一种用于对晶体硅进行钝化的设备及方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种用于对晶体硅进行钝化的设备及方法，所述设备包括钝化单元和传输单元，所述钝化单元包括：炉体，在所述炉体一侧设置有第一进料口，另一侧设置有第一出料口；在所述炉体腔内的下部设置有透明腔室，在所述透明腔室的一侧设置有第二进料口，另一侧设置有第二出料口，所述透明腔室与进气管相连，且所述进气管的气体出口端位于所述透明腔室内部，所述进气管的气体入口端位于所述炉体外侧；所述炉体腔内设置有加热装置和紫外光源；所述传输单元包括传输皮带，所述传输皮带依次通过所述第一进料口和所述第二进料口进入透明腔室，并依次通过所述第二出料口和所述第一出料口离开炉体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶体娃制备领域，特别涉及一种用于对晶体娃进行纯化的设备及方 法。
技术介绍
目前，太阳能发电在世界各国都受到了高度的重视，而作为太阳能发电的核必部 件一太阳能电池，自然成为各国研究人员的研究热点。送里所说的太阳能电池一般是指将 单个晶体娃太阳能电池进行串联或并联后，再严密封装所形成的晶体娃光伏组件。 现有技术中，存在于晶体娃光伏组件中的电路与其接地金属边框之间的高电压， 会造成组件的光伏性能的持续衰减。造成此类衰减的机理是多方面的，例如在上述高电 压的作用下，组件电池的封装材料和组件上表面层及下表面层的材料中出现的离子迁移 现象；电池中出现的热载流子现象；电荷的再分配削减了电池的活性层；相关的电路被腐 蚀等等。送些引起衰减的机理被称之为电位诱发衰减（PotentialIn^cedDegradation, PID)，导致晶体娃光伏组件的光伏性能变差。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种用于对晶体娃进行纯化的设备及方 法，技术方案如下： -种用于对晶体娃进行纯化的设备，包括纯化单元和传输单元，所述纯化单元包 括；炉体，在所述炉体一侧设置有第一进料口，另一侧设置有第一出料口；在所述炉体腔内 的下部设置有透明腔室，在所述透明腔室的一侧设置有第二进料口，另一侧设置有第二出 料口，所述透明腔室与进气管相连，且所述进气管的气体出口端位于所述透明腔室内部，所 述进气管的气体入口端位于所述炉体外侧；所述炉体腔内设置有加热装置和紫外光源； 所述传输单元包括传输皮带，所述传输皮带依次通过所述第一进料口和所述第二 进料口进入透明腔室，并依次通过所述第二出料口和所述第一出料口离开炉体。 同时，本专利技术实施例还提供了一种应用上述设备对晶体娃进行纯化的方法，包 括： 将刻蚀后的晶体娃由传输皮带送入透明腔室，所述透明腔室内由进气管通入氧 气； 将透明腔室内的晶体娃由加热装置加热至预设的第一温度阔值； 利用预置在透明腔室外部的紫外光源对加热至第一温度阔值的晶体娃进行紫外 线照射5~150砂，使透明腔室内部的氧气形成莫氧，再利用莫氧与透明腔室内的晶体娃表 面发生氧化反应，生成纯化层； 将生成纯化层的晶体娃由传输皮带移出炉体。 本专利技术技术方案通过将晶体娃置于透明腔室中，在将其加热至第一温度阔值后， 利用预置在透明腔室外部的紫外光源对透明腔室内的晶体娃进行紫外线照射，由于紫外线 在透明腔室中会发生折射、反射，使得紫外线可W从多角度照射晶体娃表面，使得晶体娃表 面的氧气转化成莫氧后与晶体娃反应，在其表面形成致密的Si化纯化层，大大减少电位诱 发衰减（PotentialIn化cedDegradation,PID)的发生，防止晶体娃光伏组件的光伏性能变 差。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可W 根据送些附图获得其他的附图。 图1为本专利技术实施1的一种用于对晶体娃进行纯化的设备结构示意图； 图2为本专利技术实施1的另一种用于对晶体娃进行纯化的设备结构示意图； 图3为本专利技术实施1的另一种用于对晶体娃进行纯化的设备结构示意图； 图4为本专利技术实施1的另一种用于对晶体娃进行纯化的设备结构示意图； 图5为本专利技术实施1的另一种用于对晶体娃进行纯化的设备结构示意图； 图6为实施1中调节装置15和支架16的局部放大结构示意图； 图7是沿图6中A-A线的剖视图。【具体实施方式】 下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本专利技术保护的范围。 实施例1 如图1所示，一种用于对晶体娃进行纯化的设备，包括纯化单元和传输单元， 所述纯化单元包括；炉体1，在所述炉体一侧设置有第一进料口，另一侧设置有第 一出料口；在所述炉体1腔内的下部设置有透明腔室2,在所述透明腔室2的一侧设置有第 二进料口，另一侧设置有第二出料口，所述透明腔室2与进气管3相连，且所述进气管3的 气体出口端位于所述透明腔室2内部，所述进气管3的气体入口端位于所述炉体1外侧；所 述炉体1腔内设置有加热装置4和紫外光源5 ;所述传输单元包括传输皮带6,所述传输皮带6依次通过所述第一进料口和所述 第二进料口进入透明腔室2,并依次通过所述第二出料口和所述第一出料口离开炉体1。 如图1所示，所述对晶体娃进行纯化的设备还具有其它辅助部件，包括：框架7、驱 动电机8、驱动皮带9、主动漉10和传动漉11，所述框架7、驱动电机8、驱动皮带9、主动漉 10和传动漉11，送些辅助部件的实现方式与现有技术相同，在本实施例中不做详细说明。 需要说明的是，图1只是一种用于对晶体娃进行纯化的设备的结构示意图，虽然 图1中出现了多个热装置4和多个紫外光源5,但并不表示本专利技术的技术方案中就存在相应 数量的热装置4和相应数量的紫外光源5,图1只能表示本专利技术的技术方案中存在热装置4 和紫外光源5,图中显示的热装置4和紫外光源5的具体数量不能成为对本专利技术技术方案的 限定。 在本专利技术的技术方案中，优选使用的紫外光源为能发出150-250nm波长紫外线的 紫外光源。更优选使用能发出180-220nm波长紫外线的紫外光源。 在实际应用中，上述的加热装置4可选择红外加热灯或其它能够对炉体1中的气 体进行加热的装置，例如电阻丝加热器。 需要说明的是，对于加热装置4的种类、数量W及安装位置，本领域技术人员可W 根据实际生产需要进行选择，本专利技术在此不作具体限定。 在具体实施本专利技术的技术方案过程中，透明腔室的材料可W选择石英，当然，可W 理解的是，其它的透明材料，例如玻璃或其它能够透过紫外线的材料都可W应用在本专利技术 的技术方案中。透明腔室材料的选择本领域技术人员可W根据实际生产需要确定，本专利技术 在此不作具体限定。 在具体实施本专利技术的技术方案过程中，可W将炉体1设计成可拆分的上炉体和下 炉体。送样可W更加便于对炉体1内的透明腔室2、加热装置4或紫外光源5等部件进行安 装和维护。 同理，在具体实施本专利技术的技术方案过程中，可也W将透明腔室2设计成可拆分 的透明腔体和透明盖板，从而可W对透明腔室的部件进行安装和维护。 在具体实施本专利技术的技术方案过程中，为防止由于紫外线的照射造成传输皮带6 的老化，传输皮带6可选用耐紫外线的材料制成。当然可W理解的是，不选用耐紫外线的材 料制成的传输皮带6同样可W实现本专利技术的技术方案。本领域技术人员可W根据实际情况 来选择传输皮带6的材料、宽度、厚度及样式，本专利技术在此不作具体限当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于对晶体硅进行钝化的设备，包括钝化单元和传输单元，其特征在于，所述钝化单元包括：炉体，在所述炉体一侧设置有第一进料口，另一侧设置有第一出料口；在所述炉体腔内的下部设置有透明腔室，在所述透明腔室的一侧设置有第二进料口，另一侧设置有第二出料口，所述透明腔室与进气管相连，且所述进气管的气体出口端位于所述透明腔室内部，所述进气管的气体入口端位于所述炉体外侧；所述炉体腔内设置有加热装置和紫外光源；所述传输单元包括传输皮带，所述传输皮带依次通过所述第一进料口和所述第二进料口进入透明腔室，并依次通过所述第二出料口和所述第一出料口离开炉体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李伯平，陈位，江正平，徐跃民，岳丁杰，
申请(专利权)人：南京华伯仪器科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32