高频传输线路、天线以及电子电路基板制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种交流电阻小的高频传输线路、天线以及电子电路基板。高频传输线路(2)的特征在于：传输交流电信号，包含金属以及碳纳米管，碳纳米管偏在于垂直于交流电信号传输方向的高频传输线路(2)的截面的周缘部(8)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高频传输线路、天线以及电子电路基板。
技术介绍
用于传输电信号的传输线路被设置于电子元件。在近年来的高度信息化时代，传 输线路所传输的交流电信号的频带向高频带位移。例如，便携式信息末端上的通信频带从 数百到数。在传输这样的高频带的交流电信号的高频传输线路中被要求提高 其电导率并且要减少传输损耗。 在以下所述专利文献1中公开有通过碳纳米管彼此在导体图形中形成网络从而 提高导体图形的电导率。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本国际公开第W02011/062072号册子
技术实现思路
然而，本专利技术人发现在由上述专利文献1所公开的导体图形来传输高频带的交流 电信号的情况下导体图形的交流电阻不会充分减小。 本专利技术就是借鉴了以上所述技术问题而做出的不懈努力之结果，其目的在于提供 一种交流电阻小的高频传输线路、具备该高频传输线路的天线以及电子电路基板。 本专利技术的一个侧面所涉及的高频传输线路是一种传输交流电信号的高频传输线 路，包含金属以及碳纳米管，碳纳米管偏在于垂直于交流电信号传输方向的高频传输线路 的截面的周缘部。 在本专利技术的一个侧面所涉及的高频传输线路中，周缘部中的碳纳米管的含有率可 以是0.5~20体积％。 本专利技术的一个侧面所涉及的天线具备上述本专利技术的一个侧面所涉及的高频传输 线路。 本专利技术的一个侧面所涉及的电子电路基板具备上述本专利技术的一个侧面所涉及的 尚频传输线路。 根据本专利技术就能够提供一种交流电阻小的高频传输线路、具备该高频传输线路的 天线以及电子电路基板。【附图说明】 图1是本专利技术的一个实施方式所涉及的电子电路基板的一部分以及高频传输线 路的不意图。 图2(a)以及图2(b)是垂直于交流电信号传输方向的方向上的图1的高频传输线 路的示意截面图。 图3(a)、图3(b)、图3(c)以及图3(d)是表示本专利技术的一个实施方式所涉及的高 频传输线路制造方法的示意图。 图4是本专利技术其他实施方式所涉及的高频传输线路的示意立体图。 图5是表示由高频传输线路进行传输的交流电信号的频率F与各个频率F上的高 频传输线路的交流电阻之间的关系的图表。【具体实施方式】 以下是根据不同情况参照附图来就本专利技术的优选的实施方式进行说明。但是，本 专利技术丝毫不限定于以下所述实施方式。还有，在各个附图中将相同的符号标注于相同或者 同等的构成要素。 如图1所示，本实施方式所涉及的电子电路基板16具备高频传输线路2、基板 4。高频传输线路2是沿着基板4的表面被设置的。高频传输线路2传输交流电信号。图 1所表示的直线状的箭头朝向交流电信号的传输方向。交流电信号的频率F例如可以是 100 ~3. 0 。高频传输线路2的两端部分别电连接有端子10。高频传输线路2 的形状为迂回曲折图形（meanderpattern)。高频传输线路2可以是天线（福射导体以及 吸收导体）。在高频传输线路2为天线的情况下，供电用的端子10被电连接于高频传输线 路2的一个端部，高频供电线路（没有图示）被电连接于供电用的端子10,高频供电线路 可以被接地。还有，高频传输线路2的形状并不限定于迂回曲折图形（meanderpattern)。 高频传输线路2例如既可以是直线状，也可以是曲线状。 高频传输线路2整体的厚度并没有特别的限定，例如可以是3~50μm的程度。所 谓高频传输线路2整体的厚度是指在垂直于基板4表面的方向上的高频传输线路2整体的 宽度。在平行于基板4表面的方向上的高频传输线路2整体的宽度并没有特别的限定，例 如可以是10ym~30_的程度。高频传输线路2的线路长并没有特别的限定，例如可以是 0. 1~100mm的程度。 高频传输线路2包含金属以及碳纳米管。但是，高频传输线路2也可以包含除了 金属以及碳之外的其他元素。 被包含于高频传输线路2的金属例如可以是选自铜、错、银、金、白金、钯、络、钛以 及钽当中的至少一种。包含于高频传输线路2的金属也可以是包含上述金属当中两种以上 的合金。在上述金属当中尤其是铜具有相对比较高的电导率，并且相对价廉。 包含于高频传输线路2的碳纳米管并没有特别的限定。所谓碳纳米管例如是由以 圆筒状进行闭合的没有接缝的石墨片（graphenesheet)构成的。碳纳米管将构成管的层 (石墨片）数作为基准被分类成一层结构的单壁碳纳米管（SWCNT)、二层结构的双壁碳纳米 管（DWCNT)、或者由三层以上构成的多层结构的多壁碳纳米管（MWCNT)。所谓MWCNT换言之 具有以圆筒状进行闭合的多层石墨片以嵌套状被层叠的结构。碳纳米管可以是选自SWCNT、 DWCNT、MWCNT当中的至少一种。碳纳米管可以是直线状。碳纳米管也可以是弯曲的。在碳 纳米管的弯曲部分或者在碳纳米管截面的闭塞部分也可以存在由碳构成的六元环以外的 环（例如五元环或者七元环）。碳纳米管被化学修饰，并且碳纳米管可以具有官能团。碳纳 米管例如是由光学蒸镀沉积法、催化剂气相沉积法、电弧放电法、或者激光蒸发法进行制造 的。 碳纳米管的直径（粗细）例如可以是1~50nm。碳纳米管的长度例如可以是100~ 250000nm。碳纳米管的纵横比例如可以是100~5000。所谓纵横比是指碳纳米管的长度 (nm)除以碳纳米管的直径（nm)的值。 如图2a或者图2b所示，在垂直于交流电信号传输方向的方向上的高频传输线路2 的截面具有周缘部8和中央部6。换言之，具有周缘部8和中央部6的截面的垂线（法线） 平行于交流电信号的传输方向。所谓周缘部8是高频传输线路2的一部分，并且是自高频 传输线路2表面的距离（深度）为0.5μπι以下的部分。所谓中央部6是高频传输线路2 的一部分，并且是被周缘部8包围的部分。如图2a所示，中央部6也可以不完全被周缘部 8包围。中央部6没有被周缘部8包围的部分没有必要如图2a所示处于下面侧，例如既可 以处于侧面侧也可以处于顶面侧。如图2b所示，中央部6也可以完全被周缘部8包围。还 有，周缘部8在交流电信号的传输方向上连续地进行延伸，被周缘部8包围的中央部6也在 交流电信号的传输方向上连续地进行延伸。 在周缘部8上偏在有多个碳纳米管。即，多个碳纳米管偏在于在交流电信号的传 输方向上连续地进行延伸的周缘部8。碳纳米管的一部分或者全部也可以露出于周缘部8 的外表面。碳纳米管也可以偏在于周缘部8的外表面侧。碳纳米管可以以覆盖中央部6的 形式在周缘部8内作均匀分散。 在传输高频带的交流电信号的高频传输线路2上发生趋肤效应。所谓趋肤效应是 指在高频电信号（电流）流到高频传输线路2的时候，电流密度在高频传输线路2的表面 附近变高也就是离表面越远就变得越低。在此，所谓高频传输线路2的表面附近是指例如 从高频传输线路2的表面往下的距离（深度）为5μπι以下、2μπι以下、或者Ιμπι以下的区 域。即，所谓高频传输线路2的表面附近是指电流由趋肤效应而进行集中的部分。于是，交 流电信号的频率越高电流越容易集中于高频传输线路2的表面附近。因此，交流电信号的 频率越高则高频传输线路2的交流电阻变得越高。据于如此理由，为了降低高频传输线路 2的交流电阻而有必要提高高频传输线路2的表面附近的电导率。 但是，假如在高频传输线路2只是由上述金属构成的情况下，位于高频本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频传输线路，其特征在于：是传输交流电信号的高频传输线路，包含金属以及碳纳米管，所述碳纳米管偏在于垂直于所述交流电信号的传输方向的所述高频传输线路的截面的周缘部。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田诚，吉田健一，井上亨，土门孝彰，太田尚志，小山内胜则，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP