本实用新型专利技术提供了一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环，包括保温筒、冷却水管道和掺杂管道，所述保温筒筒体外壁上套设有环形的冷却水管道，所述冷却水管道上设置有进水口和出水口，所述筒体外壁上紧挨冷却水管道下端处，套设有环形的掺杂管道，所述掺杂管道上设有若干个管道进气口，所述筒体的筒壁上设有若干个与所述掺杂管道相连通的筒体进气口。本实用新型专利技术所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环可以减小炉内氩气对流对掺杂浓度的影响，提高了轴向电阻率均匀性；可以减小自由熔体表面中心与边缘的掺杂浓度差，提高了径向电阻率均匀性；而且局部掺杂浓度升高，提高掺杂效率，降低成本。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于单晶硅生产设备领域，尤其是涉及一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环。
技术介绍
区熔法生长单晶硅是目前生产单晶硅最先进的应用技术，利用反射环合理的控制单晶轴向和径向电阻率的均匀性是单晶硅生长过程中的一个重要环节，常规反射环的不足之处是，区熔气掺杂杂质在炉内与主氩气混合后，由于温度差导致的密度差而在炉内流动，形成气体对流，在单晶生长过程中，晶转作用使得单晶边缘杂质浓度较小，且受气流的影响而波动较大，影响掺杂杂质在轴向与径向的分布，因此，轴向与径向电阻率均匀性波动大。
技术实现思路
有鉴于此，本技术旨在提出一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环，以解决区熔硅单晶轴向和径向电阻率均匀性波动大的问题。为达到上述目的，本技术的技术方案是这样实现的:—种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环，包括保温筒、冷却水管道和掺杂管道，所述保温筒为一圆柱形筒体，所述筒体的外壁上套设有环形的冷却水管道，所述冷却水管道位于所述筒体上部，所述冷却水管道上设置有进水口和出水口，所述筒体外壁上紧挨冷却水管道下端处，套设有环形的掺杂管道，所述掺杂管道上设有若干个管道进气口，所述筒体的筒壁上设有若干个与所述掺杂管道相连通的筒体进气口。进一步的，所述冷却水管道和掺杂管道均以焊接的方式固定在所述筒体的外壁上。进一步的，所述冷却水管道可为圆管或方管，所述掺杂管道可为圆管或方管。进一步的，所述冷却水管道和掺杂管道的材质为铜。进一步的，所述保温筒的材质为铜或银。进一步的，所述管道进气口的个数为2个。进一步的，所述筒体进气口的个数为2-6个。相对于现有技术，本技术所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环具有以下优势:通过采用以上技术方案，可以减小炉内氩气对流对掺杂浓度的影响，提高熔体表面杂质浓度的一致性，提高了轴向电阻率均匀性；可以减小自由熔体表面中心与边缘的掺杂浓度差，提高了径向电阻率均匀性；而且局部掺杂浓度升高，提高掺杂效率，降低成本。【附图说明】构成本技术的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中:图1为本技术的主视图；图2为本技术的俯视图。附图标记说明:1-保温筒，11-筒体进气口，2-冷却水管道，21-进水口，22-出水口，3-掺杂管道，31-管道进气口。【具体实施方式】需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。如图1和2所示，一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环，包括保温筒1、冷却水管道2和掺杂管道3 ；所述保温筒1为一圆柱形筒体，所述筒体的外壁上以焊接的形式套设有环形的冷却水管道2，所述冷却水管道2可为圆管或方管，所述冷却水管道2位于所述筒体上部，所述冷却水管道2上设置有进水口 21和出水口 22，所述冷却水管道2的材质为铜，冷却水管道2的设置可减小因温度差引起的气体对流对掺杂浓度的影响，减小熔体表面中心与边缘的掺杂浓度差；所述筒体外壁上紧挨冷却水管道2下端处，以焊接的形式套设有环形的掺杂管道3，所述掺杂管道3可为圆管或方管，所述掺杂管道3的材质为铜，所述掺杂管道3上设有2个管道进气口 31，所述筒体的筒壁上设有2-6个与所述掺杂管道3相连通的筒体进气口11，掺杂管道3的设置可使局部掺杂浓度升高，提高掺杂效率。以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环，其特征在于:包括保温筒(1)、冷却水管道(2)和掺杂管道(3)，所述保温筒(1)为一圆柱形筒体，所述筒体的外壁上套设有环形的冷却水管道(2)，所述冷却水管道(2)位于所述筒体上部，所述冷却水管道(2)上设置有进水口(21)和出水口(22)，所述筒体外壁上紧挨冷却水管道(2)下端处，套设有环形的掺杂管道(3)，所述掺杂管道(3)上设有若干个管道进气口(31)，所述筒体的筒壁上设有若干个与所述掺杂管道(3)相连通的筒体进气口(11)。2.根据权利要求1所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环，其特征在于:所述冷却水管道(2)和掺杂管道(3)均以焊接的方式固定在所述筒体的外壁上。3.根据权利要求1所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环，其特征在于:所述冷却水管道(2)可为圆管或方管，所述掺杂管道(3)可为圆管或方管。4.根据权利要求1所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环，其特征在于:所述冷却水管道(2)和掺杂管道(3)的材质为铜。5.根据权利要求1所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环，其特征在于:所述保温筒(1)的材质为铜或银。6.根据权利要求1所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环，其特征在于:所述管道进气口(31)的个数为2个。7.根据权利要求1所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环，其特征在于:所述筒体进气口(11)的个数为2-6个。【专利摘要】本技术提供了一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环，包括保温筒、冷却水管道和掺杂管道，所述保温筒筒体外壁上套设有环形的冷却水管道，所述冷却水管道上设置有进水口和出水口，所述筒体外壁上紧挨冷却水管道下端处，套设有环形的掺杂管道，所述掺杂管道上设有若干个管道进气口，所述筒体的筒壁上设有若干个与所述掺杂管道相连通的筒体进气口。本技术所述的提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环可以减小炉内氩气对流对掺杂浓度的影响，提高了轴向电阻率均匀性；可以减小自由熔体表面中心与边缘的掺杂浓度差，提高了径向电阻率均匀性；而且局部掺杂浓度升高，提高掺杂效率，降低成本。【IPC分类】C30B13/16, C30B29/06【公开号】CN205035488【申请号】CN201520811845【专利技术人】刘铮, 王遵义, 娄中士, 韩暐, 涂颂昊, 孙昊, 王彦君, 张雪囡, 由佰玲 【申请人】天津市环欧半导体材料技术有限公司【公开日】2016年2月17日【申请日】2015年10月19日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环，其特征在于：包括保温筒(1)、冷却水管道(2)和掺杂管道(3)，所述保温筒(1)为一圆柱形筒体，所述筒体的外壁上套设有环形的冷却水管道(2)，所述冷却水管道(2)位于所述筒体上部，所述冷却水管道(2)上设置有进水口(21)和出水口(22)，所述筒体外壁上紧挨冷却水管道(2)下端处，套设有环形的掺杂管道(3)，所述掺杂管道(3)上设有若干个管道进气口(31)，所述筒体的筒壁上设有若干个与所述掺杂管道(3)相连通的筒体进气口(11)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘铮，王遵义，娄中士，韩暐，涂颂昊，孙昊，王彦君，张雪囡，由佰玲，
申请(专利权)人：天津市环欧半导体材料技术有限公司，
类型：新型
国别省市：天津;12
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