发光二极管及其制造方法技术

公开一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括：发光结构体；多个孔，其贯通第二导电型半导体层及活性层，并且第一导电型半导体层部分地露出；及，多个单元电极层，其相互隔开，包括与第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接并相互绝缘的第一电极层和第二电极层，其中，所述第二电极层包括与所述多个孔分别对应的开口部；及，至少一个连接层，其电连接至少两个所述单元电极层；其中，所述第一电极层通过所述多个孔，与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触，部分地覆盖所述发光结构体。因此，能够提供改进电流分散效应及发光均匀性的发光二极管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别是涉及一种，其尽可能避免发光面积减少，提高电流分散效应。
技术介绍
发光二极管是一种无机半导体元件，能够发出电子和空穴复合产生的光，近年来，人们利用具有直接带隙型特点的氮化物半导体开发和制造发光二极管。发光二极管按电极配置位置或所述电极与外部引线连接的方式不同，分为水平式发光二极管、直立式发光二极管或覆晶式(flip-chip)发光二极管等等。最近，随着对高功率发光二极管的需求增加，对散热效率高的大面积覆晶式发光二极管的需求也猛增。在大面积覆晶式发光二极管中，电流分散效应是决定发光二极管发光效率的重要因素。相对来讲，晶片面积越大，在一个晶片内发生发光偏移的机率越高，所以电流分散效应对发光二极管的发光效率产生很重要的影响。因此，为了提高大面积覆晶式发光二极管的电流分散效应和散热效率，公开了各种电极结构及半导体层的结构。但是，如上所述的现有技术，因使用线型扩展部，扩展部的电阻较大，分散电流受到限制。而且，反射电极在P型半导体层上的位置有局限，导致相当一部分光无法被反射电极反射，而是被焊垫及扩展部所损失。另外，根据N型电极和P型电极位置，发生电流位移现象，存在发光效率非常低下的区域。不仅如此，为了形成N型电极，N型半导体层的露出区域相对较宽。这直接导致发光区域减少，降低发光二极管整体发光效率和发光强度。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种能够尽可能防止发光区域减少的发光二极管。本专利技术所要解决的另一技术问题是，提供一种改进电流分散效应的发光二极管。本专利技术所要解决的另一技术问题是，提供一种发光二极管制造方法，其简化去除活性层的工序，提高电流分散效应，工艺简单。根据本专利技术一个方面的发光二极管包括:发光结构体，其包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；多个孔，其贯通所述第二导电型半导体层及所述活性层，并且所述第一导电型半导体层部分地露出；及，第一电极层和第二电极层，分别与所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层电连接并相互绝缘，所述第二电极层包括多个单元电极层，其相互隔开，并包括与所述多个孔分别对应的开口部；及，至少一个连接层，其电连接至少两个所述单元电极层；所述第一电极层通过所述多个孔，而与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触，部分地覆盖所述发光结构体。根据所述发光二极管，能够提高电流分散效应及发光均匀性。因此，能够提供高效大面积覆晶式发光二极管。所述单元电极层位于所述第二导电型半导体层上，能够与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触。所述开口部可以位于所述单元电极层的中心部。所述多个单元电极层可以分别具有相同的面积。另外，所述多个单元电极层可以按照格型配置在所述发光结构体上。可以包括一个连接层，其电连接至少三个以上所述单元电极层。在其他实施例中，可以包括多个连接层，其连接所述单元电极层中邻接的单元电极层。所述发光二极管还可以包括覆盖所述多个单元电极层及所述发光结构体的下部绝缘层，所述下部绝缘层可以包括对应于所述多个孔形成的第一开口部以及使各个所述单兀电极层部分地露出的第二开口部。所述单元电极层可以由金属反射层形成，但不限定于此，可以包括透明导电氧化物层。另外，所述下部绝缘层可以包括分布式布拉格反射器。在特定实施例中，所述单元电极层可以包括透明导电氧化物层，所述下部绝缘层可以包括分布式布拉格反射器。根据这些实施例，利用所述第二电极层或所述下部绝缘层，可以进行光反射，改进光效率。而且，所述第一电极层可以通过所述第一开口部，与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触，所述第一电极层可以部分地覆盖所述下部绝缘层。所述第二电极层还包括接触层，其填充所述第二开口部并连接于所述单元电极层，所述连接层可以电连接位于邻接单元电极层上的接触层。另外，所述连接层可以位于所述下部绝缘层上。所述发光二极管还可以包括覆盖所述第一电极层以及第二电极层的上部绝缘层，所述上部绝缘层可以包括使所述第一电极层部分地露出的第三开口部以及至少使一部分所述接触层部分地露出的第四开口部。所述上部绝缘层可以包括分布式布拉格反射器。因此，可以防止光损失，提高光效率。此外，所述发光二极管还可以包括:第一焊垫，其通过所述第三开口部与所述第一电极层连接，位于所述上部绝缘层上；及，第二焊垫，其与所述第一焊垫隔开，通过所述第四开口部与所述接触层连接，位于所述上部绝缘层上。另外，所述发光二极管还可以包括位于绝缘层上的散热片。所述散热片可以位于所述第一焊垫及第二焊垫之间，并与所述第一焊垫及第二焊垫电绝缘。在几个实施例中，所述发光二极管还可以包括第一焊垫及第二焊垫，其分别与所述第一电极层及第二电极层电连接，并位于所述发光结构体上。根据本专利技术另一个方面的发光二极管制造方法包括:在基板上形成包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层的发光结构体；对所述发光结构体进行图案化，形成使所述第一导电型半导体层露出的多个孔，并在所述第二导电型半导体层上形成相互隔开的多个单元电极层；形成通过所述多个孔与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触的第一电极层，以及形成与所述第一电极层电绝缘并电连接所述多个单元电极层的连接层；其中，所述多个单元电极层包括开口部，所述开口部与所述多个孔分别对应，所述第一电极层部分地覆盖所述发光结构体。根据所述制造方法，提供一种通过简化的工序制造改进电流分散效应的发光二极管的方法。所述多个单元电极层可以与所述第二导电型半导体层形成欧姆接触。所述制造方法还可以包括，在各个所述多个单元电极层上形成接触层，所述连接层电连接至少两个以上接触层，所述接触层和连接层可以同时形成。所述制造方法还可以包括，在形成所述第一电极层及连接层之前形成下部绝缘层，其覆盖所述发光结构体及单元电极层，所述下部绝缘层可以包括在所述多个孔内使第一导电型半导体层露出于的第一开口部，以及使所述单元电极层部分地露出的第二开口部。在本专利技术的一个实施例中，所述单元电极层可以包括金属反射层。在本专利技术的另一个实施例中，所述单元电极层可以包括透明导电氧化物层。另外，所述下部绝缘层可以包括分布式布拉格反射器。而且，所述制造方法还可以包括，在各个所述多个单元电极层上形成填充所述第二开口部的接触层，而所述第一电极层、所述连接层及所述接触层同时形成，所述第一电极层可以与所述连接层和接触层隔开。所述制造方法还可以包括，形成覆盖所述第一电极层、连接层及接触层的上部绝缘层，其中，所述上部绝缘层可以包括使所述第一电极层露出的至少一个第三开口部，以及使所述接触层露出的第四开口部。另外，所述制造方法还可以包括形成第一焊垫和第二焊垫，其中，第一焊垫通过所述第三开口部与所述第一电极层电连接，第二焊垫通过所述第四开口部与所述接触层电连接。所述制造方法还可以包括，形成位于所述上部绝缘层上的散热片。 在其他实施例中，所述制造方法还可以包括，形成第一焊垫及第二焊垫，其中，第一焊垫及第二焊垫分别与所述第一电极层及单元电极层电连接，并位于所述发光结构体上。根据本专利技术，提供一种发光二极管，其包括通过多个孔与第一导电型半导体层形成欧姆接触的结构，尽可能避免发光区域减少。另外，提供一种提高电流分散效应和发光均一"性的发光二极管。而且，提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于，包括：发光结构体，其包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的活性层以及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；多个孔，其贯通所述第二导电型半导体层及所述活性层，并且所述第一导电型半导体层部分地露出；及，第一电极层和第二电极层，分别与所述第一导电型半导体层和所述第二导电型半导体层电连接并相互绝缘，所述第二电极层包括：多个单元电极层，其相互隔开，并包括与所述多个孔分别对应的开口部；及，至少一个连接层，其电连接至少两个所述单元电极层，所述第一电极层通过所述多个孔而与所述第一导电型半导体层形成欧姆接触，并部分地覆盖所述发光结构体。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李小罗，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR