本案为一种制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，包括以下步骤：a.预处理：甩胶和前烘，在干净的滤光片基片上旋涂光刻胶，90℃-100℃烘烤10min以上；b.曝光：把预处理好的滤光片基片置于掩膜板下进行紫外曝光；c.显影和后烘；d.镀制纳米薄膜：在步骤c后的滤光片基片上镀制厚度0.1微米-10微米的纳米薄膜，形成纳米掩膜膜层；e.使用浓度为5％的NaOH溶液或丙酮去除光刻胶，留出需要镀膜的通道；f.在通道上镀制相应的滤光片膜层；g.去掉滤光片基片上的纳米薄膜，留下通道上的滤光片膜层；h.重复步骤a-g，直至完成集成多通道滤光片的制作。本案的方法可以提高集成多通道滤光片的良率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种新的镀膜掩膜工艺，特别是涉及一种适合制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法。
技术介绍
随着光学薄膜滤光片朝着尺寸减小和高度集成化发展，多通道集成滤光片阵列的通道更多、体积更小、集成度更高，其制作难度越来越高。对于集成度高的多通道集成滤光片，目前通常采用光刻胶作为掩膜。利用光刻胶作为掩膜的方法为，首先在基片上进行甩胶，然后通过曝光、显影，在基片上留出需要镀膜的通道，再镀制滤光片膜层，去掉光刻胶完成相应通道的制作，如此往复，直至完成集成多通道滤光片的制作。光刻胶掩膜为疏松膜层，通常较厚(厚度通常为几个微米)，在镀膜时可能形成阴影区，从而引起通道内膜层不均勾。镀制某些膜层时需要较高的基底温度，容易引起光刻胶变性、流动或去胶困难，严重的可能造成对镀膜腔的污染；另外，光刻胶容易与丙酮等溶剂反应，与基片结合性差，在后续处理中容易发生脱胶现象，会降低产品良率。
技术实现思路
为克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一尚广品良率、尚效的制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法。为实现上述目的，本专利技术通过以下技术方案实现:—种制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，包括以下步骤:a.预处理:甩胶和前烘，在干净的滤光片基片上旋涂光刻胶，90°C _100°C烘烤lOmin以上；b.曝光:把预处理好的滤光片基片置于掩膜板下进行紫外曝光；C.显影和后烘:将曝光后的滤光片基片使用显影液进行显影，显影后在需要镀膜的通道上留光刻胶，在不需要镀膜的区域去掉光刻胶，在烘箱中90°C -100°C烘干残留在滤光片基片表面的水分；d.镀制纳米薄膜:在步骤c后的滤光片基片上镀制厚度0.1微米-10微米的纳米薄膜，形成纳米掩膜膜层；e.使用浓度为5%的NaOH溶液或丙酮去除光刻胶，留出需要镀膜的通道；f.在通道上镀制相应的滤光片膜层；g.去掉滤光片基片上的纳米薄膜，留下通道上的滤光片膜层；h.重复步骤a-g，直至完成集成多通道滤光片的制作。优选的是，所述的制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，其中，所述负型光刻胶与正型光刻胶所对应的掩膜板不同，两种掩膜板的透光区与遮光区互补。优选的是，所述的制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，其中，所述多通道滤光片的通道数大于或等于两个。优选的是，所述的制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，其中，所述多通道滤光片的通道数为2-200个。优选的是，所述的制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，其中，所述多通道滤光片的通道数为2-64个。优选的是，所述的制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，其中，所述纳米掩膜膜层材料为金属、金属化合物或金属氧化物材料中的一种。优选的是，所述的制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，其中，所述纳米掩膜膜层采用蒸镀、溅射或印刷方式中的一种镀制在所述滤光片基片上。优选的是，所述的制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，其中，所述纳米掩膜膜层选自 Ag、Cu、Al、CaC03、Ca0、NaCl、ZnSSZnSe 中的一种。本专利技术的有益效果:纳米掩膜与基底结合牢固，能承受较高的温度，基底面上厚度均匀，且不容易发生变性、脱膜等现象，可以明显提高集成多通道滤光片的良率；同时降低了成本；纳米掩膜可以通过镀膜或印刷等方法实现；纳米掩膜与集成滤光片基片结合良好，去除方便快捷，在与去除液接触时，整个掩膜层可以同时快速地与去除液反应；选用的掩膜层(如金属、金属化合物、金属氧化物)材料稳定，在镀滤光片膜层时，能起到很好的保护作用；该掩膜材料与基片的结合力优于光刻胶，耐水和酒精、丙酮等有机溶剂。【附图说明】图1为本专利技术一实施例所述的制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法的流程示意图。