电磁波干扰遮蔽薄膜制造技术

本发明专利技术有关一种电磁波干扰遮蔽薄膜，包含：含有电磁波吸收粒子的电磁波吸收层；含有导电粒子的导电层，位于电磁波吸收层的一表面上；金属层，位于电磁波吸收层的另一表面上；及绝缘层，位于金属层上。本发明专利技术的电磁波干扰遮蔽薄膜可阻止电磁波对邻近线路及组件的干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种抵抗电磁波干扰的结构，用于电子装置、线材及组件上，例如印刷 电路板的电磁波干扰遮蔽薄膜，特别有关用于软性电子材料基板的抵抗电磁波干扰的结 构。
技术介绍
随着可携式电子及通讯产品轻薄及多功能的市场需求，电路基板的1C构装需要 更轻、薄、短、小，在功能上则需要强大且高速的讯号传输。因此，I/O脚数的密度势必提高， 而伴随着脚位数目也随之增多。1C载板线路之间的距离越来越近，加上工作频率朝向高宽 带化，使1C之间的电磁干扰（Electromagnetic interference，EMI)情形越来越严重，因此 如何有效电磁兼容管理，维持电子产品正常信号传输及提高可靠度将成为重要议题。 -般解决软板电磁干扰问题，可以借助布线路径设计例如对复杂的走线设计，可 以采用一个信号传输层搭配一个接地层，如此可以降低电磁干扰。另一种方式，可以将软板 信号走线结合有电磁干扰防护功能的遮蔽材料来确保良好的接地作用，进而达到抑制电磁 干扰的目的。 市面上已见的电磁干扰遮蔽材料利用导电贴胶膜，通常是以真空溅镀或化学沉积 方式在导电贴胶膜材料上沈积单层或多层例如银、铜或镍等导电金属薄膜，借此提升导电 贴胶膜材料对电磁干扰的遮蔽能力。导电贴胶膜材料主要是由导电性粒子搭配具有一定固 化交联反应程度B-Stage的高分子材料。 高功率运转的电子或电气装置无可避免地要面对散热的问题。传统的解决方法装 置额外的设备将电子或电气装置产生的热排散，例如加装由一或多个风扇组成的强制对流 系统。然而，小型或微型的电子组件例如CPU使用在一个小空间中，例如安装在印刷电路板 上，未有额外的空间供安装强制对流系统解决散热问题。 有现有技术揭示一种高热传导性复合磁性体，如图1所示，复合磁性体的电磁干 扰抑制体10包含导电性支持体4及其两面叠层的复合磁性体1，其中导电性支持体4例如 是导电性纤维织物；复合磁性体1在有机结合剂2,例如聚乙烯系树脂或聚酯系树脂中，添 加用以吸收电磁波的软磁性粉末3,其中软磁性粉末3例如Fe-Al-Si合金或Fe-Ni合金。 复合磁性体1利用软磁性粉末3的多导磁率的高频吸收，可以抑制无用电磁波的干扰。然 而，此复合磁性体1的形成所使用的有机结合剂，容易因为受热的影响，产生变形、劣化等 缺点。而且，有机结合剂的热传导性不佳，会妨碍发热量大的电子组件的散热。上述电磁干 扰抑制体10无法同时解决EMI电磁波干扰及电子装置产生的废热排散的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电磁波干扰遮蔽薄膜，其中的导电层含有导电粒子， 除可降低导电层的电阻值之外，更可以大幅减低因电磁波进入此电磁波干扰遮蔽薄膜所产 生的热量，以及电磁波吸收层含有电磁波吸收材料，可提升电磁波干扰遮蔽功能。 为了达成上述本专利技术的目的，提出一种电磁波干扰遮蔽薄膜，包括：含有电磁波吸 收粒子的电磁波吸收层，具有第一面与第二面；含有导电粒子的导电层，位于电磁波吸收层 的第一面上；金属层，位于电磁波吸收层的第二面上；及绝缘层，位于金属层上。电磁波干 扰遮蔽薄膜还包含设置在导电层上的第一离型膜，以及设置在绝缘层上的第二离型膜。 为了达成上述本专利技术的目的，另外提出一种电磁波干扰遮蔽薄膜，包括：含有电磁 波吸收粒子的第一电磁波吸收层，具有第一面与第二面；含有导电粒子的导电层，位于电磁 波吸收层的第一面上；第一金属层，位于第一电磁波吸收层的第二面上；含有电磁波吸收 粒子的第二电磁波吸收层，位于第一金属层上；第二金属层，位于第二电磁波吸收层上；及 绝缘层，位于第二金属层上。电磁波干扰遮蔽薄膜还包含设置在导电层上的第一离型膜，以 及设置在绝缘层上的第二离型膜。 本专利技术具有的优点在于： 本专利技术的电磁波干扰遮蔽薄膜可产生以下优点：电磁波干扰遮蔽薄膜中的导电层含有 导电粒子，除可降低导电层的电阻值之外，更可以大幅减低因电磁波进入此电磁波干扰遮 蔽薄膜所产生的热量，以及电磁波干扰遮蔽薄膜中电磁波吸收层含有电磁波吸收材料，可 提升电磁波干扰遮蔽功能。【附图说明】 图1:显示传统的电磁波干扰遮蔽薄膜。 图2 :显示本专利技术的一实施例的电磁波干扰遮蔽薄膜。 图3 :显示电磁波入射至本专利技术的一实施例的电磁波干扰遮蔽薄膜的反射及吸 收。 图4 :显示本专利技术的另一实施例的电磁波干扰遮蔽薄膜。 图中： 1复合磁性体；2有机结合剂；3软磁性粉末；4导电性支持体； 10电磁干扰抑制体；20电磁波干扰遮蔽薄膜；21电磁波吸收层； 212电磁波吸收粒子；213第一面；214第二面；23导电层； 232导电粒子；24金属层；27绝缘层；28第一离型膜；29离型膜； 30电磁波干扰遮蔽薄膜；31第一电磁波吸收层；312电磁波吸收粒子； 313第一面；314第二面；33导电层；332导电粒子；34第一金属层； 35第二电磁波吸收层；352电磁波吸收粒子；36第二金属层；37绝缘层； 38第一离型膜；39第二离型膜；I入射的电磁波；R1反射波； R21 -次反射波；R22二次反射波；R31反射波；R32反射波； R41反射波；R42反射波；R51反射波；R52反射波；T穿透波。【具体实施方式】 下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以 更好的理解本专利技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本专利技术的限定。 请参考图2,图2显示本专利技术发热一实施例的电磁波干扰遮蔽薄膜，如图2所示，电 磁波干扰遮蔽薄膜20,包括：含有电磁波吸收粒子212的电磁波吸收层21，具有第一面213 与第二面214 ;含有导电粒子232的导电层23,位于电磁波吸收层21的第一面213上；金属 层24,位于电磁波吸收层21的第二面214上；及绝缘层27,位于金属层24上。电磁波干扰 遮蔽薄膜20还包含设置在导电层23上的第一离型膜28,以及设置在绝缘层27上的第二离 型膜29。 电磁波吸收层21的材质为环氧树脂或压克力树脂。分散在电磁波吸收层21中 的电磁波吸收粒子212可为软磁粒子例如氧化铁、铁硅铝合金、坡莫合金或铁硅铬镍合 金。利用软磁粒子的多导磁率的高频吸收，可以抑制电磁波的干扰。此外，电磁波吸收粒子 212亦可为碳酸钙、水泥、天然矿石、远红外线矿石材料。电磁波吸收粒子212的含量可为 5wt%-30wt%。电磁波吸收层21的厚度为5微米至20微米。 导电层23的材质为环氧树脂或压克力树脂。分散在导电层23中的导电粒子232 为金、银、铜、铝、镍、铁或锡金属颗粒、表面涂覆有银的铜或铝金属颗粒、表面涂覆有金、银、 铜、铝、镍、铁或锡的树脂颗粒或玻璃珠，或是碳粉、碳60、碳黑、石墨、膨胀石墨、奈米碳管或 石墨烯。导电粒子232的含量可为15wt%-40wt%。导电层23的厚度为15微米至40微米。 导电层23含有导电粒子232,不仅可降低导电层23的电阻值之外，更可以大幅减低因电磁 波进入此电磁波干扰遮蔽薄膜20所产生的热量。 金属层24主要是提供遮蔽电磁波的功能。金属层24的材质可为金、银、铜、铝、镍、 钛或锡，较佳为银或铝。金属层24厚度可为0.05微米至5微米。金属层24可利用真空蒸 镀、溅镀、电镀、真空沉积、化学气相沉积（CVD)等镀膜设备，借由卷对卷（roll-to-roll)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电磁波干扰遮蔽薄膜，其特征在于，包含：含有电磁波吸收粒子的一电磁波吸收层，具有一第一面与一第二面；含有导电粒子的一导电层，位于该电磁波吸收层的该第一面上； 一金属层，位于该电磁波吸收层的该第二面上；及一绝缘层，位于该金属层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑承熙，
申请(专利权)人：联茂电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71