本实用新型专利技术提供一种半导体器件，其目的在于确保半导体器件的安装强度，并且实现安装面积的缩小化。功率晶体管(5)具有芯片搭载部、半导体芯片、多个引线(1)和封固体(3)。多个引线(1)的各自的外引线部(1b)具有从封固体(3)的第二侧面(3d)沿第一方向(1bh)突出的第一部分(1be)、沿与第一部分(1be)交叉的第二方向(1bi)延伸的第二部分(1bf)、和沿与第二方向(1bi)交叉的第三方向(1bj)延伸的第三部分(1bg)。而且，外引线部(1b)的沿着第三方向(1bj)的第三部分(1bg)的长度(AL2)比沿着第一方向(1bh)的第一部分(1be)的长度(AL1)短。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件，例如涉及适用于包含从封固半导体芯片的封固体的侧面突出的引线在内的半导体器件的有效的技术。
技术介绍
在树脂封固型的半导体器件(封装)中，近年来，要求封装的安装面积缩小。这里，在具有封固半导体芯片的封固树脂层的半导体器件中，例如日本特开平5-36863号公报(专利文献1)公开了从封固树脂层的侧面突出的外引线弯折的构造、及向基板的焊料安装构造。另外，在具有封固体的半导体元件中，例如日本特开平5-21683号公报(专利文献2)公开了从封固体突出的引线弯折的构造、及向基板的焊料焊接构造。另外，在树脂封固型的半导体器件中，例如日本特开2013-183054号公报(专利文献3)公开了在封固体的四边上分别配置有引线的QFP(Quad Flat Package:方型扁平式封装)构造。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平5-36863号公报专利文献2:日本特开平5-21683号公报专利文献3:日本特开2013-183054号公报在上述半导体器件中，为应对窄节距化和安装面积的缩小化，考虑缩短引线长度，但若缩短引线长度，则引线向安装基板的焊料焊接面积减小，因此担心导致安装强度降低。也就是说，若引线长度变短，则难以确保安装强度。
技术实现思路
因此，本专利技术人研究的是能够利用缩短了引线长度的半导体器件构造来确保安装强度的技术。其他的课题和新的特征从本说明书的说明及附图而变明确。—实施方式的半导体器件具有芯片搭载部、半导体芯片、引线和封固体，上述芯片搭载部的其他部分从上述封固体的第一侧面突出。而且，上述引线的外引线部具有从上述封固体的第二侧面沿第一方向突出的第一部分、沿与上述第一方向交叉的第二方向延伸的第二部分、和沿与上述第二方向交叉的第三方向延伸的第三部分，沿着上述第三方向的上述第三部分的长度比沿着上述第一方向的上述第一部分的长度短。另外，一实施方式的半导体器件具有芯片搭载部、半导体芯片、引线和封固体，上述芯片搭载部的其他部分从上述封固体的第一侧面突出，上述引线的外引线部具有第一部分、第二部分和第三部分。而且，上述外引线部的上述第一部分具有与上述封固体的第二侧面相连的第一前端面，上述外引线部的上述第二部分位于上述第一部分和上述第三部分之间，上述第三部分具有位于上述第一前端面相反侧的第二前端面。另外，从第一交叉部到第二交叉部为止的长度比从第三交叉部到第四交叉部为止的长度更长，上述第一交叉部是上述第一部分的第一假想线与上述第一前端面的交叉部，上述第二交叉部是上述第一部分的上述第一假想线的延长线与上述第二部分的第二假想线的延长线的交叉部，上述第三交叉部是上述第三部分的第三假想线的延长线与上述第二部分的上述第二假想线的延长线的交叉部，上述第四交叉部是上述第三部分的上述第三假想线与上述第二前端面的交叉部。而且，上述第一假想线是穿过上述第一部分的厚度方向上的中心、且与上述第一部分的表面平行地延伸的线，上述第二假想线是穿过上述第二部分的厚度方向上的中心、且沿与上述第二部分的表面平行地延伸的线，上述第三假想线是穿过上述第三部分的厚度方向上的中心、且与上述第三部分的表面平行地延伸的线。技术的效果根据上述一实施方式，能够确保半导体器件的安装强度，并且实现安装面积的缩小化。【附图说明】图1是表示实施方式的半导体器件的构造的一例的俯视图。图2是从图1所示的A方向观察的向视图。图3是表示图1所示的半导体器件的背面侧的构造的一例的后视图。图4是透视地表示图1所示的半导体器件的内部构造的透视俯视图。图5是表示沿图4的A-A线截断的构造的一例的剖视图。图6是表示沿图4的B-B线截断的构造的一例的剖视图及局部放大剖视图。图7是表示实施方式的半导体器件的引线形状的定义的示意图。图8是表示实施方式的半导体器件的引线形状的另一种定义的示意图。图9是表示安装实施方式的半导体器件的安装基板中的焊区(land)图案的一例的俯视图。图10是表示将实施方式的半导体器件搭载在图9所示的焊区图案上的构造的一例的俯视图。图11是表示图10的安装构造的一例的侧视图。