一种太阳能电池电极制备模具及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池电极制备模具及其制备方法，在模具中包括：上盖与底托，其中：底托包括至少一个放置待处理部件的凹槽部；在凹槽部周围设有限位结构；上盖包括与待处理部件的电极对应的第一镂空部，以及与限位结构对应的限位配合结构，第一镂空部与待处理部件的一面的电极尺寸相对应。在处理时，将待处理部件放置于凹槽部；盖上上盖，使限位结构及限位配合结构结合；在待处理部件一面处理结束后，翻转模具；对待处理部件另一面进行处理。采用本发明专利技术能够对待处理部件进行限位，从而能够对待处理部件精确限位，能够防止边缘镀膜导通，克服边缘漏电问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，特别涉及。
技术介绍
太阳能电池电极包括正电极和背电极，通过接通两电极产生电流。太阳能电池以硅片为原材料，完成前工序后，进入PVD (Physical Vapor D印osit1n，物理气相沉积)镀膜设备中在两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片两面分别镀正电极和背电极；PVD镀膜是在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质部分离化，在气体离子或被蒸发物质离子轰击作用的同时把蒸发物或其反应物沉积在基材上。现有太阳能电池电极制作技术是将每个两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片放于单个模具中，然后进入PVD镀膜设备对每个两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片镀正、背电极。现有的太阳能电池电极制备模具包括底托和与之配合使用的上盖，使用时先将两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片放在底托上，盖上正电极用上盖，然后进入PVD镀膜设备镀正电极，镀膜完毕后从PVD镀膜设备出来并取走正电极用上盖，人工依次对每个两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片进行手动翻片，再将上盖全部换成背电极用上盖，进入PVD镀膜设备镀背电极；其中仅靠底托上设置的与硅片尺寸一致的凹槽部来对硅片进行限位。现有的太阳能电池电极制备模具存在如下不足:1)现有技术中使用凹槽部来对硅片进行限位，为了保证凹槽部不会影响正、背电极的镀膜，需要将凹槽部的深度设置的较浅，使得硅片容易从凹槽部中跑偏，从而不能有效实现电池镀膜时硅片的精确限位，且硅片容易磕边、碎片率较高；2)由于硅片在电极镀膜过程中无法实现精确限位，使得硅片正电极和背电极边缘很容易被镀膜从而将正电极与背电极通过边缘导电物质而连通起来，从而产生边缘漏电问题，为解决此问题，需增加一道激光扫边工序，这道工序增加了制作成本；3) 一套制备模具仅放一片硅片，且因正、背电极遮挡边不同，所用上盖模具也不同，需要人工翻片和更换模具，从而导致操作过程复杂且效率低，不能简易的实现正、背电极镀膜和批量化生产的应用。
技术实现思路
本专利技术提供了，用以提供一种能够对待处理部件进行精确限位的模具，以及能够在不需要更换制备模具的条件下即可对待处理部件进行太阳能电池电极制备。本专利技术实施例中提供了一种太阳能电池电极制备模具，包括:上盖与底托，其中:底托包括至少一个放置待处理部件的凹槽部；在凹槽部周围设有限位结构；上盖包括与待处理部件的电极对应的第一镂空部，以及与限位结构对应的限位配合结构，第一镂空部与待处理部件的一面的电极尺寸相对应。较佳地，上盖进一步包括:上盖遮挡部，用于遮挡待处理部件朝向上盖一面不需处理的部位。较佳地，底托进一步包括:底托遮挡部，用于遮挡待处理部件朝向底托一面不需处理的部位。较佳地，底托进一步包括与待处理部件的另一面的电极尺寸相对应的第二镂空部。较佳地，限位结构为腰型限位销或斜坡型腰型限位销。较佳地，限位配合结构为限位销孔。较佳地，限位结构沿凹槽部的四角对称分布。较佳地，限位结构长度为1mm。较佳地，模具的材质为铝合金。本专利技术实施例中提供了一种使用上述模具进行太阳能电池电极制备的方法，包括:将至少一个待处理部件放置于底托的凹槽部，待处理部件的侧面与限位结构的侧面相接触；盖上上盖，使位于底托的限位结构及位于上盖的限位配合结构相结合；在待处理部件一面的电极处理结束后，翻转模具；对待处理部件另一面的电极进行处理。较佳地，待处理部件是太阳能电池。本专利技术有益效果如下:由于在本专利技术实施例提供的模具中，增加了用于精确定位的限位结构及限位配合结构，所以能够对待处理部件进行限位，从而能够对待处理部件精确限位。进一步的，由于设置有与待处理部件的电极尺寸相对应的镂空部，在待处理部件一面处理结束后，由于上盖设置有第一镂空部且底托设置有第二镂空部，制备电极过程中只需要翻转硅片，不需要更换制备模具，翻转模具即可对待处理部件另一面进行处理，因此操作过程简单且效率高。由于模具中包括至少一个放置待处理部件的凹槽部，所以将待处理部件放置于凹槽部后，可以一次对多个待处理部件进行处理。进一步的，由于采用了上盖遮挡部和/或底托遮挡部，防止边缘镀膜导通，使得待处理部件的边缘不会被连通起来，克服了边缘漏电问题。【附图说明】此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1为本专利技术实施例中太阳能电池电极制备模具结构示意图；图2为本专利技术实施例中底托的结构示意图；图3为本专利技术实施例中上盖的结构示意图；图4为本专利技术实施例中腰型限位销放大示意图；图5为本专利技术实施例中太阳能电池电极制备方法的流程示意图。图中:101-上盖1011-限位销孔1012-上盖遮挡部1013-第一镂空部102-待处理部件103-底托1031-限位销1032-底托遮挡部1033-第二镂空部104-托盘边缘斜槽105-悬挂孔106-卡销107-凹槽部【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术的【具体实施方式】进行说明。本专利技术实施例中将提出了一套制备模具，该模具仍由底托和上盖配合使用，但是针对原来凹槽部限位的缺陷，在凹槽部四边增加限位结构，对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片进行精确限位；在精确限位同时，该制备模具可对两侧已形成有非晶硅薄膜、透明导电氧化物的硅片的边缘进行当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池电极制备模具，其特征在于，包括：上盖与底托，其中：所述底托包括至少一个放置待处理部件的凹槽部；在所述底托设有限位结构；所述上盖包括与所述待处理部件的电极对应的第一镂空部，以及与所述限位结构对应的限位配合结构，所述第一镂空部与所述待处理部件的一面的电极尺寸相对应。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马世猛，房现飞，代智杰，王晓娜，孟原，郭铁，
申请(专利权)人：新奥光伏能源有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13