有机发光显示装置及其制造方法制造方法及图纸

OLED装置及其制造方法，OLED装置包括：具有像素区和传输区的基板；在像素区上的像素电路；在像素区上且与像素电路电连接的第一电极；在像素区和传输区上连续延伸且覆盖第一电极的第一有机层；选择性在像素区上的第一有机层的部分上的发射层；在像素区和传输区上连续延伸且覆盖发射层的第二有机层；和选择性在传输区上的第三有机层，第三有机层包括具有与发射层不同的透射率的非发射材料；以及在像素区和传输区上连续延伸且覆盖第二有机层和第三有机层的第二电极。

【技术实现步骤摘要】

实施方式设及。
技术介绍
有机发光显示（OLED)装置为可用低电压操纵的自发射显示装置，并且具有宽视 角和改善的对比度性质。
技术实现思路
实施方式设及。 实施方式可通过提供包括W下的有机发光显示（OLED)装置来实现：基板，所述基 板包含像素区和传输区；在所述基板的所述像素区上的像素电路；在所述基板的所述像素 区上的第一电极，所述第一电极与所述像素电路电连接；在所述基板的所述像素区和所述 传输区上连续延伸且覆盖所述第一电极的第一有机层；选择性在所述像素区上的所述第一 有机层的部分上的发射层；在所述基板的所述像素区和所述传输区上连续延伸且覆盖所述 发射层的第二有机层；和选择性在所述传输区上的第=有机层，所述第=有机层包含非发 射材料，所述非发射材料具有与所述发射层不同的透射率；W及在所述基板的所述像素区 和所述传输区上连续延伸且覆盖所述第二有机层和所述第=有机层的第二电极。 阳0化]所述第S有机层可包含N，N'-二苯基-N，N'-双（9-苯基-9H-巧挫-3-基） 联苯基-4, 4' -二胺、N(二苯-4-基）9, 9-二甲基-N-(4(9-苯基-9H-巧挫-3-基）苯 基）-9H-巧-2-胺和2- (4- (9, 10-二（糞-2-基）蔥-2-基）苯基）-1-苯基-IH-苯并-脚 咪挫中的至少一种。 所述第一有机层可包含空穴传输材料，且所述第二有机层可包含电子传输材料。 所述第=有机层可在所述第一有机层和所述第二有机层之间。 所述第=有机层可在所述第二有机层和所述第二电极之间。 所述发射层和所述第=有机层可在所述像素区和所述传输区之间的界面彼此隔 开。 所述OL邸装置可进一步包括在所述第二电极上的覆盖层。 所述覆盖层可包括在所述像素区和所述传输区上连续延伸的第一覆盖层；和在所 述第一覆盖层上的第二覆盖层，所述第二覆盖层选择性置于所述像素区或所述传输区上。 阳012] 所述OLED装置可进一步包括覆盖所述像素电路的通孔绝缘层（via insulation layer);和在所述通孔绝缘层上的像素限定层，所述第一电极通过所述像素限定层暴露，其 中所述第一电极穿过所述通孔绝缘层延伸而与所述像素电路电连接。 所述传输区可由所述像素限定层至少部分暴露，并且所述像素限定层的侧壁可限 定传输窗。 所述像素限定层可包含黑色材料。 所述黑色材料可包括炭黑、亚苯基黑（phenylene black)、苯胺黑、花青黑和尼格 洛辛酸性黑（nigrosineacidblack)中的至少一种。 所述通孔绝缘层的顶表面可由所述传输窗暴露，所述第一有机层可在所述像素限 定层和所述第一电极的表面上W及在所述通孔绝缘层的顶表面上连续延伸。 所述传输窗可由所述像素限定层的侧壁和所述通孔绝缘层的侧壁限定。 所述OL邸装置可进一步包括在所述通孔绝缘层之下的绝缘夹层，所述绝缘夹层 部分覆盖所述像素电路，其中所述第一有机层在所述像素限定层和所述第一电极的表面、 所述通孔绝缘层的侧壁和所述绝缘夹层的顶表面上连续延伸。 实施方式可通过提供包括W下的有机发光显示（OLED)装置来实现：基板，所述基 板包含像素区和传输区；选择性在所述基板的所述像素区上的第一电极；在所述像素区和 所述传输区上连续延伸且覆盖所述第一电极的共用有机层；选择性在所述像素区上的发射 层；选择性在所述传输区上的非像素有机层；W及在所述像素区和所述传输区上连续延伸 的第二电极，所述第二电极关于所述共用有机层与所述第一电极相对。 所述非像素有机层可具有高于所述发射层的透射率。 所述非像素有机层可在所述共用有机层上且与所述第二电极接触。 所述共用有机层可包括在所述第一电极和所述发射层之间的第一有机层，W及在 所述发射层和所述第二电极之间的第二有机层，并且所述非像素有机层可在所述第一有机 层和所述第二有机层之间。 所述第一有机层可包含空穴传输材料，且所述第二有机层可包含电子传输材料。 实施方式可通过提供包括W下的有机发光显示（OLED)装置来实现：基板，所述基 板包含像素区和传输区；在所述基板的像素区上的像素电路；在所述基板的所述像素区上 的第一电极，所述第一电极与所述像素电路电连接；在所述基板的所述像素区和所述传输 区上连续延伸且覆盖所述第一电极的空穴传输层；选择性在所述像素区上的空穴传输层的 部分上的发射层；在所述传输区上的空穴传输层的部分上的透射率控制层；W及在所述基 板的所述像素区和所述传输区上连续延伸的第二电极，所述第二电极覆盖所述发射层和所 述透射率控制层。所述OL邸装置可进一步包括在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输层， 所述电子传输层在所述基板的像素区和传输区上连续延伸。 实施方式可通过提供制造有机发光显示装置的方法来实现，所述方法包括制备包 含像素区和传输区的基板；在所述基板的所述像素区上形成像素电路；在所述基板的所述 像素区上形成与所述像素电路电连接的第一电极；使用开口掩模在所述像素区和所述传输 区上形成空穴传输层，使得所述空穴传输层覆盖所述第一电极；使用第一掩模在所述空穴 传输层上形成发射层，所述第一掩模包括第一开孔，所述像素区通过所述第一开孔选择性 暴露；使用第二掩模在所述空穴传输层上形成透射率控制层，所述第二掩模包括第二开孔， 所述传输区通过所述第二开孔选择性暴露；并且使用所述开口掩模连续在所述发射层和所 述透射率控制层上形成第二电极。 所述透射率控制层可包含非发射材料，所述非发射材料不同于所述发射层中包含 的材料。 所述方法可进一步包括使用所述开口掩模在所述像素区和所述传输区上形成电 子传输层，使得所述电子传输层在所述发射层和所述第二电极之间。 所述方法可进一步包括使用所述开口掩模在所述第二电极上形成第一覆盖层。 所述方法可进一步包括使用所述第一掩模或所述第二掩模在所述第一覆盖层上 形成第二覆盖层，使得所述第二覆盖层在所述像素区或所述传输区上选择性形成。 所述方法可进一步包括形成覆盖所述像素电路的通孔绝缘层；在所述通孔绝缘层 上形成像素限定层，使得所述第一电极通过所述像素限定层暴露；并且去除在传输区上的 像素限定层的部分W形成传输窗，其中所述第二掩模在去除所述像素限定层的部分中用作 蚀刻掩模。【附图说明】 通过参照附图详细地描述示例性的实施方式，特征将对于本领域技术人员而言变 得明显，在附图中： 图1说明了根据实施方式的有机发光显示（OLED)装置的示意俯视图； 图2说明了根据一些实施方式的OLED装置的截面视图； 图3说明了根据一些实施方式的OL邸装置的截面视图； 图4和5说明了根据一些实施方式的OLED装置的截面视图； 图6和7说明了根据一些实施方式的OL邸装置的截面视图；[003引图8说明了制造根据一些实施方式的OL邸装置的方法的流程图； 图9至13说明了在制造根据一些实施方式的OL邸装置的方法中各阶段的截面视 图； 图14说明了制造根据一些实施方式的OL邸装置的方法的流程图； 图15至19说明了在制造根据一些实施方式的OL邸装置的方法中各阶段的截面 视图；并且 图20、21A和21B说明了在制造根据一些实施方式的OL邸装置的方法中各阶段的 截面视图。【具体实施方式】 现在，下文将参照附图更充分地描述示例性实施方式；然而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示装置，包括：基板，所述基板包含像素区和传输区；在所述基板的所述像素区上的像素电路；在所述基板的所述像素区上的第一电极，所述第一电极与所述像素电路电连接；在所述基板的所述像素区和所述传输区上连续延伸且覆盖所述第一电极的第一有机层；选择性在所述像素区上的所述第一有机层的部分上的发射层；在所述基板的所述像素区和所述传输区上连续延伸且覆盖所述发射层的第二有机层；和选择性在所述传输区上的第三有机层，所述第三有机层包含非发射材料，所述非发射材料具有与所述发射层不同的透射率；以及在所述基板的所述像素区和所述传输区上连续延伸且覆盖所述第二有机层和所述第三有机层的第二电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔俊呼，郑镇九，南恩景，宋英宇，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR