阵列基板及其修复方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其修复方法，通过将第一金属层中的存储电容电极与第二金属层中的漏极错开设计，同时将有机材料层中的过孔的一部分对应于所述漏极上与存储电容电极重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置，从而当过孔发生异常，导致像素电极层与漏极不能有效接触时，可采用激光对过孔中对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置的一部分进行镭射处理，使得像素电极层与漏极熔接在一起，由于在激光熔接的位点，所述漏极的下方没有设置第一金属层，因而不会出现将第一金属层与第二金属层熔接在一起的情形，能够修复过孔异常引起的点不良，将暗点变为亮点，提升产品良率和产品品质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种。
技术介绍
液晶显示装置(LCD，Liquid Crystal Display)具有机身薄、省电、无福射等众多优点，得到了广泛的应用。如:液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。其中，液晶显示面板的结构主要是由一阵列基板(ThinFilm Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、一彩膜基板(Color FilterSubstrate，CF Substrate)、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。通常阵列基板上设有阵列排布的多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管的栅极连接扫描线，源极连接数据线，漏极连接像素电极，随着显示技术的不断发展，为了提高显示品质现今的显示产品的阵列基板都会在薄膜晶体管上使用有机膜制作一平坦层，以减小电学寄生干扰。除此之外，还出现了将彩色光阻层制备在阵列基板上的COA(Color Filter onArray)技术，采用COA技术可以避免彩膜基板与阵列基板的对位问题，降低显示面板制备过程中对盒制程的难度，避免了对盒时的误差，提高了像素的开口率。请参阅图1与图2，为一种现有的阵列基板，该阵列基板包括:衬底基板10、设于衬底基板10上的第一金属层20、设于第一金属层20上的绝缘层30、设于绝缘层30上的半导体层40、设于半导体层40上的第二金属层50、设于第二金属层50上的有机材料层60、及设于有机材料层60上并通过有机材料层60上的过孔61与第二金属层50中的漏极502相接触的像素电极层70。上述结构因为增加有机材料层60，因而需要在有机材料层60上制作贯穿有机材料层60的过孔61才能连接像素电极层70与漏极502，然而在有机材料层60上制作该过孔61时，经常会发生过孔61不能完全曝开，导致像素电极层70与第二金属层50不能有效接触的情况，引起点不良。通常情况下，是对这些像素做暗点化处理来修复上述由过孔异常引起的点不良。通常暗点化处理的方法是将该像素的源极501与漏极502切断，使像素电极70悬空或者使像素电极70与公共电极线205相连。但如果暗点多，就只能将阵列基板废弃处理，即使暗点少，也会降低产品品质。现有技术中对于过孔异常引起的点不良还存在另外一种修复方法，即:通过激光镭射过孔61，使得像素电极70与漏极502熔接在一起；然而，由于所述过孔61的下方设有两层金属，分别为第一金属层2中的漏极502与第二金属层5中的存储电容电极204，因此在激光镭射过程中，很容易将漏极502与存储电容电极204熔接在一起，造成修复失败。因此，有必要提供一种新型结构的，以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种阵列基板，该阵列基板在出现过孔异常时，能够直接通过激光熔接像素电极与漏极，且熔接时不会影响第一金属层，提升产品良率和产品品质。本专利技术的目的还在于提供一种阵列基板修复方法，该方法能够直接通过激光熔接像素电极与漏极，修复过孔异常引起的点不良，且熔接时不会影响第一金属层，提升产品良率和产品品质。为实现上述目的，一种阵列基板，包括:衬底基板、设于所述衬底基板上的第一金属层、设于所述第一金属层上的绝缘层、设于绝缘层上的半导体层、设于半导体层上的第二金属层、及设于第二金属层上的有机材料层、设于所述有机材料层上的像素电极层；所述第一金属层包括扫描线、与扫描线相连的栅极、与栅极间隔设置的存储电容电极、以及与存储电容电极相连的公共电极线；所述第二金属层包括数据线、与数据线相连的源极、以及与源极相对设置的漏极；其中，所述漏极与存储电容电极部分重叠设置，所述有机材料层上对应所述漏极与存储电容电极上方设有过孔，所述过孔的一部分对应于所述漏极上与存储电容电极重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置，所述像素电极层通过所述过孔与漏极相接触。