一种反应腔室及半导体加工设备制造技术

本发明专利技术提供的反应腔室及半导体加工设备，包括上电极机构、反应腔机构和定位件，上电极机构叠置在反应腔机构上，定位件设置在上电极机构和反应腔机构相接触的表面上，用以在合盖时实现对上电极机构定位，定位件设置在上电极机构和反应腔机构接触表面的外边沿，并且，定位件包括在上电极机构和反应腔机构上设置的相互配合使用的凹槽和凸部，借助凸部位于与之对应的凹槽内，用以在合盖时实现对上电极机构定位。本发明专利技术提供的反应腔室，可以降低通过目视调整上电极机构的难度，从而不仅可以避免重复调整实现快速合盖；而且还可以提高合盖的安全性、可靠性和准确性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子加工
，具体涉及一种反应腔室及半导体加工设备。
技术介绍
半导体加工设备通常包括反应腔室，用以在反应腔室内对被加工工件完成沉积、刻蚀等工艺。反应腔室通常包括上电极机构、反应腔机构、下电极机构和开盖机构，在进行工艺时，上电极机构、反应腔机构、下电极机构形成了闭合的工艺空间，在该闭合的工艺空间内对被加工工件完成工艺过程；在对反应腔机构进行维护时，需要挪开上电极机构(即，开盖)，以便于对反应腔机构内部的零部件进行擦拭或更换；在维护完成之后，对上电极机构进行复位(即，合盖)。为了准确合盖，需要在合盖过程中对上电极机构进行定位，具体地，在反应腔机构的与上电极机构相接触表面上，且靠近反应腔室的内侧设置有定位销121，并且，在上电极机构与反应腔机构相接触的表面上，且与定位销121相对应的位置处设置有销孔111，如图1所示，在上电极机构向下运动进行合盖的过程中，需要保证定位销121进入到销孔111内，来实现对上电极机构定位，从而实现合盖过程的定位。然而，在实际应用中，采用上述的反应腔室在合盖的过程中上不可避免的存在下述问题:由于定位销121设置在靠近反应腔室内侧的位置，且由于空间的限制，定位销121的高度较低，一般为25mm左右，这使得不便于目测观察，因而通过目视调整上电极机构难度较大，需要重复调整，从而造成合盖的效率低；而且，稍有不慎定位销121就会撞坏上电极机构上的零部件，从而造成合盖的安全性、可靠性和准确率低。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种反应腔室及半导体加工设备，可以降低通过目视调整上电极机构的难度，从而不仅可以避免重复调整实现快速合盖；而且还可以提高合盖的安全性、可靠性和准确性。为解决上述问题之一，本专利技术提供了一种反应腔室，包括上电极机构、反应腔机构和定位件，所述上电极机构叠置在所述反应腔机构上，所述定位件设置在所述上电极机构和所述反应腔机构相接触的表面上，用以在合盖时实现对所述上电极机构定位，所述定位件设置在所述上电极机构和所述反应腔机构接触表面的外边沿，并且，所述定位件包括在所述上电极机构和反应腔机构上设置的相互配合使用的凹槽和凸部，借助所述凸部位于与之对应的所述凹槽内，用以在合盖时实现对所述上电极机构定位。其中，所述外边沿上形成有拐角，所述定位件设置在所述上电极机构和所述反应腔机构接触表面的外边沿的拐角位置。其中，所述定位件的凹槽和凸部均包括相连且形成有一定拐角的第一部分和第二部分，所述第一部分和第二部分分别位于形成所述拐角的相邻的两个边沿上。其中，所述定位件的数量至少为两个。其中，所述外边沿上形成有拐角，至少一个所述定位件设置在所述上电极机构和所述反应腔机构接触表面的外边沿的拐角位置。其中，所述凸部与其所在的所述上电极机构或所述反应腔机构采用一体成型的方式加工。其中，所述凸部与其所在的所述上电极机构或所述反应腔机构采用固定件相固定。其中，所述定位件设置在所述外边沿的边界位置处。其中，所述凸部包括定位销，与所述凸部对应的所述凹槽包括销孔。作为另外一个技术方案，本专利技术还提供一种半导体加工设备，包括反应腔室，所述反应腔室采用本专利技术提供的所述反应腔室。本专利技术具有以下有益效果:本专利技术提供的反应腔室，其定位件包括在上电极机构和反应腔机构上设置的相互配合使用的凹槽和凸部，借助将定位件设置在上电极机构和反应腔机构接触表面的外边沿，在合盖时便于目测观察，使得凸部位于与之对应的凹槽内，以实现在合盖时对上电极机构定位，因而可以降低通过目视调整上电极机构的难度，从而不仅可以避免重复调整实现快速合盖；而且还可以提高合盖的安全性、可靠性和准确性。