其中，1-光刻胶，2-滤光片基片，3-紫外光，4-掩膜板，5-纳米掩膜膜层，6_滤光片通道，7-滤光片膜层，8-集成多通道滤光片。【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。—种制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，请参阅附图1，包括以下步骤:a.预处理:甩胶和前烘，在干净的滤光片基片上旋涂光刻胶1，90°C -100°C烘烤lOmin以上；b.曝光:把预处理好的滤光片基片2置于掩膜板4下采用紫外光3进行紫外曝光;c.显影和后烘:将曝光后的滤光片基片使用显影液进行显影，显影后在需要镀膜的通道上留光刻胶，在不需要镀膜的区域去掉光刻胶，在烘箱中90°C -100°C烘干残留在滤光片基片表面的水分；d.镀制纳米薄膜:在步骤c后的滤光片基片上镀制厚度0.1微米-10微米的纳米薄膜，形成纳米掩膜膜层5;e.使用浓度为5%的NaOH溶液或丙酮去除光刻胶，留出需要镀膜的滤光片通道6 ；f.在通道上镀制相应的滤光片膜层7 ；g.去掉滤光片基片上的纳米薄膜，留下通道上的滤光片膜层；h.重复步骤a-g，直至完成集成多通道滤光片8的制作。进一步的，所述负型光刻胶与正型光刻胶所对应的掩膜板不同，两种掩膜板的透光区与遮光区互补。进一步的，所述多通道滤光片的通道数大于或等于两个。进一步的，所述多通道滤光片的通道数为2-200个。进一步的，所述多通道滤光片的通道数为2-64个。进一步的，所述纳米掩膜膜层材料为金属、金属化合物或金属氧化物材料中的一种。进一步的，所述纳米掩膜膜层采用蒸镀、溅射、印刷方式中的一种镀制在所述滤光片基片上。进一步的，所述纳米薄膜为选自Ag、Cu、Al、CaC03、CaO、NaCl、ZnS或ZnSe中的一种薄膜。尽管本专利技术的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本专利技术的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本专利技术并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。【主权项】1.，其特征在于，包括以下步骤: 预处理:甩胶和前烘，在干净的滤光片基片上旋涂光刻胶，90°C -100°c烘烤10 min以上; 曝光:把预处理好的滤光片基片置于掩膜板下进行紫外曝光； 显影和后烘:将曝光后的滤光片基片使用显影液进行显影，显影后在需要镀膜的通道上留光刻胶，在不需要镀膜的区域去掉光刻胶，在烘箱中90°C -100°C烘干残留在滤光片基片表面的水分； 镀制纳米薄膜:在步骤c后的滤光片基片上镀制厚度0.1微米-10微米的纳米薄膜，形成纳米掩膜膜层； 使用浓度为5%的NaOH溶液或丙酮去除光刻胶，留出需要镀膜的通道； 在通道上镀制相应的滤光片膜层； 去掉滤光片基片上的纳米薄膜，留下通道上的滤光片膜层； 重复步骤a-g，直至完成集成多通道滤光片的制作。2.如权利要求1所述的制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，其特征在于，所述负型光刻胶与正型光刻胶所对应的掩膜板不同，两种掩膜板的透光区与遮光区互补。3.如权利要求2所述的制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，其特征在于，所述多通道滤光片的通道数大于或等于两个。4.如权利要求2所述的制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，其特征在于，所述多通道滤光片的通道数为2-200个。5.如权利要求2所述的制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，其特征在于，所述多通道滤光片的通道数为2-64个。6.如权利要求2所述的制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种制作集成多通道滤光片的纳米掩膜方法，其特征在于，包括以下步骤：预处理：甩胶和前烘，在干净的滤光片基片上旋涂光刻胶，90℃‑100℃烘烤10 min以上；曝光：把预处理好的滤光片基片置于掩膜板下进行紫外曝光；显影和后烘：将曝光后的滤光片基片使用显影液进行显影，显影后在需要镀膜的通道上留光刻胶，在不需要镀膜的区域去掉光刻胶，在烘箱中90℃‑100℃烘干残留在滤光片基片表面的水分；镀制纳米薄膜：在步骤c后的滤光片基片上镀制厚度0.1微米‑10微米的纳米薄膜，形成纳米掩膜膜层；使用浓度为5%的NaOH溶液或丙酮去除光刻胶，留出需要镀膜的通道；在通道上镀制相应的滤光片膜层；去掉滤光片基片上的纳米薄膜，留下通道上的滤光片膜层；重复步骤a‑g，直至完成集成多通道滤光片的制作。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周东平，
申请(专利权)人：苏州晶鼎鑫光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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