“智能城市，智能生活”的理念深入人心，人们对半导体制品的工艺要求也越来越高。作为半导体加工过程中重要一环的基板热处理装置，一直备受瞩目，而如何确保晶圆在加热过程中受热均匀，一直是从业者们殚精竭虑的难题。本发明专利技术提供了一种半导体基板的热处理装置，包括排气装置和加热腔体，所述加热腔室内在加热过程中充入氮气，通过氮气将热量间接地传递至晶圆表面，从而消除了晶圆翘曲造成的加热不均匀问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的加工领域，更具体地说，涉及到一种半导体基板的热处理装置。
技术介绍
“智能城市，智能生活”的理念不断地深入人心，人们对精密电子仪器和集成电路的诉求也愈发地热切。强劲的市场需求推动了半导体加工和制造行业的繁荣，也极大的丰富和细化了半导体器件的加工工艺。而在品目繁多的加工工艺当中，对晶圆进行加热处理的装置始终备受瞩目。晶圆热处理装置的常规设计是:密闭腔室，密闭腔室内设置有加热器，晶圆放置其上进行热处理，即可完成加热过程。利用这种装置对晶圆进行热处理简单直接，但也存在瑕疵，忽视了很多可能严重影响晶圆品质的重要因素。例如，该领域技术人员理应知道的，晶圆结构非常精密，在加热过程中对温度等环境参数十分敏感，任何微小的偏差都可能影响晶圆内部结构的变化，最终轻则影响生产出的产品质量，重则晶圆直接报废，不能投入使用。因此在热处理过程中，确保晶圆受热均匀将对晶圆结构的保护非常有利。然而，即便肉眼看起来非常平整的晶圆，也不可避免的存在一定程度的形变翘曲，这些翘曲或体现为晶圆表面某一部分的上凸，或体现为某一部分的下凹，或者二者兼有之。无论上述哪种情况，都将造成晶圆在加热过程中的受热不均匀。这种受热不均匀的影响在对超薄晶圆进行热处理时将体现的更为严重！另外地，晶圆的热处理工艺往往只是众多加工工艺中的某一中间步骤，在此之前晶圆可能已经经历了抛光、显影或刻蚀等工艺中的一种或几种。上述这些工艺当中无一例外的会牵涉到各种有机溶剂或蒸汽，如果去除的不干净，残留的药液和气体会在加热过程中挥发析出，很容易形成气体乱流破坏腔室气流的均匀性，进而对晶圆的受热均匀性造成不利影响。
技术实现思路
因此，本专利技术的主要目的在于，提供一种装置，以解决对晶圆进行热处理时，晶圆的受热均匀性问题。为了达到上述目的，本专利技术提供了如下技术方案:一种半导体基板的热处理装置，包括排气装置和加热腔室，所述排气装置至少具有一个排气接口，该排气接口连接外界排气系统，所述排气装置至少具有一个排气孔，该排气孔与该加热腔室连通；所述加热腔室包括:门，所述门的打开或关闭均可控；热源；温度传感器；绝热基座，所述绝热基座用于承载和固定热源，所述绝热基座的上方留有气体流通的空间，所述绝热基座的下方留有气体流通的空间；支撑杆，所述支撑杆贯穿所述绝热基座和所述热源，所述支撑杆用于支撑晶圆，所述支撑杆保持晶圆水平；升降托盘，所述升降托盘连接所述支撑杆的底端，所述升降托盘的上升及下降通过驱动装置调节；中心进气口，所述中心进气口位于所述绝热基座和热源的中心位置且贯穿所述绝热基座和热源，所述中心进气口连接外界的供气系统；进气通孔；其中，在所述绝热基座上围绕所述热源开设有进气通道，所述进气通道连通所述绝热基座的下方空间以及上方空间，从所述进气通孔进入的气体流入该进气通道。进一步地，所述排气装置位于所述加热腔室的上方，所述排气装置包括排气腔体，所述排气孔位于所述排气腔体的下表面且。优选地，所述门位于所述加热腔室的侧壁，所述门的打开或关闭由气缸控制。进一步地，所述门在晶圆进入或取出时打开，所述门在加热过程中保持关闭。优选地，所述热源为电加热板，所述热源的材质为金属或陶瓷，所述电加热板的上表面设置有至少三个防滑销。优选地，所述热源的内部集成有至少一个温度传感器，所述温度传感器用于监控所述热源的温度，所述温度传感器为热电偶。优选地，所述热源放置在所述绝热基座的内部，所述热源的侧周与所述绝热基座之间存在间隙。优选地，所述绝热基座的材质为陶瓷或石棉。进一步地，所述支撑杆包括防滑钉和撑杆，所述防滑钉位于所述支撑杆的上端，所述支撑杆的底端通过螺栓固定连接在所述升降托盘上。优选地，所述驱动装置为伺服马达，所述伺服马达通过控制升降托盘的上升与下降，进而控制晶圆距离所述热源的高度。进一步地，加热过程中所述中心进气口内通入氮气，所述中心进气口内氮气的温度和流量由所述供气系统调节。进一步地，所述排气腔体包括把手、固定螺栓和滑轨，所述滑轨共两个，所述两个滑轨互相平行且分别位于所述排气腔体下方的两条棱上。