本专利技术提供的半导体加工设备，其通过采用本专利技术提供的上述反应腔室，可以降低通过目视调整上电极机构的难度，从而不仅可以避免重复调整实现快速合盖；而且还可以提高合盖的安全性、可靠性和准确性。【附图说明】图1为定位销和销孔之间的局部剖视图；图2为本专利技术实施例提供的反应腔室的反应腔机构的局部示意图； 图3为图2所示的反应腔机构的俯视图；图4为本实施例提供的反应腔室的上电极机构的局部示意图；图5为图4所示的上电极机构的仰视图；图6为本专利技术实施例提供的反应腔室的定位件的第一种设置方式的示意图；图7a为定位件在上电极机构和反应腔机构接触表面的外边沿的第二种设置方式的不意图；图7b为定位件在上电极机构和反应腔机构接触表面的外边沿的第三种设置方式的不意图；图8为在合盖时上电极机构位于反应腔机构上方的状态示意图；图9为在合盖时上电极机构下降使得凸部位于与之对应的凹槽内的状态示意图；图10为合盖后反应腔室的立体图；以及图11为图10中区域I的局部放大图。.【具体实施方式】为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图来对本专利技术提供的反应腔室及半导体加工设备进行详细描述。图2为本专利技术实施例提供的反应腔室的反应腔机构的局部示意图。图3为图2所示的反应腔机构的俯视图。图4为本实施例提供的反应腔室的上电极机构的局部示意图。图5为图4所示的上电极机构的仰视图。图6为本专利技术实施例提供的反应腔室的定位件的第一种设置方式的示意图。请一并参阅图2-6，本实施例提供的反应腔室包括上电极机构20、反应腔机构21和定位件22。其中，上电极机构20叠置在反应腔机构21上，定位件22设置在上电极机构20和反应腔机构21相接触的表面上，用以在合盖时实现对上电极机构20定位，从而以实现准确合盖；如图6所示，定位件22设置在上电极机构20和反应腔机构21接触表面的外边沿，所谓外边沿是指接触表面靠近反应腔室外侧的整个边沿，并且，定位件22包括在上电极机构20和反应腔机构21上设置的相互配合使用的凹槽221和凸部222，在本实施例中，凹槽221设置在上电极机构20上，与之配合使用的凸部222设置在反应腔机构21的与该凹槽221位置相对应的位置处；在实际应用中，也可以使得凹槽221设置在反应腔机构21上，与之配合使用的凸部222设置在上电极机构20的与该凹槽221位置相对应的位置处，借助凸部222位于与之对应的凹槽221内，用以在合盖时实现对上电极机构20定位。由上可知，借助将定位件22设置在上电极机构20和反应腔机构21接触表面的外边沿，在合盖时便于目测观察，使得凸部222位于与之对应的凹槽221内，以实现在合盖时对上电极机构定位，因而可以降低通过目视调整上电极机构的难度，从而不仅可以避免重复调整实现快速合盖；而且还可以提高合盖的安全性、可靠性和准确性。优选地，定位件22设置在外边沿的边界位置处，具体地，如图2和图3所示，凸部222设置在反应腔机构21的与上电极机构20接触的表面的外边沿的边界位置处；对应地，如图4和5所示，凹槽221设置在上电极机构20的与反应腔机构21的接触表面的外边沿的边界位置处，这使得定位件22可以直接暴露在反应腔室的外侧视野内，因而可以更便于目测观察。当然，在实际应用中，只要满足定位件22的凹槽221和凸部222设置在外边沿上即可，例如，与现有技术相类似，凸部222包括定位销，与凸部222对应的凹槽221包括销孔。在本实施例中，请参阅图6当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反应腔室，包括上电极机构、反应腔机构和定位件，所述上电极机构叠置在所述反应腔机构上，所述定位件设置在所述上电极机构和所述反应腔机构相接触的表面上，用以在合盖时实现对所述上电极机构定位，其特征在于，所述定位件设置在所述上电极机构和所述反应腔机构接触表面的外边沿，并且，所述定位件包括在所述上电极机构和反应腔机构上设置的相互配合使用的凹槽和凸部，借助所述凸部位于与之对应的所述凹槽内，用以在合盖时实现对所述上电极机构定位。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭峰，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11