一种硅原材料的清洗方法技术

本发明专利技术涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅原材料的清洗方法。(1)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为：硅片清洗剂38-40％、余量为纯水；(2)高压水枪冲洗9-15分钟；(3)超声清洗；超声清洗温度为31-33℃，时间为25-30分钟。本发明专利技术采用低碱洗液擦拭、高压水枪冲洗、超声清洗来实现硅原材料的全面清洗，避免使用强碱强酸化学腐蚀工艺带来的设备危害和环境污染，并且方法简单，易操作，清洗效果好，清洗合格率在99％以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及。
技术介绍
单晶硅片是制备太阳能电池的一种基础原料。太阳能行业用的单晶硅片，通常采用拉制法生产，制备好的单晶硅棒，然后经过截断、磨边、切片加工而成。为了拉制单晶硅棒，需要对多晶硅原材料(简称硅原材料)进行去污去杂处理清洗。其清洗质量优劣与单晶硅棒的质量相关，若单晶原料中残留杂质过多会造成单晶硅棒拉制时产生断棱等问题的出现。清洗多晶硅料，通常选择强酸或强碱作为清洗剂来去除硅原材料表面杂质。虽然清洗效果比较好，但是强酸强碱会对设备造成损害，对硅片表面形成腐蚀，清洗合格率低，并且强碱强酸化学腐蚀工艺的废水排放给环境造成很大的负担，不符合环境保护与节能减排的政策方针。
技术实现思路
本专利技术提供，采用低碱洗液擦拭、高压水枪冲洗、超声清洗来实现硅原材料的全面清洗，避免使用强碱强酸化学腐蚀工艺带来的设备危害和环境污染，并且方法简单，易操作，清洗效果好。本专利技术的技术方案为:，包括下述步骤:(I)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为:硅片清洗剂38-40%、余量为纯水；(2)高压水枪冲洗9-15分钟；(3)超声清洗；超声清洗温度为31-33°C，时间为25-30分钟。优选方案如下:高压水枪的压力为8_12Kg。步骤(3)中超声清洗米用底震、前震和后震式二面超声清洗机。硅片清洗剂型号为MT-480。硅片清洗剂一般由碱、螯合物和表面活性剂等组成，将硅片清洗液稀释后使用，洗液属于低碱性，不会对硅片表面造成损伤。采用洗液对硅原材料表面擦拭的方法能去除表面残留的如:切割过程中的切削液、硅液等，利用高压水枪冲洗表面残留的杂质，利用超声清洗来去除残留在硅料缝隙内的杂质。采用上述技术方案所产生的有益效果在于:本专利技术采用低碱洗液擦拭、高压水枪冲洗、超声清洗来实现硅原材料的全面清洗，避免使用强碱强酸化学腐蚀工艺带来的设备危害和环境污染，并且方法简单，易操作，清洗效果好，清洗合格率在99%以上。【具体实施方式】下面对本实施例做进一步详细描述，但本专利技术并不局限于具体的实施例。实施例1:，包括下述步骤:(I)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为:硅片清洗剂38%、余量为纯水；(2)高压水枪冲洗15分钟；(3)超声清洗；超声清洗温度为31°C，时间为30分钟。高压水枪的压力为8Kg。步骤(3)中超声清洗米用底震、前震和后震式二面超声清洗机。硅片清洗剂型号为MT-480。实施例2:，包括下述步骤:(I)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为:硅片清洗剂40%、余量为纯水；(2)高压水枪冲洗9分钟；(3)超声清洗；超声清洗温度为33°C，时间为25分钟。高压水枪的压力为12Kg。步骤(3)中超声清洗米用底震、前震和后震式二面超声清洗机。硅片清洗剂型号为MT-480。硅片清洗剂一般由碱、螯合物和表面活性剂等组成，将硅片清洗液稀释后使用，洗液属于低碱性，不会对硅片表面造成损伤。采用洗液对硅原材料表面擦拭的方法能去除表面残留的如:切割过程中的切削液、硅液等，利用高压水枪冲洗表面残留的杂质，利用超声清洗来去除残留在硅料缝隙内的杂质。采用上述技术方案所产生的有益效果在于:本专利技术采用低碱洗液擦拭、高压水枪冲洗、超声清洗来实现硅原材料的全面清洗，避免使用强碱强酸化学腐蚀工艺带来的设备危害和环境污染，并且方法简单，易操作，清洗效果好，清洗合格率在99%以上。【主权项】1.一种娃原材料的清洗方法，其特征在于包括下述步骤: (1)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为:硅片清洗剂38-40%、余量为纯水； (2)高压水枪冲洗9-15分钟； (3)超声清洗；超声清洗温度为31-33°C，时间为25-30分钟。2.根据权利要求1所述的，其特征在于所述高压水枪的压力为 8-12Kg。3.根据权利要求1所述的，其特征在于所述步骤(3)中超声清洗采用底震、前震和后震式三面超声清洗机。4.根据权利要求1所述的，其特征在于所述硅片清洗剂型号为 MT-480。【专利摘要】本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及。(1)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为：硅片清洗剂38-40％、余量为纯水；(2)高压水枪冲洗9-15分钟；(3)超声清洗；超声清洗温度为31-33℃，时间为25-30分钟。本专利技术采用低碱洗液擦拭、高压水枪冲洗、超声清洗来实现硅原材料的全面清洗，避免使用强碱强酸化学腐蚀工艺带来的设备危害和环境污染，并且方法简单，易操作，清洗效果好，清洗合格率在99％以上。【IPC分类】B08B3/12, B08B3/08, B08B3/02【公开号】CN105344641【申请号】CN201510822086【专利技术人】王晓伟 【申请人】王晓伟【公开日】2016年2月24日【申请日】2015年11月24日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅原材料的清洗方法，其特征在于包括下述步骤：(1)采用洗液对硅原材料表面进行擦拭；所述洗液的重量组成为：硅片清洗剂38‑40％、余量为纯水；(2)高压水枪冲洗9‑15分钟；(3)超声清洗；超声清洗温度为31‑33℃，时间为25‑30分钟。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓伟，
申请(专利权)人：王晓伟，
类型：发明
国别省市：山东;37