本发明专利技术公开了一种改进的半桥拓扑电路，包括依次串联连接的动态磁平衡调整电路、隔离磁环驱动电路和半桥电路。本发明专利技术能够改进现有技术的不足，成功克服了半桥电路串并联的磁平衡问题以及驱动不同步的问题，实现了多个半桥电路协同工作。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电源电路，尤其是一种改进的半桥拓扑电路。
技术介绍
高频直流电源广泛应用于风力发电，新能源以及工业车辆等行业，半桥电路是高频直流电源最常用的拓扑电路。随着行业的不断成熟和壮大，小体积、大功率的直流电源是发展趋势。半桥电路受限于元器件等问题无法满足需求。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种改进的半桥拓扑电路，能够解决现有技术的不足，成功克服了半桥电路串并联的磁平衡问题以及驱动不同步的问题，实现了多个半桥电路协同工作。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的技术方案如下。一种改进的半桥拓扑电路，其特征在于:包括依次串联连接的动态磁平衡调整电路、隔离磁环驱动电路和半桥电路。作为优选，所述动态磁平衡调整电路包括IR2213芯片，IR2213芯片的10号引脚连接INH信号输入端，12号引脚连接INL信号输入端，IR2213芯片的7号引脚输出0UTA驱动信号，1号引脚输出0UTB驱动信号，IR2213芯片的9号引脚和3号引脚连接至数字电源，IR2213芯片的9号引脚还通过第七电容连接至DD端，IR2213芯片的2号引脚直接连接至DD立而；HVDC端与DD端之间串联有第一电容和第二电容，同时第一电阻、第二电阻、第五电阻和第四电阻串联在HVDC端与D0端之间，并与第一电容和第二电容保持并联关系，第一电容和第二电容的中间点通过第三电阻、第二电阻和第七电阻连接至第一 LM324芯片的正向输入端，第二电阻和第五电阻的中间点通过第八电阻、第九电阻和第十电阻连接至第一LM324芯片的反相输入端，第一 LM324芯片的反相输入端通过第^ 电阻连接至参考电压端，第一 LM324芯片的正电源端通过第三电容连接至DD端，第一 LM324芯片的负电源端直接连接至DD端，第一 LM324芯片的正向输入端通过第十二电阻连接至第一 LM324芯片的输出端，第一 LM324芯片的输出端通过第十三电阻连接至第二 LM324芯片的正向输入端，第二LM324芯片的反向输入端连接至参考电压端，第二 LM324芯片的正向输入端通过第四电容连接至第二 LM324芯片的输出端，第二 LM324芯片的输出端通过第十五电阻和第十四电阻连接至IR2213芯片的10号引脚，第十五电阻和第十四电阻的中间点通过第五电容连接至DD端，第二 LM324芯片的输出端第十六电阻连接至第三LM324芯片的正向输入端，第三LM324芯片的反向输入端连接至参考电压端，第三LM324芯片的正向输入端通过第十七电阻连接至第三LM324芯片的输出端，第三LM324芯片的输出端通过第十八电阻和第十九电阻连接至IR2213芯片的12号引脚，第十八电阻和第十九电阻的中间点通过第六电容连接至DD端。作为优选，所述隔离磁环驱动电路包括两个并联的隔离磁环驱动模块，两个隔离磁环驱动模块的输入端分别连接至IR2213芯片的7号引脚和1号引脚，用于接收0UTA驱动信号和0UTB驱动信号，每个隔离磁环驱动模块包括第一变压器组，第一变压器组一次侧的中间抽头连接高电平，第一变压器组一次侧的一端通过第一整流二极管连接到DD端，第一整流二极管的正极连接至DD端，另一端连接至第一增强型N沟道绝缘栅场效应管的漏极，第一增强型N沟道绝缘栅场效应管的源极连接至DD端，第一增强型N沟道绝缘栅场效应管的栅极连接第一限流电阻作为隔离磁环驱动模块的输入端；第一变压器组的二次侧分为两个绕组，每个绕组上并联有两个中间电阻，绕组的一端通过第二整流二极管作为第一输出端，绕组的另一端作为第二输出端。