研磨垫及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种研磨垫，所述研磨垫是含有在研磨布基体含浸聚氨酯树脂及碳化硅而成的含树脂研磨布的研磨垫，所述碳化硅的粒径在0.2μm至3.0μm的范围内，而且在含树脂研磨布中，相对于研磨布基体100质量份是含有60质量份至500质量份的范围内的所述碳化硅。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。尤其是涉及一种硅晶片内面研磨用的研磨 垫及其制造方法。
技术介绍
制造半导体装置时，必须进行薄化至100微米以下的薄化加工、应力消除（应力消 除是指去除因研磨而在晶片研磨面所产生的伤害），同时，必需形成吸杂层（吸杂是指从环 境中捕捉污染金属离子）。 以往，吸杂层是通过使用固定磨粒型研磨垫或研磨石的干式研磨形成。例如，专利 文献1揭示有通过使用固定磨粒研磨半导体晶片内面，而形成成为金属杂质的吸杂位置的 应变层。而且，专利文献2揭示有利用将粒径4μm以下的钻石磨粒以结合材固定而成的研 磨石研磨半导体装置内面而进行吸杂加工的方法。专利文献3揭示有利用分散有平均粒径 为5μπι以下的磨粒的研磨构件研磨晶片内面而适宜赋予吸杂层的加工方法。 但是，专利文献1至专利文献3中所使用的研磨石等皆不使用衆液而研磨半导体 晶片（干式研磨），故通过这些干式研磨而形成吸杂层时，有研磨时产生粉尘的缺点。而 且，使用专利文献3的研磨构件时，在形成吸杂的前步骤必须进行研磨或蚀刻并进行薄化 加工、应力消除，在作业效率或成本上存在问题。 另一方面，作为并非干式研磨法使用而是湿式研磨法所使用的研磨垫，例如专利 文献4揭示有在发泡聚氨酯中含有磨粒与碱性粒子的研磨垫。所述研磨垫是使用纯水作为 研磨液而在晶片内面形成吸杂层。 但是，专利文献4所述的研磨垫是由发泡聚氨酯所构成的研磨垫，具有独立气泡， 因此有因研磨肩等而容易引起阻塞的问题。而且，发泡聚氨酯所使用的树脂硬度高，故有经 薄化晶片容易破裂的缺点。 日本特开2005-72150号公报 日本特开2005-317846号公报 日本特开2007-242902号公报 日本特开2010-225987号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题 本专利技术是鉴于现有技术的上述问题点而研究者，目的为提供一种可进行硅晶片内 面的研磨（薄化加工、应力消除）与吸杂层的形成的研磨垫。 解决问题的技术手段 本专利技术者等人等针对上述课题，尤其对于利用研磨布的研磨垫精心研究，结果发 现，在含有在研磨布基体含浸树脂与碳化硅而成的含树脂研磨布的研磨垫中，通过使用特 定粒径的碳化硅，可获得可对硅晶片内面进行薄化加工、应力消除，并可形成吸杂层的研磨 垫，从而完成本专利技术。 亦即，本专利技术提供以下项目。 〈1> 一种研磨垫，其是含有在研磨布基体含浸聚氨酯树脂及碳化硅而成的含树脂 研磨布的研磨垫， 所述碳化硅的粒径（以下，在此所述的粒径是指中位径）在0. 2μm至3. 0μm的 范围内，而且 在含树脂研磨布中，相对于研磨布基体100质量份是含有60质量份至500质量份 的范围内的所述碳化硅。 〈2>根据上述〈1>所述的研磨垫，其是用以对半导体晶片内面进行湿式研磨的研 磨垫。 〈3>根据上述〈1>或〈2>所述的研磨垫，其中，在含树脂研磨布中，相对于研磨布基 体100质量份是含有10质量份至500质量份的范围内的聚氨酯树脂。 〈4>根据上述〈1>至〈3>中任一项所述的研磨垫，其中，研磨布基体为无纺布。 〈5>根据上述〈1>至〈4>中任一项所述的研磨垫，其中，含树脂研磨布中，在与研磨 面相反侧的面贴合有缓冲层。 〈6> -种研磨垫的制造方法，是制造上述〈1>至〈5>中任一项所述的研磨垫的方 法，包括： 调制含有聚氨酯树脂及碳化硅的聚氨酯树脂溶液的步骤； 在研磨布基体含浸聚氨酯树脂溶液的步骤；及 将含浸有聚氨酯树脂溶液的研磨布基体浸渍于凝固液，使聚氨酯树脂凝固的步 骤。 专利技术的效果 根据本专利技术可提供可研磨硅晶片内面与形成吸杂层的研磨垫。