对于相邻的两个子像素来说，公共电极层310中的公共电极分别对应于这两个子像素，并且这两个公共电极之间存在一定间隔。钝化层311形成在公共电极层310上。由于在阵列基板101的TFT开关位置处，公共电极层310并未完全覆盖平坦层309，因此如图1所示，钝化层311同样覆盖了部分平坦层309。像素电极层312形成在钝化层311上，像素电极层312通过形成在钝化层311以及平坦本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LTPS阵列基板，其特征在于，包括：第一公共电极层；钝化层，其形成在所述第一公共电极层上，所述钝化层中形成有第一过孔；像素电极层，其形成在所述钝化层上；第二公共电极层，其形成在所述钝化层上并处于所述像素电极层中两个相邻子像素的像素电极之间，且与所述像素电极层保持电隔离，所述第二公共电极层通过所述第一过孔与所述第一公共电极层电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李亚锋，林建宏，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44