相位差膜以及包括该相位差膜的偏振片制造技术

技术编号:12854045 阅读:218 留言:0更新日期:2016-02-11 18:27
本发明专利技术提供一种全宽相位差在5nm以下,且全宽相位差的离差(dispersion)在1.5nm以下的相位差膜以及包括该相位差膜的偏振片。本发明专利技术的相位差膜能够抑制在制造工序中产生的不均缺陷,以改善显示器面板的视觉确认性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及相位差膜以及包括该相位差膜的偏振片,具体涉及能够抑制在制造工 序中产生的不均缺陷的相位差膜以及包括该相位差膜的偏振片。
技术介绍
相位差膜可用于多种用途。具体而言,在液晶显示装置中可用于消除图像的着色, 或用于放大视野角,而在有机发光元件中可用于防止反射或校正偏振片的色相。进而,在触 摸面板中,可用于通过降低外部光反射以提升视觉确认性。 然而,上述相位差膜有时由于在制造工序中产生的错误或制造不良等而产生斑点 图案的不均缺陷,在进行面板的视觉确认性评价时会成为问题。 然而,迄今为止,尚未知晓能够有效抑制相位差膜的不均产生的方法。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本公开专利平10-312166号
技术实现思路
专利技术要解决的问题 本专利技术就是为了解决上述的问题点而完成的,其目的之一在于,提供一种能够抑 制在制造工序中产生的不均缺陷的相位差膜。 本专利技术的另一个目的在于,提供一种通过在偏振元件上层积上述相位差膜而构成 的偏振片。 本专利技术的另一个目的在于,提供一种通过包括上述偏振片而构成的图像显示装 置。 用于解决问题的手段 另一方面,本专利技术提供一种相位差膜,其全宽相位差为5nm以下,并且全宽相位差 的离差(dispersion)为I. 5nm以下。 在本专利技术的一个实施方式中,上述相位差膜的部分相位差的离差为Inm以下。 在本专利技术的一个实施方式中,上述相位差膜是λ/4相位差膜。 另外,本专利技术提供一种由上述相位差膜层积于偏振元件而构成的偏振片。 此外,本专利技术提供一种通过包括上述偏振片而构成的图像显示装置。 专利技术的效果 本专利技术的相位差膜能够抑制在制造工序中产生的不均缺陷,以改善显示器面板的 视觉确认性。【附图说明】 图1是示意性表示本专利技术一个实施方式的偏振片的截面图。 图2是示意性表示本专利技术的另一个实施方式的偏振片的截面图。 符号说明 100、200 :偏振片,110、210 :保护膜,120、220 :偏振元件,125、135、225 :粘结剂层, 130、230 :相位差膜【具体实施方式】 以下,进一步详细说明本专利技术。 本专利技术的一个实施方式涉及全宽相位差为5nm以下、并且全宽相位差的离差 (dispersion)为I. 5nm以下的相位差膜。 在本专利技术的一个实施方式中,上述全宽相位差可以为2nm以下,全宽相位差的离 差可以为Inm以下。 本专利技术一个实施方式的相位差膜的特征在于,部分相位差的离差为Inm以下。 本专利技术中,全宽相位差意味着,对相位差膜的整体宽度进行测定而得到的面内相 位差;而部分相位差意味着,以整体宽度作为基准,在与左侧部、中央部或右侧部相距15_ 的局部以3mm的间隔在5个位置测定得到的面内相位差。 上述面内相位差Re是通过下式1定义的值。 【数1】 Re = (nx_ny) Xd 上述式中, !^表示在膜的面内示出最大折射率的轴(慢轴)方向的折射率, ny表示与上述慢轴正交的方向的折射率, d表示膜的厚度(nm)。 本专利技术中,测定相位差膜的面内相位差的方法不做特别限定,例如可以通过在后 述的实验例中提示的方法进行测定。 在本专利技术的一个实施方式中,将相位差膜的全宽相位差调节为5nm以下,将全宽 相位差的离差调节为I. 5nm以下,优选将全宽相位差调节为2nm以下,将全宽相位差的离差 调节为Inm以下,从而能够抑制在制造工序中产生的不均缺陷。 在本专利技术的另一个实施方式中,将相位差膜的全宽相位差调节为5nm以下,将全 宽相位差的离差调节为I. 5nm以下,并且将部分相位差的离差调节为Inm以下,从而能够抑 制在制造工序中广生的不均缺陷。 