所述过孔的一半对应于所述漏极上与存储电容电极重叠的区域设置，另外一半对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置。所述漏极与存储电容电极相互重叠的部分构成存储电容。所述有机材料层为平坦层或色阻层。所述像素电极层的材料为ITO ;所述第一金属层及第二金属层的材料为铜、钨、铬、铝中的一种或多种的组合。本专利技术还提供一种阵列基板修复方法，包括如下步骤:步骤1、提供一阵列基板，包括:衬底基板、设于所述衬底基板上的第一金属层、设于所述第一金属层上的第一绝缘层、设于第一绝缘层上的半导体层、设于半导体层上的第二金属层、设于第二金属层上的有机材料层、及设于所述有机材料层上的像素电极层；所述第一金属层包括扫描线、与扫描线相连的栅极、与栅极间隔设置的存储电容电极、以及与存储电容电极相连的公共电极线；所述第二金属层包括数据线、与数据线相连的源极、以及与源极相对设置的漏极；其中，所述漏极与存储电容电极部分重叠设置，所述有机材料层上对应所述漏极与存储电容电极上方设有过孔，所述过孔的一部分对应于所述漏极上与存储电容电极重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置，所述像素电极层通过所述过孔与漏极相接触；步骤2、检测过孔是否存在异常，若过孔发生异常，导致像素电极层与漏极不能有效接触时，采用激光对过孔中对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置的一部分进行镭射处理，使得像素电极层与漏极熔接在一起。所述过孔的一半对应于所述漏极上与存储电容电极重叠的区域设置，另外一半对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置。所述漏极与存储电容电极相互重叠的部分构成存储电容。所述有机材料层为平坦层或色阻层。所述像素电极层的材料为ITO ;所述第一金属层及第二金属层的材料为铜、钨、铬、铝中的一种或多种的组合。本专利技术的有益效果:本专利技术提供一种阵列基板，通过将第一金属层中的存储电容电极与第二金属层中的漏极错开设计，同时将有机材料层中的过孔的一部分对应于所述漏极上与存储电容电极重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置，从而当过孔发生异常，导致像素电极层与漏极不能有效接触时，可采用激光对过孔中对应于所述漏极上与存储电容电极不重叠的区域设置的一部分进行镭射处理，使得像素电极层与漏极熔接在一起，由于在激光熔接的位点，所述漏极的下方没有设置第一金属层，因而不会出现将第一金属层与第二金属层熔接在一起的情形，能够修复过孔异常引起的点不良，将暗点变为壳点，提升广品良率和广品品质。本专利技术还提供一种阵列基板修复方法，该方法能够直接通过激光熔接像素电极与第二金属层，修复过孔异常引起的点不良，且熔接时不会影响第一金属层，提升产品良率和产品品质。为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。【附图说明】下面结合附图，通过对本专利技术的【具体实施方式】详细描述，将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(1)、设于所述衬底基板(1)上的第一金属层(2)、设于所述第一金属层(2)上的绝缘层(3)、设于绝缘层(3)上的半导体层(4)、设于半导体层(4)上的第二金属层(5)、设于第二金属层(5)上的有机材料层(6)、及设于所述有机材料层(6)上的像素电极层(7)；所述第一金属层(2)包括扫描线(21)、与扫描线(21)相连的栅极(22)、与栅极(22)间隔设置的存储电容电极(24)、以及与存储电容电极(24)相连的公共电极线(25)；所述第二金属层(5)包括数据线(51)、与数据线(51)相连的源极(52)、以及与源极(52)相对设置的漏极(53)；其中，所述漏极(53)与存储电容电极(24)部分重叠设置，所述有机材料层(6)上对应所述漏极(53)与存储电容电极(24)上方设有过孔(601)，所述过孔(601)的一部分对应于所述漏极(53)上与存储电容电极(24)重叠的区域设置，另外一部分对应于所述漏极(53)上与存储电容电极(24)不重叠的区域设置，所述像素电极层(7)通过所述过孔(601)与漏极(53)相接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姜祥卫，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44