一种快恢复半导体二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种快恢复半导体二极管，包括焊剂层，芯片区，钝化层，封体，负极铜引线和正极铜引线，所述的焊剂层将芯片区与负极铜引线和正极铜引线固定连接；所述的负极铜引线具体采用两个；所述的负极铜引线设置在芯片区的外侧；所述的正极铜引线设置在芯片区的中部；所述的钝化层包裹在芯片区和焊料层外侧；所述的封体包裹在钝化层的外部。本实用新型专利技术的封体，芯片区和钝化层设置，有利于提高击穿电压，增强抗浪涌能力，功耗低，恢复时间短，效果高，更换方便便捷，便于维护，便于推广和使用。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种二极管，特别是一种快恢复半导体二极管。
技术介绍
在诸多的电力半导体器件中，功率二极管相对来说是最简单的一种器件，但又是电力电子电路中最常用的基础电子元器件之一，在电路中起着举足轻重的作用。快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。适当选择快恢复二极管的特性，尤其是反向恢复特性，如反向恢复时间和反向恢复软度，可显著地减小开关器件、二极管和其它许多电路元件中的功率损耗中国专利公开号为CN 202405247 U，专利技术创造的名称为一种快恢复二极管，包括两只二极管本体、引脚和封装外壳，所述的两只二极管本体位于封装外壳内，二极管本体包括一个PN结、一个正极端子和一个负极端子，两只二极管本体的正极端子相连接，在两只二极管本体的正极端子的连接点处焊接有一根引脚，两只二极管本体的负极端子也各焊接有一根引脚，所述的引脚位于封装外壳外，封装外壳上涂覆有一层可以清楚显示出二极管本体的工作参数的紫外光固化油墨层。但是现有二极管存在着击穿电压低且不稳定，抗浪涌能力差，正向压降大，功耗较大引起二极管烧坏，恢复时间长，效率低，更换不便，不便维护的问题。因此，专利技术一种快恢复半导体二极管显得非常必要。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术提供一种快恢复半导体二极管，以解决但是现有二极管存在着击穿电压低且不稳定，抗浪涌能力差，正向压降大，功耗较大引起二极管烧坏，恢复时间长，效率低，更换不便，不便维护的问题。一种快恢复半导体二极管，包括焊剂层，芯片区，钝化层，封体，负极铜引线和正极铜引线，所述的焊剂层将芯片区与负极铜引线和正极铜引线固定连接；所述的负极铜引线具体采用两个；所述的负极铜引线设置在芯片区的外侧；所述的正极铜引线设置在芯片区的中部；所述的钝化层包裹在芯片区和焊料层外侧；所述的封体包裹在钝化层的外部。优选地，所述的芯片区包括两个PN结，在芯片区的正极连接点处焊接有一根正极铜引线，在芯片区的两个负极连接点处各焊接有一根负极铜引线，缩短了二极管恢复时间，提尚效率。优选地，所述的芯片区包括玻璃层，FRD芯片，沟槽区和金属面，所述的玻璃层设置在金属面的外侧；所述的FRD芯片内侧设置沟槽区。优选地，所述的FRD芯片采用液态硼低浓度扩散式硅芯片，增强了二极管的抗浪涌能力，提高击穿电压。优选地，所述的玻璃层采用厚度为0.1毫米至0.5毫米的电泳玻璃钝化层，提高了二极管的耐压稳定性，可靠性，降低了压降，减少损耗。优选地，所述的封体采用长方体结构；所述的封体外侧涂覆有显示出工作参数的紫外光固化油墨层，在更换二极管时，就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上，从而避免了二极管击穿损坏，操作方便便捷，提高工作效率。优选地，所述的钝化层采用聚酰亚胺涂层，可使二极管的高温漏电流在150°C时降低至10 μΑ，不仅耐压高，而且具有恢复时间快、效率高、节能等特点。与现有技术相比，本技术具有如下有益效果:由于本技术的一种快恢复半导体二极管广泛应用于二极管
同时，本技术的有益效果为:1、本技术的芯片区的设置，缩短了二极管恢复时间，提高效率；增强了二极管的抗浪涌能力，提高击穿电压。2、本技术的封体的设置，在更换二极管时，就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上，从而避免了二极管击穿损坏，操作方便便捷，提高了工作效率。3、本技术的玻璃层的设置，提高了二极管的耐压稳定性，可靠性，降低了压降，减少损耗。【附图说明】图1是本技术的结构示意图。图2是本技术的芯片区的结构示意图。图中:焊剂层1、芯片区2、玻璃层21、FRD芯片22、沟槽区23、金属面24、钝化层3、封体4、负极铜引线5、正极铜引线6。【具体实施方式】下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。实施例:如附图1至附图2所示，本技术提供一种快恢复半导体二极管，包括焊剂层1，芯片区2，钝化层3，封体4，负极铜引线5和正极铜引线6，所述的焊剂层1将芯片区2与负极铜引线5和正极铜引线6固定连接；所述的负极铜引线5具体采用两个；所述的负极铜引线5设置在芯片区2的外侧；所述的正极铜引线6设置在芯片区2的中部；所述的钝化层3包裹在芯片区2和焊料层1外侧；所述的封体4包裹在钝化层3的外部。优选地，所述的芯片区2包括两个ΡΝ结，在芯片区2的正极连接点处焊接有一根正极铜引线6，在芯片区2的两个负极连接点处各焊接有一根负极铜引线5，缩短了二极管恢复时间，提尚效率。优选地，所述的芯片区2包括玻璃层21，FRD芯片22，沟槽区23和金属面24，所述的玻璃层21设置在金属面24的外侧；所述的FRD芯片22内侧设置沟槽区23。优选地，所述的FRD芯片22采用液态硼低浓度扩散式硅芯片，增强了二极管的抗浪涌能力，提高击穿电压。优选地，所述的玻璃层21采用厚度为0.1毫米至0.5毫米的电泳玻璃钝化层，提高了二极管的耐压稳定性，可靠性，降低了压降，减少损耗。优选地，所述的封体4采用长方体结构；所述的封体4外侧涂覆有显示出工作参数的紫外光固化油墨层，在更换二极管时，就不会出现错将工作参数不符合要求的管子换上，从而避免了二极管击穿损坏，操作方便便捷，提高工作效率。优选地，所述的钝化层3采用聚酰亚胺涂层，可使二极管的高温漏电流在150°C时降低至10 μΑ，不仅耐压高，而且具有恢复时间快、效率高、节能等特点。工作原理本技术的芯片区2包括两个ΡΝ结，在芯片区2的正极连接点处焊接有一根正极铜引线6，在芯片区2的两个负极连接点处各焊接有一根负极铜引线5，缩短了二极管恢复时间，提高了工作效率。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，其架构形式能够灵活多变，只是做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术由所提交的权利要求书确定的专利保护范围。【主权项】1.一种快恢复半导体二极管，其特征是，包括焊剂层(1)，芯片区(2)，钝化层(3)，封体(4)，负极铜引线(5)和正极铜引线6，所述的焊剂层(1)将芯片区(2)与负极铜引线(5)和正极铜引线6固定连接；所述的负极铜引线(5)具体采用两个；所述的负极铜引线(5)设置在芯片区(2)的外侧；所述的正极铜引线(6)设置在芯片区(2)的中部；所述的钝化层(3)包裹在芯片区(2)和焊料层(1)外侧；所述的封体4包裹在钝化层(3)的外部。2.如权利要求1所述的一种快恢复半导体二极管，其特征是，所述的芯片区(2)包括两个PN结，在芯片区(2)的正极连接点处焊接有一根正极铜引线(6)，在芯片区(2)的两个负极连接点处各焊接有一根负极铜引线(5 )。3.如权利要求1所述的一种快恢复半导体二极管，其特征是，所述的芯片区(2)包括玻璃层(21)，FRD芯片(22)，沟槽区(23)和金属面(24)，所述的玻璃层(21)设置在金属面(24)的外侧；所述的FRD芯片22内侧设置沟槽区23。4.如权利要求3所述的一种快恢复半导体二极管，其特征是，所述的FRD芯片(22)采用液态硼低浓度扩散式硅芯片。5.如权利要求3所述的一种快恢复半导体二极管，其特征是，所述的玻璃层(21)采用厚度为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快恢复半导体二极管，其特征是，包括焊剂层（1），芯片区（2），钝化层（3），封体（4），负极铜引线（5）和正极铜引线6，所述的焊剂层（1）将芯片区（2）与负极铜引线（5）和正极铜引线6固定连接；所述的负极铜引线（5）具体采用两个；所述的负极铜引线（5）设置在芯片区（2）的外侧；所述的正极铜引线（6）设置在芯片区（2）的中部；所述的钝化层（3）包裹在芯片区（2）和焊料层（1）外侧；所述的封体4包裹在钝化层（3）的外部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许霞林，
申请(专利权)人：深圳市九鼎安电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44