一种电容传感器制造技术

本实用新型专利技术提供一种电容传感器，属于触摸传感器技术领域。本实用新型专利技术的电容传感器包括衬底以及在所述衬底上单层地设置的传感器电极阵列，所述传感器电极阵列包括若干列在行的方向上依次排布的传感器电极组，其中每列传感器电极组包括多个发射电极单元和至少一个接收电极；其中，至少部分所述发射电极单元具有延伸部。本实用新型专利技术的电容传感器不规则的电容耦合小，准确度/线性度好。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于触摸传感器
，涉及一种至少部分发射电极单元带有延伸部的电容传感器。
技术介绍
电容传感器通过检测电容信号的变化可以感测输入对象在接近感测装置的感测区上的位置，其广泛应用于触控输入装置中，例如应用于各种触控显示器中。电容传感器的重要关键部件为传感器电极阵列，其对应为感测区；当输入对象(例如手指)接近传感器电极阵列时，相应位置的电容信号发生变化，从而感测出输入对象在感测区上的位置甚至动作。而对于诸如互电容式电容传感器，其传感器电极阵列包括按行和列排布的发射电极和接收电极，其中发射电极上设置有迹线以电连接电容传感器的处理装置，从而可以通过迹线向该发射电极上偏置某一信号，例如，在实际应用过程中，对传感器电极阵列的发射电极逐行扫描(即逐行偏置信号)以及检测规则的耦合电容的大小变化。目前，业界不断追求电容传感器的感测灵敏性和准确度/线性度，其中，传感器电极阵列的电极的构图和布置对其感测精度和准确性具有重要影响。然而，传感器电极阵列中产生的不规则的(或不期望的)耦合电容容易对电容传感器的准确度/线性度等性能产生负面影响。
技术实现思路
本技术的目的之一在于，减少电容传感器的传感器电极阵列中不规则的电容耦合，以提高电容传感器的性能。为实现以上目的或者其他目的，本技术一种电容传感器，包括衬底以及在所述衬底上单层地设置的传感器电极阵列，所述传感器电极阵列包括若干列在行的方向上依次排布的传感器电极组，其中每列传感器电极组包括:多个发射电极单元，其被设置为在列的方向上依次交错地排列，其中，每个所述发射电极单元具有从其第一端沿所述列的方向引出的迹线；以及至少一个接收电极，其沿所述列的方向曲折地设置并与所述发射电极单元交叉布置以与所述发射电极单元电容地耦合；其中，至少部分所述发射电极单元具有沿与所述迹线的方向相反的方向、从其第二端延伸出的延伸部。优选地，所述延伸部的长度等于所述发射电极单元在列的方向上的长度的一半。按照本技术一实施例的电容传感器，其中，多个发射电极单元中的每个都具有所述延伸部；所述电容传感器包括η列所述传感器电极组，每列所述传感器电极组包括m行所述发射电极单元；其中，第i列的所述传感器电极组的第c行的所述发射电极单元的延伸部位于第i列的所述传感器电极组的第(c+1) / (c-1)行的发射电极单元对应的接收电极部分与第(i+Ι)列或第(i_l)列的所述传感器电极组的第(c+1) / (c-Ι)行的发射电极单元之间，其中，2<i<n，n彡3，2<c<m，m彡3，且m、n、i和c为整数。按照本技术又一实施例的电容传感器，其中，所述电容传感器包括η列所述传感器电极组，每列所述传感器电极组包括m行所述发射电极单元；其中，η列所述传感器电极组的第1行至第t行的发射电极单元的迹线沿所述列的方向向上引出，η列所述传感器电极组的第(t+Ι)行至第m行的发射电极单元的迹线沿所述列的方向向下引出，2 < t < (m-2)，m彡4，11彡3，且111、11和七为整数；其中，η列所述传感器电极组的至少第(t-Ι)行至第(t+2)行的所述发射电极单元设置有所述延伸部。优选地，第i列的所述传感器电极组的第t行/第(t+Ι)行的所述发射电极单元对应设置有从第(i+1)列或第(1-1)列的所述传感器电极组的第(t+1)和(t-1)行/第t和(t-2)行的发射电极单元分别延出的延伸部，其中，2 < i <n，i为整数。在之前所述任一的电容传感器中，所述传感器电极阵列还包括边界部，其中，所述边界部设置有多条所述迹线，并且，第1列的所述传感器电极组的第C行的所述发射电极单元的延伸部位于第1列的所述传感器电极组的第(c+1)或(c-Ι)行的发射电极单元对应的接收电极部分与所述边界部之间，其中，2 < c < m且c为整数。