总结上述可知，热处理过程中，中心进气口中的热氮气为热量传递的媒介，由于气体的流动性，能够很好的解决由于翘曲所带来晶圆受热不均匀问题。同时，位于绝热基座上且围绕着热源开设的进气通道，作为加热腔室唯一的空气入口，能够消除乱流影响，将挥发析出气体通过排气装置排出。【附图说明】图1是本专利技术所述热处理装置具体实施例的整体示意图；图2是本专利技术所述热处理装置具体实施例的剖视图；图3是本专利技术所述热处理装置具体实施例的又一剖视图；图4是本专利技术所述热处理装置具体实施例俯视时的透视图；图5是本专利技术所述支撑杆的结构示意图；图6是本专利技术所述热处理过程中不通入热氮气时晶圆表面温度分布的示意图；图7是本专利技术所述热处理过程中通入热氮气时晶圆表面温度分布的示意图。【具体实施方式】为了详细阐述本专利技术的精神实质，帮助本领域技术人员切实、全面的理解本专利技术的完整技术方案，下面将结合实施例并配图予以说明:附图1-4展示了本专利技术所述热处理装置具体实施例的各个结构特征。图1-3对本专利技术所述晶圆热处理装置进行了全局性的展示。该热处理装置包括排气装置和一个加热腔室102。所述排气装置包括一个呈长方体的排气腔体101，由两个相互平行的滑轨103支撑，安放在加热腔室102的上方。所述两条滑轨103分别位于长方体排气腔体101下方的两条棱上，排气腔体101由此可以沿着滑轨103滑动。进一步地，所述排气腔体101的下方开设有一个圆形的排气孔104，该排气孔104连通加热腔室102的内部，允许加热腔室102内的气体通过该排气孔104进入到排气腔体101内，最终通过排气腔体上开设的排气接口 105排出。所述排气接口 105连接至外界的排气系统。所述排气系统能够在排气腔体101内产生负压，帮助腔体内的气体进入外界排气系统，并彻底排出。该排气腔体101在沿滑轨103方向的一个侧面上还安装有一个把手106和两个固定螺栓201，所述把手106用于拉出或推入排气腔体101，所述固定螺栓201用于固定所述排气腔体101的位置。排气腔体101在加热过程中推入后能够保证装置的气密性，而在需要清洁装置时候，这种由滑轨103支撑的设计将非常有利于设备的清洁和维护。加热腔室102是一个密闭的腔室，其在一个侧壁上开设有一个长条形的门107，所述门107由气缸控制，在晶圆108被送入或送出腔体时打开，在工艺过程进行时保持关闭，从而确保加热腔室102与外界隔离。所述门107在打开和关闭的过程中可以垂直地上下运动。另外地，所述加热腔室102的各个侧壁以及门107都可以由耐高温的密封材料制作而成，优选地，采用了双层不锈钢材料，在两层不锈钢之间可以夹有石棉。所述加热腔室102中还集合有一个热源和一个绝热基座110，所述热源更具体地说可以是一个圆形的电加热板109。所述电加热板109可以是一个由金属铝构成的薄平板，在加热过程中该电加热板109表面的温度分布非常均匀。所述电加热板109的尺寸可以视情况而定，鉴于目前市面上比较常用的晶圆一般为8英寸晶圆和12英寸晶圆，所以该电加热板109所采用的尺寸规格为直径可以是350mm的圆形平板，所以这也使得该热处理装置能够兼容8英寸/12英寸晶圆本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体基板的热处理装置，其特征在于，包括排气装置和加热腔室，所述排气装置至少具有一个排气接口，该排气接口连接外界的排气系统，所述排气装置至少具有一个排气孔，该排气孔与该加热腔室连通；所述加热腔室包括：门，所述门的打开或关闭均可控；热源；温度传感器；绝热基座，所述绝热基座用于承载和固定热源，所述绝热基座的上方留有气体流通的空间，所述绝热基座的下方留有气体流通的空间；支撑杆，所述支撑杆贯穿所述绝热基座和所述热源，所述支撑杆用于支撑晶圆，所述支撑杆保持晶圆水平；升降托盘，所述升降托盘连接所述支撑杆的底端，所述升降托盘的上升及下降通过驱动装置调节；中心进气口，所述中心进气口位于所述绝热基座和热源的中心位置且贯穿所述绝热基座和热源，所述中心进气口连接外界的供气系统；进气通孔；其中，在所述绝热基座上围绕所述热源开设有进气通道，所述进气通道连通所述绝热基座的下方空间以及上方空间，从所述进气通孔进入的气体流入该进气通道。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王文军，王晖，陈福平，方志友，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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