本发明专利技术的目的在于提供提高簇射头内的不同于处理气体的成分的捕获效率的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。该衬底处理装置具有：使气体分散的簇射头；设置在所述簇射头的下游、并具有利用处理气体处理衬底的处理空间的处理容器；连接于所述簇射头的气体供给部；连接于所述簇射头的簇射头气体排气部；和捕获所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分的捕获部。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
近年来、闪存等半导体器件有高集成化的倾向。相伴与此，图案尺寸显著微细化。在形成这些图案，作为制造工序的一个工序，有时要实施对衬底进行氧化处理和/或氮化处理等规定的处理的工序。作为上述形成图案的方法之一，存在在电路间形成槽并在槽中形成种晶膜、内衬膜和/或配线的工序。伴随近年来的微细化，该槽构成为高纵横比。在形成内衬膜等时，要求形成在槽的上部侧面、中部侧面、下部侧面、底部都没有膜厚和膜质不均的良好的阶梯覆盖(step-coverage)膜。因为:通过设为良好的阶梯覆盖膜，从而能够使半导体器件的特性在槽之间均匀，由此能够抑制半导体器件的特性不均。作为使半导体器件的特性均勾的硬件结构的入口(approach)，存在例如单片装置中的簇射头构造。通过在衬底上设置气体的分散孔，从而均匀地供给气体。另外，作为使半导体器件的特性均匀的衬底处理方法，例如有交替地供给至少二种处理气体并使之在衬底表面反应的交替供给方法。交替供给方法中，为抑制各气体在衬底表面以外反应，而在供给各气体之间利用吹扫(purge)气体去除剩余气体。为了进一步提高膜特性可以考虑在采用簇射头构造的装置中使用交替供给法。在这样的装置的情况下，为了防止各气体的混合，可以考虑按每种气体设置气体供给路径和/或缓冲空间。但是因为结构变得复杂，存在所以维护耗费工时并且成本升高这一问题。因此，使用将二种气体以及吹扫气体的供给系统集成在一个缓冲空间的簇射头使比较现实的。在使用具有二种气体共用的缓冲空间的簇射头的情况下，要考虑到在簇射头内剩余气体彼此反应、附着物堆积于簇射头内壁。为了防止这样的情况，优选，在缓冲室设置排气孔并从排气孔对气氛进行排气，使得能够高效地去除缓冲室内的剩余气体。在使用二种气体共用的缓冲空间的簇射头的情况下，构成为，向处理空间供给的二种气体以及吹扫气体，不向用于对缓冲空间进行排气的排气孔的方向扩散。作为这样的结构，例如将形成气体流的气体引导件设置于缓冲室内。气体引导件，例如优选是设置在用于对缓冲空间进行排气的排气孔与供给两种气体以及吹扫气体的供给孔之间，朝向簇射头的分散板设置成放射状。在以上那样复杂结构的簇射头的情况下，因为零件的加工精度问题和/或零件配置的复杂性，会在零件之间形成气体积存。因此，一般认为在该部分会附着副产物等。清洁气体难以到达气体积存，所以副产物恐会残留。因此，也可以考虑在拆解装置后，将簇射头浸入清洁液等中以进行清洁的方法。
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题清洁后，在再次组装装置时，需要尽可能地减少清洁液等残留成分中、不同于处理气体的成分。这是因为不同于处理气体的成分恐会对工艺造成负面影响。通常，在组装前进行烘烤处理等以去除该成分，但是烘烤处理耗费时间，因此要考虑到消耗大量停机时间的情况。另一方面，为了更为可靠地去除该成分，有在组装后利用栗等进行排气的方法，但是在设置于半导体制造装置的现有栗即用于吸真空的涡轮分子栗中，因为构造方面的问题而难以进行去除。另外，在干燥栗的情况下，排气功率小，所以难以在如上所述的簇射头结构进行去除。如前所述，该成分恐会对膜特性造成负面影响，所以必需捕获簇射头内的不同于处理气体的成分。本专利技术鉴于上述课题，其目的在于提供对簇射头内的不同于处理气体的成分的捕获效率高的衬底处理装置、半导体器件的制造方法、程序以及记录介质。用于解决课题的手段本专利技术的一个方式，提供一种衬底处理装置，具有:使气体分散的簇射头；设置于所述簇射头的下游、并具有利用处理气体处理衬底的处理空间的处理容器；连接于所述簇射头的气体供给部；连接于所述簇射头的簇射头气体排气部；和将所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分捕获的捕获部。根据本专利技术的其他方式，提供一种半导体器件的制造方法，是将用簇射头分散了的气体供给到处理空间以处理衬底的半导体器件的制造方法，包括:将用所述簇射头分散了的处理气体供给到处理空间以处理所述衬底的工序、将所述衬底从处理空间送出的工序；和将所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分捕获的工序。根据本专利技术的其他方式，提供一种程序，执行将用簇射头分散了的气体供给到处理空间以处理衬底的半导体器件的制造方法，所述半导体器件的制造方法包括:将用所述簇射头分散了的处理气体供给到处理空间以处理所述衬底的工序；将所述衬底从处理空间送出的工序；和将所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分捕获的工序。根据本专利技术的其他方式，提供一种计算机可读记录介质，其存储有下述程序，所述程序执行将用簇射头分散了的气体供给到处理空间以处理衬底的半导体器件的制造方法，所述半导体器件的制造方法包括:将用所述簇射头分散了的处理气体供给到处理空间以处理所述衬底的工序；将所述衬底从处理空间送出的工序；和将所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分捕获的工序。专利技术效果根据本专利技术，能够提高对簇射头内的不同于处理气体的成分的捕获效率。【附图说明】图1是表示本专利技术的第一实施方式涉及的衬底处理装置的图。图2使第一实施方式涉及的第一分散构造的说明图。图3是说明第一实施方式涉及的气体引导件、第一分散构造的关联性的说明图。图4是表不图1所不的衬底处理装置的衬底处理工序的流程图。图5是表示图4所示的成膜工序的详情的流程图。图6是表示图4所示的维护工序的详情的流程图。图7是表示图1所示的衬底处理装置的排气系统的工作的时序图。附图标记的说明100...衬底处理装置200...晶片(衬底)201...处理空间202...反应容器203...输送空间232...缓冲空间261、262、263、264..?排气管261a、262b...分支管265、273...ΤΜΡ (涡轮分子栗)272...DP (干燥栗)26lb、266、267、268、270、271、292.??阀【具体实施方式】以下说明本专利技术的第一实施方式。<装置结构>本实施方式涉及的衬底处理装置100的结构示于图1。如图1所示，衬底处理装置100构成为单片式衬底处理装置。(处理容器)如图1所示，衬底处理装置100具备处理容器202。处理容器202构成为例如横截面为圆形的扁平的密闭容器。另外，处理容器202由例如铝(A1)、不锈钢(SUS)等金属材料构成。处理容器202内形成有:处理作为衬底的硅晶片等晶片200的处理空间201 ;和在将晶片向200处理空间201输送时供晶片200通过的输送空间203。处理容器202由上部容器2021和下部容器2022构成。在上部容器2021与下部容器2022之间设置有分隔板204。在下部容器2022的侧面设置有与闸阀205相邻的衬底送入送出口 206，晶片200经由衬底送入送出口 206在与未图示的输送室之间移动。在下部容器2022的底部设置有多个提升销207。进一步，下部容器2022接地。在处理空间201内设置有支承晶片200的衬底支承部210。衬底支承部210主要具有:载置晶片200的载置面211 ;在表面具有载置面211的衬底载置台212 ;和内置于衬底载置台212的作为加热源的加热器213。在衬底载置台212，在与提升销207相对应的位置分别设置有供提升销207贯通的贯通孔214。衬底载置台212由轴217支承。轴217贯通处理容器202的底部，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种衬底处理装置，其中，具有：使气体分散的簇射头；处理容器，设置于所述簇射头的下游、并具有利用处理气体处理衬底的处理空间；连接于所述簇射头的气体供给部；连接于所述簇射头的簇射头气体排气部；和捕获所述簇射头内的不同于所述处理气体的成分的捕获部。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：泽田元司，
申请(专利权)人：株式会社日立国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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