【具体实施方式】 《研磨垫》 本专利技术的研磨垫是含有在研磨布基体含浸聚氨酯树脂及碳化硅（SiC)而成的含 树脂研磨布（以下有时候称为研磨层）的研磨垫，其特征为：所述碳化硅的粒径在〇. 2μπι 至3. 0μπι的范围，且在含树脂研磨布中，相对于研磨布基体100质量份，含有60质量份至 500质量份的范围内的所述碳化娃。 (粒径） 本说明书及权利要求中，碳化硅的"粒径"表示中位径。 本专利技术的研磨垫所使用的碳化娃是粒径在0·2μηι至3·0μηι的范围。碳化娃的粒 径优选为〇· 25μm至1. 5μm，更优选为0· 3μm至1. 0μm，进而更优选为0· 3μm至0· 8μm。 若碳化硅的粒径在上述范围内，则能够不对晶片造成伤害而形成硅晶格的缺陷， 可形成充分具有吸杂性能的吸杂层。 (调配比） 本专利技术的研磨垫，在含树脂研磨布中，相对于研磨布基体100质量份而含有60质 量份至500质量份的范围内的碳化娃。关于碳化娃，相对于研磨布基体100质量份优选为 在60质量份至500质量份的范围内含有，更优选为在80质量份至400质量份的范围内含 有，进而更优选为在90质量份至350质量份的范围内含有。 若碳化硅的质量比在上述范围内，则可以充分的密度形成硅晶格的缺陷，可形成 具有吸杂性能的吸杂层。 关于本专利技术的研磨垫，在含树脂研磨布中，相对于研磨布基体100质量份优选为 在10质量份至500质量份的范围内含有聚氨酯树脂，更优选为在30质量份至300质量份 的范围内含有，进而更优选为在80质量份至250质量份的范围内含有。 若聚氨酯树脂的质量比在上述范围内，则碳化硅、纤维被树脂包埋，在研磨加工中 脱落少，可获得良好的研磨状态。(研磨布基体） 制造本专利技术研磨垫所使用的研磨布基体，可举出无纺布、织物、编织物等。以容易 调整物性的观点来看优选为无纺布。 无纺布并无特别限定，只要为天然纤维（包括改质纤维）、合成纤维等所制造的无 纺布即可。例如可使用聚酯纤维、聚酰胺纤维、丙烯酸系纤维、维纶（vinylon)等合成纤维； 绵、麻等天然纤维；人造丝（rayon)、三醋酸酯等再生纤维素纤维，若考虑防止在制造步骤 中因为吸收N，N-二甲基甲酰胺（DMF)等有机溶媒或水等清洗液而使原料纤维膨润，或是考 虑原料纤维的均一性、量产性，优选为使用不具有吸水（液）性的聚酯纤维等合成纤维。 而且，树脂纤维的纤度优选为0.Id至50d(旦，denier)，更优选为Id至20d。树 脂纤维的纤维长度优选为20mm至100mm，更优选为30mm至80mm。 研磨布基体的密度优选为0· 05g/cm3至0· 30g/cm3的范围，更优选为0·lg/cm3至 0. 25g/cm3的范围。若研磨布基体的密度在上述范围内，则聚氨酯树脂容易附着于纤维，纤 维成分对于研磨特性所造成的不良影响较少。(聚氨酯树脂） 成为本专利技术的研磨垫的材料的聚氨酯树脂的种类并无特别限制，可根据使用目的 而从各种聚氨酯树脂中选择。例如可使用聚酯系、聚醚系、或聚碳酸酯系树脂的一种或两种 以上。 聚酯系树脂，可举出乙二醇或丁二醇等与己二酸等的聚酯多元醇、与二苯基甲 烷_4,4'-二异氰酸酯等二异氰酸酯的聚合物。聚醚系树脂，可举出聚四亚甲基醚二醇或 聚丙二醇等聚醚多元醇与二苯基甲烷_4,4'-二异氰酸酯等异氰酸酯的聚合物。聚碳酸酯 系树脂，可举出聚碳酸酯多元醇与二苯基甲烷_4,4'-二异氰酸酯等异氰酸酯的聚合物。 这些树脂可使用迪爱生（DIC)股份有限公司制商品名"库里思凡（C本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨垫，其是含有在研磨布基体含浸聚氨酯树脂及碳化硅而成的含树脂研磨布的研磨垫，所述碳化硅的粒径在0.2μm至3.0μm的范围内，而且在含树脂研磨布中，相对于研磨布基体100质量份是含有60质量份至500质量份的范围内的所述碳化硅。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：柏田太志，小池坚一，徳重伸，
申请(专利权)人：富士纺控股株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP