一种光刻胶清洗组合物制造技术

本发明专利技术公开了一种光刻胶清洗组合物。包括以下组分：甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇，聚氧化丙烯三醇，壬基聚氧乙烯醚和有机溶剂。还包括腐蚀抑制剂对氨基苯甲酸甲酯、儿茶酚和渗透剂JFC-2。本发明专利技术对光刻胶的清洗能力强，同时，不会腐蚀芯片基材，非常适合工业化生产，大规模的推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体制造
，具体涉及一种光刻胶清洗组合物。
技术介绍
基因芯片（gene chip)的原型是80年代中期提出的。基因芯片的测序原理是杂 交测序方法，即通过与一组已知序列的核酸探针杂交进行核酸序列测定的方法。光刻工艺 是用于制造集成电路、液晶显示屏和基因芯片等都需要使用的常规工艺，而光刻胶是光刻 工艺中所必须使用的材料。光刻胶又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成 分组成的对光敏感的混合液体。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的 流动性和覆盖。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物 理性能，特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制 造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理， 可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶 的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表 面刻蚀所需的电路图形。 光刻胶可以分为三种类型。第一种为光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自 由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。第二种为光 分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后，会发生光分解反应，由油溶性变为水 溶性，可以制成正性胶。第三种为光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光 的作用下，其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结 构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。采用 感光胶通过曝光、显影和刻蚀等方式在每一层结构面上形成所需要的图案。在进行后一层 处理时，需要将前一次使用后的光刻胶完全清洗干净。 改善光刻胶的清洗方法主要使用延长浸泡时间、提高浸泡温度和采用腐蚀性强的 溶液，非常容易造成芯片的腐蚀及损坏。同时，需要频繁更换清洗液。另外，现有技术中使 用的浓硫酸，只能去除光刻胶表层，不能彻底去除光刻胶。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是一种光刻胶清洗组合物，包括以下组分： 甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇，聚氧化丙烯三醇，壬基聚氧乙烯醚和有机溶剂。 所述组合物还包括腐蚀抑制剂对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。 所述组合物还包括渗透剂JFC-2。 所述组合物按重量份计包括以下组分：甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇1-2%，聚氧化 丙烯三醇0. 1-0. 3%，壬基聚氧乙烯醚5-6%，对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚3%，JFC-2 1%，余量 为有机溶剂。 所述对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚的重量比为4:1。 所述有机溶剂为N-N二甲基甲酰胺和乙二醇单甲醚中的一种或两种。 本专利技术针对现有清洗剂存在的问题进行改进，采用的有机溶剂和渗透剂，使得到 的光刻胶清洗剂对光刻胶的清洗能力强，能够彻底清洗光刻胶残留，避免在基因测序时芯 片上各种杂质和金属离子对检测结果的干扰。同时，清洗剂中含有腐蚀抑制剂，不会腐蚀芯 片基材，能够有保护芯片，非常适合工业化生产，大规模的推广应用。【具体实施方式】 实施例1 光刻胶清洗组合物，按重量份计包括以下组分：甲基苯甲醇1%，聚氧化丙烯三醇0. 3%， 壬基聚氧乙烯醚5%，对氨基苯甲酸甲酯2. 4%，儿茶酚0. 6%，JFC-2 1%，N-N二甲基甲酰胺10% 和乙二醇单甲醚79. 7%。 实施例2 光刻胶清洗组合物，按重量份计包括以下组分：二甲基苯甲醇2%，聚氧化丙烯三醇 0. 1%，壬基聚氧乙烯醚6%，对氨基苯甲酸甲酯2. 4%，儿茶酚0. 6%，JFC-2 1%，N-N二甲基甲酰 胺15%和乙二醇单甲醚72. 9%。 实施例3 光刻胶清洗组合物，按重量份计包括以下组分：二甲基苯甲醇1. 5%，聚氧化丙烯三醇 0. 2%，壬基聚氧乙烯醚6%，对氨基苯甲酸甲酯2%，儿茶酚1%，JFC-2 1%，N-N二甲基甲酰胺 18%和乙二醇单甲醚70. 3%。 实施例4 光刻胶清洗组合物，按重量份计包括以下组分：甲基苯甲醇1. 6%，聚氧化丙烯三醇 0. 15%，壬基聚氧乙烯醚5. 5%，对氨基苯甲酸甲酯1.2%，儿茶酚1.8%，JFC-2 1%，N-N二甲基 甲酰胺43%和乙二醇单甲醚45. 75%。 实施例5 光刻胶清洗组合物，按重量份计包括以下组分：二甲基苯甲醇1. 2%，聚氧化丙烯三醇 0. 2%，壬基聚氧乙烯醚5. 9%，对氨基苯甲酸甲酯2. 8%，儿茶酚0. 2%，JFC-2 1%，乙二醇单甲 醚 88. 7%。 实施例6 光刻胶清洗组合物，按重量份计包括以下组分：甲基苯甲醇1. 8%，聚氧化丙烯三醇 0. 15%，壬基聚氧乙烯醚5. 5%，对氨基苯甲酸甲酯2. 4%，儿茶酚0. 6%，JFC-2 1%，N-N二甲基 甲酰胺88. 55%。 实施例7 光刻胶清洗组合物，按重量份计包括以下组分：二甲基苯甲醇2%，聚氧化丙烯三醇 0.25%，壬基聚氧乙烯醚5. 4%，对氨基苯甲酸甲酯I. 1%，儿茶酚1.9%，JFC-2 1%，N-N二甲基 甲酰胺88. 35%。 实施例8 光刻胶清洗组合物，按重量份计包括以下组分：二甲基苯甲醇1%，聚氧化丙烯三醇 0. 15%，壬基聚氧乙烯醚5. 5%，对氨基苯甲酸甲酯1 %，儿茶酚2%，JFC-2 1%，乙二醇单甲醚 89. 35%〇 对比例I 光刻胶清洗组合物，按重量份计包括以下组分：二甲基苯甲醇0. 5%，壬基聚氧乙烯醚 1. 5%，乙二醇单甲醚98%。 对比例2 光刻胶清洗组合物，按重量份计包括以下组分：对氨基苯甲酸甲酯0. 2%，儿茶酚0. 2%， JFC-2 0. 1%，N-N 二甲基甲酰胺 99. 5%。 对本专利技术实施例1、实施例8、对比例1和对比例2进行芯片光刻胶清洗效果的评 价，结果如下：表1 由表1可知，本专利技术中的实施例1和实施例8中，光刻胶的去除效果显著优于对比例1 和对比例2,在腐蚀检测中，实施例1和实施例8无腐蚀，而对比例1和对比例2则有轻微腐 蚀迹象。 上述详细说明是针对本专利技术其中之一可行实施例的具体说明，该实施例并非用以 限制本专利技术的专利范围，凡未脱离本专利技术所为的等效实施或变更，均应包含于本专利技术技术 方案的范围内。【主权项】1. 一种光刻胶清洗组合物，其特征在于，包括以下组分： 甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇，聚氧化丙烯三醇，壬基聚氧乙烯醚和有机溶剂。2. 如权利要求1所述的光刻胶清洗组合物，其特征在于，所述组合物还包括腐蚀抑制 剂对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。3. 如权利要求1所述的光刻胶清洗组合物，其特征在于，所述组合物还包括渗透剂 JFC-2。4. 如权利要求1所述的光刻胶清洗组合物，其特征在于，所述组合物按重量份计包括 以下组分：甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇1-2%，聚氧化丙烯三醇0. 1-0. 3%，壬基聚氧乙烯醚 5-6%，对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚3%，JFC-2 1%，余量为有机溶剂。5. 如权利要求1所述的光刻胶清洗组合物，其特征在于，所述对氨基苯甲酸甲酯和儿 茶酚的重量比为4:1。6. 如权利要求1所述的光刻胶清洗组合物，其特征在于，所述有机溶剂为N-N二甲基甲 酰胺和乙二醇单甲醚中的一种或两种。【专利摘要】本专利技术公开了一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻胶清洗组合物，其特征在于，包括以下组分：甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇，聚氧化丙烯三醇，壬基聚氧乙烯醚和有机溶剂。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈哲，任鲁风，殷金龙，
申请(专利权)人：北京中科紫鑫科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11