图12是表示实施方式的半导体器件的引线形状与比较例的半导体器件的引线形状的比较图。图13是在实施方式的半导体器件和比较例的半导体器件中表示各尺寸的一例的外观比较图。图14是表示图13所示的各尺寸的一例的数据图。图15是实施方式的半导体器件和比较例的半导体器件中的引线的长高比的比较图。图16是表示基于实施方式的半导体器件与比较例的比较的效果的比较图。图17是表示实施方式的半导体器件中的安装强度的测试方法的一例的测试条件图。图18是表示实施方式的半导体器件和比较例的半导体器件中的安装强度的测试结果的数据图。图19是表示实施方式的半导体器件的组装顺序的一例的流程图。图20是表示实施方式的半导体器件的组装中的主要工序的一例的俯视图。图21是表示实施方式的半导体器件的组装中的主要工序的一例的俯视图。图22是表示实施方式的半导体器件的组装中的主要工序的一例的俯视图及侧视图。图23是表示实施方式的半导体器件的组装中的主要工序的一例的俯视图。图24是表示实施方式的半导体器件的组装中的主要工序的一例的俯视图。图25是表示实施方式的半导体器件的组装中的主要工序的一例的俯视图及剖视图。图26是表示实施方式的半导体器件的组装的引线切断中第一次进行引线切断后的构造的局部剖视图。图27是表示实施方式的半导体器件的组装的引线切断中第二次进行引线切断后的构造的局部剖视图。图28是表示实施方式的机电一体模块的构造的一例的立体图。图29是表示图28的机电一体模块中的变频器部的内部构造的一例的俯视图。图30是表示图28的机电一体模块的电路结构的一例的电路块图。图31是表示实施方式的变形例的半导体器件的构造的俯视图。图32是表示沿图31的A-A线截断的构造的剖视图。附图标记说明1 引线la内引线部lb外引线部lbc第一弯曲部lbd第二弯曲部lbe 第一部分lbf 第二部分lbg第三部分lbh 第一方向lbi 第二方向lbj第三方向2半导体芯片(pellet)3封固体3a上表面(第三面)3b下表面(第四面)3d第二侧面4 导线5功率晶体管(半导体器件)【具体实施方式】在以下的实施方式中，除了特别需要以外，原则上不重复同一或同样部分的说明。而且，在以下的实施方式中，为了方便，必要时分成多个章节段落或实施方式进行说明，但除了特别明示的情况以外，它们并不是相互毫无关系的，而是一方为另一方的一部分或全部的变形例、详细情况、补充说明等的关系。另外，在以下的实施方式中，在提到要素的数等(包含个数、数值、量、范围等)的情况下，除了特别明示的情况及从原理上明确地被限定于特定数的情况等以外，不限于该特定数，既可以是特定数以上也可以是特定数以下。另外，在以下的实施方式中，除了特别明示的情况及从原理上明确是必须的情况等以外，其结构要素(还包含要素步骤等)不一定是必须的。另外，在以下的实施方式中，关于结构要素等，当提到“由A形成”、“通过A形成”、“具有A”、“包含A”时，除了特别明示了只是该要素的情况等以外，当然不排除除此以外的要素。同样地，在以下的实施方式中，当提到结构要素等的形状、位置关系等时，除了特别明示的情况及从原本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，具有：芯片搭载部，其具有第一面及与所述第一面相反侧的第二面；半导体芯片，其具有主面、形成在所述主面上的第一电极焊盘、与所述主面相反侧的背面及形成在所述背面上的第二电极焊盘，所述半导体芯片以使所述背面与所述芯片搭载部的所述第一面相对的方式通过芯片焊接材料搭载在所述芯片搭载部的所述第一面上；引线，其经由导电性部件与所述第一电极焊盘电连接；和封固体，其具有第三面、作为与所述第三面相反侧的面的第四面、在所述半导体芯片的厚度方向上位于所述第三面和所述第四面之间的第一侧面及作为与所述第一侧面相反侧的面的第二侧面，所述封固体以使所述芯片搭载部的所述第二面露出的方式封固所述半导体芯片、所述芯片搭载部的一部分和所述导电性部件，所述芯片搭载部的另一部分从所述封固体的所述第一侧面突出，所述引线具有被所述封固体覆盖的内引线部和从所述封固体露出的外引线部，所述引线的所述外引线部具有从所述封固体的所述第二侧面沿第一方向突出的第一部分、沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第二部分和沿与所述第二方向交叉的第三方向延伸的第三部分，沿所述第三方向的所述第三部分的长度比沿所述第一方向的所述第一部分的长度短。...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：田平幸德，小池信也，清原俊范，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：新型
国别省市：日本;JP
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