本发明专利技术公开了一种化合物及其制备方法、液晶取向剂、液晶取向膜及液晶盒。本发明专利技术公开的化合物如式I所示：其中，R1、R2、R3和R4各自独立地选自-H、-CH3、-CH2CH3和-CH2CH2CH3。本发明专利技术公开的化合物的制备方法包括：酰胺化步骤、氢化步骤和环氧化步骤。本发明专利技术还公开了包括本发明专利技术化合物的液晶取向剂以及由本发明专利技术液晶取向剂制成的液晶取向膜，和含有本发明专利技术液晶取向膜的液晶盒。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及液晶显示领域，尤其设及化合物及其制备方法、液晶取向剂、液晶取向 膜及液晶盒。
技术介绍
液晶取向膜是通过在玻璃基板表面涂覆液晶取向剂高溫固化后制成，是构成液晶 盒的重要组成部分。随着人们对显示画面品质要求越来越高，对液晶取向膜的特性W及包 含液晶取向膜的液晶盒的特性要求越来越严格。 在用现有的液晶取向剂制备液晶取向膜，W及制备包含液晶取向膜的液晶盒时， 不能同时满足使液晶取向膜具有良好的耐磨性和涂布性，W及使由液晶取向膜制成的液晶 盒具有良好的液晶取向性、高电压保持率和低电荷残留率的特点。因此希望提供一种液晶取向剂能够同时满足上述特性。
技术实现思路
本专利技术提供了一种化合物及其制备方法、液晶取向剂、液晶取向膜和液晶盒。用本 专利技术的化合物作为添加剂添加至液晶取向剂中，解决了现有技术中不能同时满足用液晶取 向剂制备得到液晶取向膜具有良好的耐磨性和涂布性，W及使由液晶取向膜制成的液晶盒 具有良好的液晶取向性、高电压保持率和低电荷残留率的问题。 根据本专利技术的一个方面，提供了一种化合物，该化合物如式I所示： 其中，Ri、Rz、Rs和Ra各自独立地选自-H、-邸3、-邸2邸3和-邸2邸2邸3。 可选地，根据本专利技术的化合物，该化合物如式I-I所示： 可选地，根据本专利技术的化合物的制备方法，该方法包括： 酷胺化步骤：式II所示化合物与式III所示化合物反应，转化为式IV所示化合 物； 氨化步骤：式IV所示化合物中的-N02被还原为-NH 2后，转化为式V所示化合物； 环氧化步骤：式V所示化合物与环氧氯丙烷反应，转化为式I所示化合物； 其中，式II、式IV和式V所示化合物中的Ri、Rz、Rs和R4各自独立地选 自-H、-邸3、-邸2邸3和-CH 2邸2邸3。 可选地，根据本专利技术的制备方法，式II所示化合物是通过式VI所示化合物与亚硫 酷氯反应转化而成， 其中，Ri、Rz、Rs和Ra各自独立地选自-H、-邸3、-邸2邸3和-邸2邸2邸3。 可选地，根据本专利技术的制备方法，在所述酷胺化步骤中： 将式II所示化合物和式III所示化合物置于碱性条件下反应，转化为式IV所示 化合物。 可选地，根据本专利技术的制备方法，在所述氨化步骤中：式IV所示化合物在钮碳作 为催化剂的条件下加氨转化为式V所示化合物。 可选地，根据本专利技术的制备方法，在所述环氧化步骤中，式V所示化合物与环氧氯 丙烷在碱性条件下反应转化为式I所示化合物。 根据本专利技术的另一方面，提供了一种液晶取向剂，该液晶取向剂中包括：聚酷氨酸 和/或聚酷亚胺溶液，W及权利要求1或2所述化合物；其中，所述化合物作为添加剂，并且 占所述溶液W质量百分比计的0. 25~0. 5%。 根据本专利技术的另一方面，提供了一种液晶取向膜，该液晶取向膜由根据本专利技术的 液晶取向剂涂覆在玻璃基板上高溫固化制成。 根据本专利技术的另一方面，提供了一种液晶盒，该液晶盒包括根据本专利技术的液晶取 向膜。[002引本专利技术的有益效果如下： 本专利技术的化合物含有缩水甘油基团、=氮挫芳香杂环结构、叔胺结构和联苯结构， 可W作为添加剂添加至液晶取向剂中，改善液晶取向剂的性能从而改善液晶取向膜的性 能，也能改善液晶盒的性能。 将本专利技术的化合物作为添加剂与聚酷氨酸和/或聚酷亚胺中的至少一种聚合物 混合制备得到液晶取向剂，将该液晶取向剂涂布到基板上经高溫固化后制成液晶取向膜， 其中聚酷氨酸经高溫加热转化为聚酷亚胺，由于本专利技术化合物中含有缩水甘油基，在制备 液晶取向膜时能够增加液晶取向剂与基板之间的附着性能，从而提高液晶取向膜的耐磨性 和涂布性；由于该化合物含有=氮挫芳香杂环结构、叔胺结构W及联苯结构，含有该液晶取 向膜的液晶盒具有良好的液晶取向性、局电压保持率和低电荷残留率。【具体实施方式】【具体实施方式】 仅为对本专利技术的说明，而不构成对本
技术实现思路
的限制，下面将结合 具体的实施方式对本专利技术进行进一步说明和描述。 根据本专利技术的一方面，提供了一种化合物，该化合物如式I所示： 其中，Ri、Rz、Rs和Ra各自独立地选自-H、-邸3、-邸2邸3和-邸2邸2邸3。 式I所示化合物含有缩水甘油基、=氮挫芳香杂环结构、叔胺结构和联苯结构，可 W作为添加剂添加至液晶取向剂中，改善液晶取向剂的性能，从而改善液晶取向膜的涂布 性和耐磨性，同时改善含有该液晶膜的液晶盒的液晶取向性、提高电压保持率和降低电荷 残留率。 将式I所示化合物作为添加剂与聚酷氨酸和/或聚酷亚胺混合制备得到液晶取向 剂，将该液晶取向剂涂布到基板上经高溫固化后制成液晶取向膜，其中聚酷氨酸经高溫加 热转化为聚酷亚胺，由于本专利技术化合物中含有缩水甘油基团，在制备液晶取向膜时能够增 加液晶取向剂与基板之间的附着性能，从而提高液晶取向膜的耐磨性和涂布性，由于该化 合物含有=氮挫芳香杂环结构、叔胺结构W及联苯结构，含有该液晶取向膜的液晶盒具有 良好的液晶取向性、高电压保持率和低电荷残留率。 根据本专利技术的一种实施方式，该化合物如式I-I所示： 根据本专利技术的另一方面，提供了一种化合物的制备方法，该方法包括： 酷胺化步骤：式II所示化合物与式III所示化合物反应，转化为式IV所示化合 物； 氨化步骤：式IV所示化合物中的-N02被还原为-NH 2后，转化为式V所示化合物； 环氧化步骤：式V所示化合物与环氧氯丙烷反应，转化为式I所示化合物； 其中，式II、式IV和式V所示化合物中的Ri、R2、Rs和R4各自独立地选 自-H、-邸3、-邸2邸3和-CH 2邸2邸3。 根据本专利技术制备方法的一种实施方式，式II所示化合物是通过式VI所示化合物 与亚硫酷氯反应转化而成， 其中，Ri、Rz、Rs和Ra各自独立地选自-H、-邸3、-邸2邸3和-邸2邸2邸3。 根据本专利技术制备方法的一种实施方式，在酷胺化步骤中： 将式II所示化合物和式III所示化合物置于碱性条件下反应，转化为式IV所示 化合物。 根据本专利技术制备方法的一种实施方式，在氨化步骤中：式IV所示化合物在钮碳作 为催化剂的条件下加氨转化为式V所示化合物。 根据本专利技术的制备方法的一种实施方式，在环氧化步骤中，式V所示化合物与环 氧氯丙烷在碱性条件下反应转化为式I所示化合物。 为了说明式I所示化合物的合成方法，选用一种具体化合物的合成作为示例进行 说明。 合成的具体化合物的结构式如式I-I所示：首先，合成式II-I所示化合物4-(4' -硝基苯基）苯甲酯氯，反应方程式如下： 具体反应条件为：将12. 15g巧Ommol)4-(4'-硝基苯基）苯甲酸置于250mL烧瓶 中，在烧瓶中加入SOmLSOClz和5滴催化量的DMF，使上述溶液在80°C回流，用TLC监测反 应进度，待反应完成后，将反应液旋蒸除去溶液，在除去溶液后的物质中加入50mL二氯甲 烧溶解，再次进行旋蒸去除溶剂W及用溶剂将剩余的SOClz带出混合物，得到12. 5g固体产 品，收率为95. 7%。 然后，进行酷胺化步骤，反应方程式如下所示： 将 1. 49g(15mmol，Ieq)式III-I所示化合物 3, 5-二氨基-1，2, 4-S氮挫， 3. 64g(36mmol，2. 4eq)S乙胺溶解于50血二氯甲烧中，(TC下缓慢滴加50血（含9. 39g式 11-1所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种化合物，其特征在于，该化合物如式I所示：其中，R1、R2、R3和R4各自独立地选自‑H、‑CH3、‑CH2CH3和‑CH2CH2CH3。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴京玮，
申请(专利权)人：阜阳欣奕华材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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