本专利技术一个实施方式的相位差膜可以是λ /4相位差膜。 上述λ/4相位差膜意味着承担下述作用的膜:对通过偏振元件且偏振的线偏振 光赋予相当于1/4波长的相位差,使上述线偏振光变为圆偏振光。 作为可形成本专利技术一个实施方式的相位差膜的材料,只要能够表示上述特性即 可,不做特别限制,可以采用任意的优选材料。例如,上述相位差膜可通过在透明基材上涂 布包含光取向性聚合物和反应性液晶化合物的涂覆层形成组合物并使其固化而制造得到。 作为上述光取向性聚合物,可举出具有感光性结构的聚合物。如果对具有感光性 结构的聚合物照射光,则被照射的部分的感光性结构会发生异构化或交联,从而使得光取 向性聚合物进行取向,体现出将液晶成分取向于一定方向上的力(取向限制力)。 作为上述感光性结构,可举出偶氮苯结构、螺吡喃结构、螺吡哺结构、俘精酸酐 (fulgide)结构等借助光照射而异构化的感光性结构;和马来酰亚胺结构、查耳酮型结构、 肉桂酸型结构、1,2-乙烯结构、1,2-乙炔结构等借助光照射而交联的感光性结构。 作为上述光取向性聚合物的示例,可举出:对具有感光性结构与1个以上的自由 基聚合性基团(优选为乙烯基、丙烯酰基或甲基丙烯酰基)的单体进行自由基聚合而得到 的聚合物;将具有感光性结构和2个以上的氨基的单体与二羧酸化合物聚合而得到的聚合 物;将具有感光性结构和2个以上的羧基的单体与二胺化合物聚合而得到的聚合物;以及 对具有感光性结构的单体进行阴离子聚合、阳离子聚合等的链式聚合、配位聚合或开环聚 合而得到的聚合物。在这些之中,优选为对具有感光性结构与1个以上的自由基聚合性基 团的单体进行自由基聚合而得到的聚合物。 在上述光取向性聚合物为对具有感光性结构与1个自由基聚合性基团的单体进 行自由基聚合而得到的情况下,在该单体中,优选感光性结构与自由基聚合性基团经由亚 烷基而键合。该亚烷基的碳原子数优选为3~20的范围,更优选为5~10的范围。此外, 上述感光性结构与自由基聚合性基团也可以通过酯键(-C0-0-或-0-C0-)或醚键(-0-)而 键合。 上述光取向性聚合物可以是对具有各自不同的感光性结构的2种以上的单体 进行聚合而得到的共聚物。此外,光取向性聚合物可以包含来自于不具有感光性结构的 单体的构成成分(结构单元)。这种情况下,光取向性聚合物的所有构成成分(结构单 元UOOmol %中,来自于不具有感光性结构的单体的构成成分(结构单元)的含量优选为 50~95mol%、更优选为60~90mol%、进一步优选为70~80mol%的范围。 作为上述光取向性聚合物,可使用市售品,作为其具体例,可举出由BASF公司市 售的LR9000。这些光取向性聚合物既可以单独使用,也可以组合多种使用。 上述光取向性聚合物的数均分子量优选为20,000~100,000、更优选为25,000~ 80,000、进一步优选为30,000~50,000的范围。如果数均分子量为上述范围内,则在使液 晶组合物取向时,液晶性成分的取向性会变得更好。 上述反应性液晶化合物是具有液晶性的化合物,在分子中具有1个以上的聚合性 基团。聚合性基团指的是参与到反应性液晶化合物的聚合反应中的基团。作为聚合性基团, 可举出乙烯基、乙烯基氧基、1-氯乙烯基、异丙烯基、4-乙烯基苯基、丙稀酰氧基、甲基丙稀 酰氧基、环氧乙基和氧杂环丁基。 上述聚合性液晶化合物优选其分子中具有2个以上的环结构,更优选具有3个以 上的环结构。作为环结构,可举出苯基环(苯环)、环己烷环、萘环、嘧啶环、吡啶环和噻吩 环,其中优选为苯基环(苯环本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相位差膜,全宽相位差为5nm以下,并且全宽相位差的离差为1.5nm以下。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:许智惠李济赫
申请(专利权)人:东友精细化工有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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