本发明专利技术提供一种能够广泛使用的离子注入装置。本发明专利技术的离子注入装置具备扫描单元(1000)，该扫描单元包括：扫描电极装置(400)，向沿着基准轨道(Z)射入的离子束B施加偏转电场，以向与基准轨道(Z)正交的横向扫描离子束(B)；及上游电极装置(300)，由设置于扫描电极装置(400)的上游的多个电极体构成。扫描电极装置(400)具备隔着基准轨道(Z)横向对置而设的一对扫描电极(410R，410L)及隔着基准轨道(Z)而在与横向正交的纵向对置而设的一对射束输送补正电极(450)。一对射束输送补正电极(450)分别在扫描电极装置(400)的入口(402)附近具有向基准轨道(Z)纵向延伸的射束输送补正入口电极体(454)。
【技术实现步骤摘要】
本申请主张基于2014年5月26日申请的日本专利申请第2014-108007号的优先权。其申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。本专利技术涉及一种离子注入装置。
技术介绍
在一种离子注入装置中连接有离子源及其电源，以使具有较小射束电流量的离子束从离子源引出(例如，参考专利文献1)。该装置中能够改变离子源和电源的连接，以使具有较大射束电流量的尚子束从尚子源引出。另一种离子注入装置具有离子源、加速管及连接它们的电源的电路，以使以较高的离子能量向靶注入离子(例如参考专利文献2)。该电路上设有用于切换连接的选择开关，以便在离子能量较低时也能够注入离子。专利文献1:日本特开昭62-122045号公报专利文献1:日本特开平1-149960号公报如上所述尝试稍微扩大离子注入装置的运转范围。但就超过现有类型的运转范围的扩张而言，几乎没有可行性建议。离子注入装置通常被分为高电流离子注入装置、中电流离子注入装置及高能量离子注入装置这3个类型。实际应用中所需的设计上的要件按类型有所不同，因此一种类型的装置与另一种类型的装置，例如关于射束线，可具有大不相同的结构。因此，认为在离子注入装置的用途(例如半导体制造工艺)上，类型不同的装置不具有互换性。即，在一种特定离子注入处理中选择使用特定类型的装置。由此，为了进行各种离子注入处理，可能需要具备多种离子注入装置。
技术实现思路
本专利技术的一种方式所例示的目的之一为提供一种能够广泛使用的离子注入装置，例如，以1台离子注入装置实现高电流离子注入装置及中电流离子注入装置这两台装置的作用的离子注入装置。本专利技术的一种方式的离子注入装置，其具备扫描单元，该扫描单元包括:扫描电极装置，向沿着基准轨道射入的离子束施加偏转电场，以向与基准轨道正交的横向扫描离子束；及上游电极装置，由设置于扫描电极装置的上游的多个电极体构成，该离子注入装置中，扫描电极装置具备:一对扫描电极，隔着基准轨道横向对置而设；及一对射束输送补正电极，隔着基准轨道在与横向正交的纵向对置而设。一对射束输送补正电极分别在扫描电极装置的入口附近具有朝基准轨道向纵向延伸的射束输送补正入口电极体。本专利技术的另一方式也同样是离子注入装置。该装置具备扫描单元，该扫描单元包括:扫描电极装置，向沿着基准轨道射入的离子束施加偏转电场，以向与基准轨道正交的横向扫描离子束；及上游电极装置，由设置于扫描电极装置的上游的多个电极体构成，该离子注入装置中，上游电极装置具备配置于扫描电极装置的紧跟着的上游，且设有离子束通过用开口部的上游第1基准电压电极，上游第1基准电压电极具有:下游面，与扫描电极装置对置，且与基准轨道正交；及一对像差补正部，在下游面与横向正交的纵向隔着开口部而设，且具有自下游面向扫描电极装置凸出或凹陷的形状，通过设置一对像差补正部，沿着基准轨道方向的开口部的厚度在位于基准轨道附近的中央部与横向远离中央部的侧方部不同。另外，在方法、装置、系统、程序等之间相互置换以上构成要件的任意组合或本专利技术的构成要件和表现形式，作为本专利技术的方式同样有效。专利技术效果根据本专利技术可提供一种能够广泛使用的离子注入装置。【附图说明】图1为针对几种典型的离子注入装置，示意地表示能量及剂量的范围的图。图2为概略表示本专利技术的一种实施方式所涉及的离子注入装置的图。图3为概略表示本专利技术的一种实施方式所涉及的离子注入装置的图。图4为表示本专利技术的一种实施方式所涉及的离子注入方法的流程图。图5(a)为表示本专利技术的一种实施方式所述涉及的离子注入装置的概略结构的俯视图，图5(b)表示本专利技术的一种实施方式所涉及的离子注入装置的概略结构的侧视图。图6为概略表示本专利技术的一种实施方式所涉及的离子注入装置的电源结构的图。图7为概略表示本专利技术的一种实施方式所涉及的离子注入装置的电源结构的图。图8 (a)为表示本专利技术的一种实施方式所涉及的离子注入装置中的电压的图，图8(b)为表示本专利技术的一种实施方式所涉及的离子注入装置中的能量的图。图9 (a)为表示本专利技术的一种实施方式所涉及的离子注入装置中的电压的图，图9(b)为表示本专利技术的一种实施方式所涉及的离子注入装置中的能量的图。图10为表示本专利技术的实施方式所涉及的离子注入方法的流程图。图11为针对本专利技术的一种实施方式所涉及的离子注入装置，示意地表示能量及剂量的范围的图。图12为针对本专利技术的一种实施方式所涉及的离子注入装置，示意地表示能量及剂量的范围的图。图13为用于说明使用典型的离子注入装置的图。图14为用于说明使用本专利技术的一种实施方式所涉及的离子注入装置的图。图15为表示本专利技术的一种实施方式所涉及的离子注入装置所具备的扫描单元的结构的立体剖视图。图16(a)及图16(b)为表示图15所示的上游电极装置、扫描电极装置以及下游电极装置的概略结构的剖视图。图17为表示扫描电极装置的概略结构的图。图18(a)及图18(b)为表示上游第1基准电压电极的概略形状的图。图19(a)及图19(b)为示意地表示通过比较例所涉及的上游第1基准电压电极及扫描电极装置的离子束的轨道的图。图20 (a)及图20 (b)为示意地表示通过比较例所涉及的上游第1基准电压电极及扫描电极装置的离子束的轨道的图。图21 (a)及图21 (b)为示意地表示通过本专利技术的一种实施方式所涉及的上游第1基准电压电极及扫描电极装置的离子束的轨道的图。图22(a)及图22(b)为示意地表示通过本专利技术的一种实施方式所涉及的上游第1基准电压电极及扫描电极装置的离子束的轨道的图。图23(a)及图23(b)为示意地表示通过本专利技术的一种实施方式所涉及的上游第1基准电压电极及扫描电极装置的离子束的轨道的图。图24(a)及图24(b)为表示变形例所涉及的射束输送补正电极的概略形状的图。图25为示意地表示通过变形例所涉及的上游第1基准电压电极及扫描电极装置的离子束的轨道的图。图26为示意地表示通过变形例所涉及的上游第1基准电压电极及扫描电极装置的离子束的轨道的图。图27(a)及图27(b)为表示下游第1基准电压电极的概略形状的图。图28为表示下游第1基准电压电极及下游第1中间电极的概略结构的图。图29为示意地表示通过比较例所涉及的扫描电极装置、下游第1基准电压电极及下游第1中间电极的离子束的轨道的图。图30为表示比较例所涉及的下游第1基准电压电极的概略形状的图。图31为示意地表示通过本专利技术的一种实施方式所涉及的扫描电极装置、下游第1基准电压电极及下游第1中间电极的离子束的轨道的图。图32为示意地表示通过本专利技术的一种实施方式所涉及的扫描电极装置、下游第1基准电压电极及下游第1中间电极的离子束的轨道的图。图33为示意地表示变形例所涉及的下游第1基准电压电极及下游第1中间电极的概略形状的图。图34(a)及图34(b)为示意地表示通过本专利技术的一种实施方式所涉及的上游电极装置及扫描电极装置的离子束的轨道的图。图35 (a)、图35 (b)及图35 (c)为表示变形例所涉及的上游电极装置及扫描电极装置的概略结构的图。图中:B-离子束，Z-基准轨道，300-上游电极装置，310-上游第1基准电压电极，324-像差补正部，330-上游中间电极，350-上游第2基准电压电极，400-扫描电极装置，402-入口，404-出口，4本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种离子注入装置，其具备扫描单元，该扫描单元包括：扫描电极装置，向沿着基准轨道射入的离子束施加偏转电场，以向与所述基准轨道正交的横向扫描离子束；及上游电极装置，由设置于所述扫描电极装置的上游的多个电极体构成，该离子注入装置的特征在于，所述扫描电极装置具备：一对扫描电极，隔着所述基准轨道在所述横向对置而设；及一对射束输送补正电极，隔着所述基准轨道在与所述横向正交的纵向对置而设，所述一对射束输送补正电极分别在所述扫描电极装置的入口附近具有朝向所述基准轨道向所述纵向延伸的射束输送补正入口电极体。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：松下浩，椛泽光昭，天野吉隆，八木田贵典，
申请(专利权)人：斯伊恩股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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