一种含能荧光材料稀土-谷氨酸-咪唑单晶配合物及其制备方法，配合物是由稀土金属，谷氨酸，咪唑和高氯酸组成，分子式为Ln(Gly)4Im·(ClO4)4(Ln:Nd,Sm,La,Ce,Pr,Ho,Eu,Er,Lu)。其制备过程如下：将稀土氧化物与高氯酸反应配制成高氯酸稀土的溶液，加入谷氨酸进行反应，用碱溶液调剂pH值后再发生，再加入咪唑反应后，放置一段时间后得到晶体。本发明专利技术工艺简便，配体选择科学，合成的稀土氨基酸单晶配合物结构明确、新颖，其单晶结构也同时为晶体数据库提供了新的基础科学依据。该配合物在分解过程能够释放出大量的能量，是一种潜在的含能材料。配合物具有较强的荧光性质。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术设及一种含能巧光材料稀±金属氨基酸咪挫单晶配合物，具体地说设及稀 ± -谷氨酸-咪挫单晶配合物及其制备方法；属于材料制备
技术介绍
氨基酸是生物体内大量存在的一类生物配体，是蛋白质、酶等的基本结构单元，和 人体的生理活动有密切的关系。随着稀±在农业、医学及生物分子研究应用中的不断扩大， 导致稀±广泛进入环境，并通过多种途径进入生物体内。稀±有许多生物化学功能，它引起 的生物效应和生物化学变化是多种多样的，它能对生物体内多种效应产生抑制作用，影响 各种酶的生物活性、脂肪代谢和核酸交换，高浓度稀±会损伤线粒体膜而引起氧化链素乱。 为此，人们迫切希望了解稀±的生物作用及其在生物体内的远期效应。研究稀±与氨基酸 的相互作用将为探索稀±及过渡金属在生物体内的代谢及其生物效应提供基础。 稀±-氨基酸配合物的研究由来已久，一直为人们所重视，尤其是近十年来发展 迅速。稀±离子在与各种不同类型的配体配位时，呈现出丰富多彩的配位行为和晶体结构。 因此稀±与氨基酸、肤、蛋白质等生物分子相互作用的研究吸引了国内外大批的科研工作 者，但目前对于稀±氨基酸单晶配合物等研发还处于空白。 本世纪最重要的研究领域之一就是新材料的研发。稀±巧光材料是一种用途广泛 的巧光物质。由于稀±离子的吸收系数通常比较低，导致难W发光或者发光较弱。采用具 有共辆结构的有机配体与稀±离子配位，可W将光能吸收后传递给稀±离子，增加巧光的 强度。有机配体通常为有机簇酸类或者比较大的共辆体系。如：CN102584872A公开了館与 0 -二酬配体和对苯二甲酸制备的红色巧光材料；CN10142908A公开了化晚S酸与館配合 物巧光材料。然而关于稀上氨基酸咪挫=元配合物巧光材料尚未见报道。 含能材料能够释放出大量的能量而被广泛应用于各类工程和军事领域。通常是一 些含氮化合物，如：硝基化合物，多环化合物，叠氮类化合物。其制备过程复杂而且安全性 差D
技术实现思路
本专利技术针对上述现有技术中存在的问题，提供一种含能巧光材料稀±氨基酸咪挫 单晶配合物，解决了现有技术中还处于空白的问题。 本专利技术的另外一个目的在于提供一种稀±氨基酸咪挫单晶配合物的制备方法。 本专利技术的技术方案如下： 一种稀±氨基酸咪挫单晶配合物，是由稀±元素，谷氨酸，咪挫和高氯酸组成；其 分子式为Ln(Gly)Jm? (Cl〇4)4(Ln:Nd,Sm,La,Ce,Pr,Ho,Eu,Er,Lu)，其晶体为单斜晶系，空 间群为〔2/。，Z二4。 所述的稀上元素包括钦、衫、領、飾、错、狄、铭、辑、错。 稀±氨基酸咪挫单晶配合物的制备方法，包括如下步骤： 首先将稀±氧化物与高氯酸反应配制成0. 1~IM的高氯酸稀±溶液，在40~ 80°C反应1~1化后加入谷氨酸，摩尔比稀± :谷氨酸=1:1~1:8,用碱溶液调剂抑= 4~8值后再在40~80°C反应1~lOh，再加入咪挫，摩尔比稀± :咪挫=1:0. 2~1:4,在 40~80°C反应1~1化后，放置一段时间得到晶体。 所述的高氯酸稀±溶液的配制方法包括下述步骤，称取稀±氧化物10.OOg,加入 体积比1:1的高氯酸水溶液40~50mL，过滤掉不溶物，定容至250mL，再用滴定法标定高氯 酸稀±溶液的浓度为0. 1~1M。 所述的高氯酸稀±溶液的浓度优选为0. 4~0. 6M。 所述的稀±、谷氨酸、咪挫制备过程中的投料摩尔比优选为，稀± :谷氨酸：咪挫 二 1:2 ~6:0. 5 ~2〇 所述的反应溫度优选为50~70°C. 反应时间优选为3~化。 阳01引所述的调节抑值优选为5~7。 总之，本专利技术公开的方法有W下优点：工艺简便，成本低，能量密度大，配体选择科 学，合成的稀±氨基酸单晶配合物结构明确、新颖，其单晶结构也同时为晶体数据库提供了 新的基础科学依据，该配合物在分解过程能够释放出大量的能量，是一种潜在的含能材料。 巧光光谱谱图结果表明该配合物具有较强的巧光性质。【附图说明】 图1为按照本专利技术制备方法制得的稀±氨基酸咪挫单晶之单胞结构图。 图2为按照本专利技术制备方法制得的稀±氨基酸咪挫单晶之堆积结构图。 图3为按照本专利技术制备方法制得的钦谷氨酸咪挫单晶之DSC图。 图4为按照本专利技术制备方法制得的钦谷氨酸咪挫单晶巧光光谱图。 图5为按照本专利技术制备方法制得的衫谷氨酸咪挫单晶巧光光谱图。【具体实施方式】一种稀±氨基酸咪挫单晶配合物，是由稀±元素，谷氨酸，咪挫和高氯酸组成；其 分子式为Ln(Gly)Jm? (Cl〇4)4(Ln:Nd,Sm,La,Ce,Pr,Ho,Eu,Er,Lu)，其晶体为单斜晶系，空 间群为〔2/。，Z= 4。 所述的稀±元素包括钦、衫、铜、姉、错、铁、館、巧、错。 阳〇27] 实施例1 高氯酸钦溶液的配制：称取氧化钦10.OOg,加入体积比1:1的高氯酸45血，过滤 掉不溶物，定容至250mU用标定好的邸TA标准溶液标定其浓度；高氯酸钦溶液的浓度为 0.SMo 配合物的制备：将上述高氯酸钦溶液在60°C反应化后，W摩尔比钦：谷氨酸= 1:4加入谷氨酸，用碱溶液调剂抑=5值后在60°C反应化，再加入咪挫，摩尔比钦：咪挫= 1:1，在60 °C反应化后，放置一段时间后得到晶体。 W30] 配合物的测定：取上述得到的配合物单晶，采用W下方法测定其晶胞，配 合物的晶体学数据用化址erSmart-1000 CCD单晶衍射仪进行收集，采用MoKa射 线，波长为0. 071073皿，室溫下收集数据。所有计算均使用甜ELX化-97程序完成， 配合物的晶体学数据见表1和表2。其晶体为单斜晶系，空间群为Cy。，晶胞参数是 a二17.999!A，b二18.3743A，C二8.96货人V-29巧.9A'\ Z= 4。 热效应测定：对所得到的单晶样品测定其热力学性质，如图3所示，在450K到 700K之间，有S个剧烈的放热峰，其热值达到2608kJ/mol，是一种潜在的含能材料。 阳03引巧光光谱：如图4所示，该晶体在386、395、412和428nm处均能够产生比较强的巧 光。 阳〇3引 实施例2 将氧化衫代替氧化钦，其它步骤同实施例1。配合物的晶体学数据见表1和 表2。其晶体为当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
含能荧光材料稀土‑谷氨酸‑咪唑单晶配合物，其特征在于由稀土元素，谷氨酸，咪唑和高氯酸组成；其分子式为 Ln(Gly)4Im·(ClO4)4 (Ln: Nd, Sm, La, Ce, Pr, Ho, Eu, Er, Lu)，其晶体为单斜晶系，空间群为C2/c，Z = 4。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吕雪川，高肖汉，曹慧，潘璐，王凯，罗冠华，
申请(专利权)人：辽宁石油化工大学，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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