作为优选，所述半桥电路包括两个分别连接在第二变压器组一次侧两个绕组上的半桥电路模块，半桥电路模块包括两个串联的滤波电容和两个串联的第二增强型N沟道绝缘栅场效应管，滤波电容和第二增强型N沟道绝缘栅场效应管之间并联连接，第二增强型N沟道绝缘栅场效应管的漏极一端连接至HVDC端，第二增强型N沟道绝缘栅场效应管的栅极通过连接第二限流电阻作为第一输入端，第二限流电阻两侧并联设置有第三限流电阻和第三整流二极管，第三整流二极管的负极朝向第一输入端，两个滤波电容上分别设置有第二输入端，第二变压器组一次侧绕组的两端分别连接至两个滤波电容之间和两个第二增强型N沟道绝缘栅场效应管之间；第二变压器组的二次侧线圈的两端分别通过第四整流二极管连接至滤波电感作为输出端，第二变压器组的二次侧线圈的中间抽头接地。采用上述技术方案所带来的有益效果在于:动态磁平衡电路解决了单个甚至多个半桥电路串并联设计受限于磁平衡，无法使用于大功率电源的电路设计缺陷，使半桥电路可以适用于更广阔范围。磁环隔离驱动电路保证了多个半桥串并联电路驱动的同步性，为多个半桥电路串并联的驱动同步性提供了保障。动态磁平衡电路做多个半桥电路串并联主电路保障，磁环隔离驱动电路做多个半桥串并联电路的驱动同步性保障。在以上两个电路保障下的多个半桥串并联电路设计为更高功率密度的电源、更大范围输入电压的电源提供解决方案。【附图说明】图1是本专利技术一个【具体实施方式】中动态磁平衡调整电路的电路图。图2是本专利技术一个【具体实施方式】中隔离磁环驱动电路的电路图。图3是本专利技术一个【具体实施方式】中半桥电路的电路图。【具体实施方式】本专利技术中使用到的标准零件均可以从市场上购买，在此不再详述。参照图1-3，本专利技术一个【具体实施方式】包括依次串联连接的动态磁平衡调整电路、隔离磁环驱动电路和半桥电路。所述动态磁平衡调整电路包括IR2213芯片，IR2213芯片的10号引脚连接INH信号输入端，12号引脚连接INL信号输入端，IR2213芯片的7号引脚输出0UTA驱动信号，1号引脚输出0UTB驱动信号，IR2213芯片的9号引脚和3号引脚连接至数字电源，IR2213芯片的9号引脚还通过第七电容连接至DD端，IR2213芯片的2号引脚直接连接至DD端；HVDC端与DD端之间串联有第一电容和第二电容，同时第一电阻、第二电阻、第五电阻和第四电阻串联在HVDC端与D0端之间，并与第一电容和第二电容保持并联关系，第一电容和第二电容的中间点通过第三电阻、第二电阻和第七电阻连接至第一 LM324芯片的正向输入端，第二电阻和第五电阻的中间点通过第八电阻、第九电阻和第十电阻连接至第一LM324芯片的反相输入端，第一 LM324芯片的反相输入端通过第^ 电阻连接至参考电压端，第一 LM324芯片的正电源端通过第三电容连接至DD端，第一 LM324芯片的负电源端直接连接至DD端，第一 LM324芯片的正向输入端通过第十二电阻连接至第一 LM324芯片的输出端，第一 LM324芯片的输出端通过第十三电阻连接至第二 LM324芯片的正向输入端，第二LM324芯片的反向输入端连接至参考电压端，第二 LM324芯片的正向输入端通过第四电容连接至第二 LM324芯片的输出端，第二 LM324芯片的输出端通过第十五电阻和第十四电阻连接至IR2213芯片的10号引脚，第十五电阻和第十四电阻的中间点通过第五电容连接至DD端，第二 LM324芯片的输出端第十六电阻连接至第三LM324芯片的正向输入端，第三LM324芯片的反向输入端连接至参考电压端，第三LM324芯片的正向输入端通过第十七电阻连接至第三LM324芯片的输出端，第三LM324芯片的输出本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种改进的半桥拓扑电路，其特征在于：包括依次串联连接的动态磁平衡调整电路、隔离磁环驱动电路和半桥电路。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：徐署东，
申请(专利权)人：北京嘉昌机电设备制造有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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