优选地，第i列的所述传感器电极组的第f行的所述发射电极单元的所述延伸部相对靠近第(i+Ι)列或第(1-Ι)列的所述传感器电极组的第(f+1)/ (f_l)行的发射电极单元，其中，(t-1) <(t+l)且f为整数。具体地，所述延伸部为延伸线，所述延伸线的宽度与所述迹线的宽度相等。 具体地，每个所述发射电极单元跨越该列传感器电极组的在所述列的方向上的中心线布置。在一实施例中，所述衬底为显示器中的显示面板的一部件。本技术的电容传感器的传感器电极阵列中不规则的电容耦合被所述延伸部屏蔽减小，从而电容传感器的准确度/线性度得到提高。【附图说明】从结合附图的以下详细说明中，将会使本技术的上述和其他目的及优点更加完整清楚，其中，相同或相似的要素采用相同的标号表示。图1是现有的电容传感器的传感器电极阵列的结构示意图。图2是按照本技术一实施例的电容传感器的传感器电极阵列的结构示意图。图3是图2中的发射电极单元的结构示意图，其中图3(a)为一实施例的发射电极单元，图3 (b)为又一实施例的发射电极单元。【具体实施方式】下面介绍的是本技术的多个可能实施例中的一些，旨在提供对本技术的基本了解，并不旨在确认本技术的关键或决定性的要素或限定所要保护的范围。图1所示为现有的电容传感器的传感器电极阵列的结构示意图。图2所示为按照本技术一实施例的电容传感器的传感器电极阵列的结构示意图。以下针对图1所示的现有的传感器电极阵列的改进来说明本技术实施例的电容传感器的传感器电极阵列，但是应当理解到，本技术的传感器电极阵列并不限于基于图1所示的传感器电极阵列改进而形成。为描述的方便和清晰，传感器电极阵列中的行的方向定义为X方向，列的方向定义为1方向。如图1所示，其中示出了局部的电容传感器的传感器电极阵列100，包括边界部110以及若干列在X方向依次排布的传感器电极组120，传感器电极组120主要由若干发射电极单元121和一个接收电极125组成。以7行X3列为示意说明，xl、x2、x3表示列的坐标，yl、y2、y3、y4、y5、y6和y7表示行的坐标；如图1中示例的第xl列，其传感器电极组120包括7个发射电极单元121，每个发射电极单元121跨越第xl列的传感器电极组120的中心线129布置，并且在y方向上依次交错地排列；第xl列的传感器电极组120还包括一接收电极125，其在y方向上曲折地设置，并与每个发射电极单元121交叉布置。在该实施例中，每个发射电极单元121大致设置为梳状，且与每个发射电极单元121对应的接收电极部分也大致设置梳状，从而每个发射电极单元121与相应的接收电极部分形成交叉梳状的单元结构，该单元结构中发射电极单元121与相应的接收电极电容地親合，从而，可以用来检测输入对象靠近时的电容信号变化。需要说明的是，每个发射电极单元121与其对应交叉耦合的接收电极部分之间形成的电容为规则电容。然而，申请人发现，在正常扫描时传感器电极阵列100时，被扫描的某一行的发射电极单元121所引出的迹线1211也偏置有同样的信号，其会与其他行的接收电极部分产生不规则的电容耦合；并且，被扫描的某一行的发射电极单元121中，某一列发射电极单元121也会与相邻列的接收电极产生不规则的电容耦合。因此，实际应用时，图1所示本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容传感器，包括衬底以及在所述衬底上单层地设置的传感器电极阵列，所述传感器电极阵列包括若干列在行的方向上依次排布的传感器电极组，其中每列传感器电极组包括：　　多个发射电极单元，其被设置为在列的方向上依次交错地排列，其中，每个所述发射电极单元具有从其第一端沿所述列的方向引出的迹线；以及　　至少一个接收电极，其沿所述列的方向曲折地设置并与所述发射电极单元交叉布置以与所述发射电极单元电容地耦合；　　其特征在于，至少部分所述发射电极单元具有沿与所述迹线的方向相反的方向、从其第二端延伸出的延伸部。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孟得全，张翼飞，
申请(专利权)人：辛纳普蒂克斯公司，
类型：新型
国别省市：美国;US