薄型化芯片的封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术提出一种薄型化芯片的封装结构，包含一基板、一薄型化芯片、一强化层及一密封胶体。薄型化芯片设置于基板上且与基板电性连接；强化层设置于该薄型化芯片上；密封胶体形成于基板上且包覆薄型化芯片及强化层。强化层承受形成密封胶体的压力或应力，以保护薄型化芯片。本发明专利技术另提出一种薄型化芯片的封装结构的制造方法，其可制造上述薄型化芯片的封装结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种封装结构及其制造方法，特别关于一种。
技术介绍
芯片的封装结构目的，除了在于能使芯片容易与电路板连接外，还能保护芯片不会被外力所破坏，以及避免水气或灰尘等影响到得芯片的效能；另外，有些封装结构能提供芯片较佳的散热路径。随着时代的演进，芯片上的电子元件越来越密集，封装结构也越来越复杂。此外，在现今随身电子装置、穿戴式电子装置盛行的趋势下，芯片及芯片的封装结构也有小型化的趋势。然而，但若将芯片的厚度减小(即薄型化)，现有的封装结构却难以对薄型化的芯片进行封装。这是因为薄型化的芯片的结构强度明显不足，芯片容易在封装过程破裂。举例而言，在芯片封装的过程中，有一步骤是使用封装胶体来包倒晶芯片。在此步骤中，胶体在注模时会压迫芯片，而芯片往往无法承受而破裂。此外，胶体注模后通常会经过一加热程序，以使胶体加速固化；然而，基板或胶体在热膨冷缩时会挤压芯片，易使芯片损坏。有鉴于此，如何改善至少一种上述缺失，乃为此业界待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种，其解决的技术问题至少为:使薄型化芯片在封装的过程中不易受到破坏。为达上述目的，本专利技术揭示的薄型化芯片的封装结构包含一基板、一薄型化芯片、一强化层及一密封胶体。薄型化芯片设置于基板上且与基板电性连接；强化层设置于该薄型化芯片上；密封胶体形成于基板上且包覆薄型化芯片及强化层。强化层承受形成密封胶体的压力或应力，以保护薄型化芯片。为达上述目的，本专利技术所揭示的薄型化芯片的封装结构的制造方法包含:提供一基板；设置一薄型化芯片于该基板上，且电性连接该薄型化芯片与该基板；设置一强化层于该薄型化芯片上；以及形成一密封胶体于该基板上，且使该密封胶体包覆该薄型化芯片及该强化层。其中强化层承受形成该密封胶体的压力或应力，以保护该薄型化芯片。为让上述目的、技术特征及优点能更明显易懂，下文以较佳的实施例配合所附图示进行详细说明。【附图说明】图1为根据本专利技术的第一实施例的封装结构的侧视图；图2A为根据本专利技术的第二实施例的封装结构的侧视图；图2B为根据本专利技术的第二实施例的封装结构的俯视图；图2C为根据本专利技术的第二实施例的封装结构的另一俯视图；图3A为根据本专利技术的第三实施例的封装结构的侧视图；图3B为根据本专利技术的第三实施例的封装结构的俯视图；图4A为根据本专利技术的第四实施例的封装结构的侧视图；图4B为根据本专利技术的第四实施例的封装结构的侧视图；图5A为根据本专利技术的第五实施例的封装结构的制造方法的步骤示意图；图5B为根据本专利技术的第五实施例的封装结构的制造方法的步骤示意图；图5C为根据本专利技术的第五实施例的封装结构的制造方法的步骤示意图；图f5D为根据本专利技术的第五实施例的封装结构的制造方法的步骤示意图；图5E为根据本专利技术的第五实施例的封装结构的制造方法的步骤示意图。【具体实施方式】首先请参考图1，其为根据本专利技术的第一实施例的封装结构的侧视图。本专利技术提供一种薄型化芯片的封装结构，在第一实施例中，封装结构1包含:一基板110、一薄型化芯片120、一强化层130及密封胶体140。薄型化芯片120是指厚度较小的芯片，其厚度例如可小于80微米，而较佳的是小于35微米。薄型化芯片120可设置于基板110上并与基板110电性连接，电性连接的方法可为倒晶方式或通过引线键合方式与基板110电性连接，但不以此为限。而下文即以引线121将薄型化芯片120与基板110形成电性连接为示例性说明。强化层130可设置于薄型化芯片120上，且在本实施例中，强化层130的宽度小于薄型化芯片120 ;因此，强化层130设置于薄型化芯片120后，薄型化芯片120的上表面的一部分仍会露出，使位于薄型化芯片120上表面的焊垫122不会被强化层130遮蔽。如此，焊垫122能通过引线121与基板110的焊垫112形成电性连接。密封胶体140则是形成于基板110上，且包覆薄型化芯片120及强化层130。依据前述，薄型化芯片120具有较小的厚度，因此薄型化芯片120相应地也较容易被破坏；然而，设置于薄型化芯片120上的强化层130可承受或抵挡原本薄型化芯片120所应直接承受的外力，而使薄型化芯片120不会被破坏。也就是，强化层130可承受形成密封胶体140的压力或应力，以保护薄型化芯片120。此处所指的压力或应力包含:密封胶体140在注模时所产生的注模压力；或在加热固化密封胶体140时，密封胶体140或基板110因受热而产生的水平方向胀缩应力导致薄型化芯片120表面相应产生应力。后者具体而言是指:密封胶体140在注模后的一加热程序中，密封胶体140的各部分的固化时间不完全一致，导致薄型化芯片120各部分相应地受到不同的外力，或是在加热及随后的冷却程序中，因基板110与薄型化芯片120热膨胀系数不同而产生的水平方向胀缩应力。为使强化层130可承受上述的压力或应力，强化层130的结构强度会较佳。而较佳地，强化层130可包含软板材料(例如以PI，聚亚酰胺为材料)、硬板材料(例如以树脂为材料)、热固型材料、含娃材料或空白芯片(Du_y Die)。在本实施例中，强化层130以热固型材料制成，如热塑性塑胶；热固型材料加热后能直接涂敷于薄型化芯片120上，然后固化后形成强化层130。因此，强化层130与薄型化芯片120之间不须有粘着材料，更进一步减小封装结构1的厚度。另一方面，强化层130亦可能薄型化，以使薄型化芯片120的厚度大于强化层130的厚度，进而使整个封装结构1的厚度更薄。此外，强化层130的材料可依封装结构1的目标厚度进行选择，例如封装结构1的目标厚度较薄时，即选用结构强度较高的材料，以使较薄的强化层130仍足以保护薄型化芯片120。接着请参考第2A及2B图，第2A及2B图为根据本专利技术的第二实施例的封装结构的侧视图及俯视图。第二实施例的封装结构2具有与封装结构1相似的技术特征，如同样包含一基板210、一薄型化芯片220、一强化层230及一密封胶体240，其差异至少在于:封装结构2还包含一粘着层250，设置于强化层230与薄型化芯片220间，用以将强化层230粘固于薄型化芯片220上。具体而言，当强化层230为非热固化材料时(例如空白芯片)，强化层230不易直接地固定于薄型化芯片220上，而此时粘着层250能帮助强化层230固定于薄型化芯片220上。粘着层250亦可帮助薄型化芯片220粘固于基板210上。封装结构2与封装结构1的另一差异在于，封装结构2还包含一金属层260，而该金属层260可设置于强化层230上。金属层260可设置于强化层230的上表面的全部，以作为一屏蔽结构；也就是，金属层260可产生一屏蔽效应(Shielding effect),使薄型化芯片220的运作不易受到外界电场变化的影响。如图2C所示，图2C为根据本专利技术的第二实施例的封装结构的另一俯视图。金属层260亦可设置于强化层230的上表面的部分，即金属层260可具有一图案化结构261,以形成一电感或一天线。形成有电感或天线的金属层260可跟薄型化芯片220电性连接(例如通过基板210来耦接至薄型化芯片220)，以使薄型化芯片220可利用金属层260的电感或天线。接着请参考第3A及3B图，第3A及3B图为根据本专利技术的第三实施例的封装结构的侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄型化芯片的封装结构，其特征在于，包含：一基板；一薄型化芯片，设置于该基板上，且与该基板电性连接；一强化层，设置于该薄型化芯片上；以及一密封胶体，形成于该基板上，且包覆该薄型化芯片及该强化层，其中该强化层承受形成该密封胶体的压力或应力，以保护该薄型化芯片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林殿方，
申请(专利权)人：东琳精密股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71