真空镊子制造技术

本发明专利技术涉及在半导体制造工艺中传送半导体晶片时所用的真空镊子，它包含具有一个与抽空管道相连接的前表面扁平的壳体和二个从该壳体延长的扁平的延长部）的呈‘Ｙ’形的真空吸头，设于前述真空吸头的扁平的前表面的至少三个吸附部。根据前述的真空镊子，设于真空吸头的扁平的前表面上的至少三个吸附部，提高对晶片的吸附力，另外，该真空吸头具有‘Ｙ’形结构，即使由于吸头弯曲，导致真空状态被破坏，由部分吸附部也能完全吸附半导体晶片。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在半导体制造工艺中传送半导体晶片时所用的真空镊子，具体的讲涉及改善吸附晶片的真空吸头(Vac-uum tip)部分以使半导体的传送稳定的真空镊子。一般，在半导体器件的制造工作中，特别在大规模集成电路的制造过程中，要求清洁度非常高的环境，众所周知，半导体器的产额或可靠性、质量等均取决于环境的清洁度。因而，在半导体领域为实行微细加工工艺必须充分考虑到灰尘，为了使各种工艺条件稳定，必须调整温度和湿度，实际上还不仅如此，其操作环境还影响到器件的性能和可靠性，因此给半导体器件各制造工艺创建合适的操作环境是非常重要的。反之，在半导体制造工艺中起最大污染源作用的准确的说是人。人们在半导体器件的操作环境里连续放出蒸汽和粒子，因此，在这种工艺操作环境中要穿上超净工作服。进一步讲，对半导体晶片有污染危险的是操作者的手乃至手指。在操作者的肌肤上往往存在的盐分和油脂使元件受到极坏的影响。从而，为了不使人直接接触而完成半导体晶片的传送，历来是采用不锈钢的以及夹持有限部位的镊子(limited grasp tweezer——有限夹紧镊子)。但在用前一种镊子夹持晶片时，存在可能破坏晶片上所形成的感光膜(photoresist layer)等的问题，至于后一种镊子还是存在给晶片周边带来损伤成为决定缺陷的原因之问题。用于解决前述镊子问题的真空镊子被示于附图说明图1。这种真空镊子不靠夹持而是靠吸附力可以传送晶片。如图1所示，历来的真空镊子配备了与外部真空泵连接的抽空管道(20)及连接于管道的真空吸头(10)。前述真空吸头(10)由塑料或聚四氟乙烯材料制成，在其扁平的前表面具有吸附部(2)，该吸附部(2)设有深0.1mm的自动寻的部，又在该自动寻的部内设置平行配置的长方形支持台(2b、2c)及吸入口(2a)。前述吸入口(2a)具有与前述支持台(2b、2c)的间距相应的直径。另外，上述支持台(2b、2c)与上述自动寻的部具有相同的高度，并平等地配置，因而是为防止在吸附晶片时因很强的吸附力可能产生的对晶片的损伤而设。被前述吸入口(2a)所吸入的空气，通过上述真空吸头(10)的内部管道，通到上述真空管道(20)。在利用这样的真空镊子传送晶片的场合，如图2所示，要将前述真空镊子的真空吸头(10)的吸附部附在晶片(30)的背面后，通过附着于真空镊子上的开关(未图示)，抽真空，通过上述吸入口(2a)，一边吸入空气，一边把晶片吸附在前述吸附部(2)。因这种已有的真空镊子的吸头(10)是由塑料或聚四氟乙烯构成的，由于使用不当，往往会使吸头弯曲。因而，在真空吸头(10)空载的情况下，由于前表面不是扁平的，在吸附半导体晶片时，破坏了真空状态而使吸附度下降。由于真空状态的破坏，当吸附度下降到预定值以下时，就存在在传送所吸附的晶片的途中落下，使晶片破损的问题。而且，因前述的真空镊子，在其吸头(10)只设一个吸附部(2)，所以不仅吸附力的强度弱，还存在由于前述真空吸头(10)弯曲而使其吸附力大大下降的问题。再有，因前述的真空镊子只设一个吸入口，还存在吸入口被灰尘等污染物堵住的情况而进一步使吸附力下降的问题。从而，本专利技术之目的在于，为解决前述的诸多问题，提供一种在真空吸头扁平的前表面设置三个吸附部提高晶片的吸附力的真空镊子。本专利技术的另一目的在于使真空吸头具有“Y”形结构，提供一种即使因吸头弯曲所导致真空状态被破坏，由部分吸附部吸附半导体晶片的真空镊子。根据用于完成前述目的的本专利技术之特征，一种用于传送半导体晶片的真空镊子，其特征在于，包括具有一个与真空泵的抽空管道(20)相连接的前表面扁平的壳体(11c)和二个从该壳体延长的扁平的延长部(11a、11b)的呈“Y”形的真空吸头(10)，和设于前述真空吸头(10)的扁平的前表面部的至少三个吸附部(12、14、16)。在该真空镊子中，上述至少三个吸附部(12、14、16)各自具有至少二个支持台和一个吸入口。在该真空镊子中，上述支持台具有与上述吸附部的深度相应的高度，并被设计成长方形。在该真空镊子中，上述三个(12、14、16)吸附部分别与上述壳体(11c)和延长部(11a、11b)相对应而设置。在该真空镊子中，上述真空镊子(10)是由聚四氟乙烯和可塑性材料制成的。依照前述的真空镊子，上述真空吸头具有“Y”形结构，并具有至少三个吸附部，因而，即使由于吸头弯曲，导致真空状态被破坏，由部分吸附部也能完全吸附半导体晶片。图1是表示现有的真空镊子的吸头(tip)结构的平面图。图2是表示利用图1的真空镊子吸附晶片背面(back side)进行传送的图。图3是根据本专利技术的实施例的用于半导体晶片传送的真空镊子的吸头结构的平面图。10真空镊子12，14，16吸附部20抽空管道下面参照图3详细说明本专利技术的实施例。图3表示本专利技术的真空镊子的结构，对于与图1所示的已知的真空镊子具有相同功能的结构部件，用相同标号标记。参照图3，本专利技术的新型真空镊子的真空吸头(10)具有“Y”形结构，而该真空吸头(10)的扁平的前表面部具有至少设置三个吸附部(12、14、16)的结构。再依图3，上述真空镊子具备与设于外部的真空泵的抽空管道(20)连接的真空吸头(10)，该真空吸头(10)具有前表面为扁平的壳体(11c)和从该壳体延长出来的扁平的二个延长部(11a、11b)而呈“Y”形的结构。前述真空吸头(10)由聚四氟乙烯或可塑性材料制成。另外，上述真空吸头(10)在其扁平的平面部设有三个吸附部(12、14、16)，在各自具有设计成深0.1mm的椭圆形的自动寻的部的吸附部，平行地设有长方形的支持台。在前述吸附部设置具有与前述长方形支持台之间的间距相应的直径的吸入口。在本实施例中，虽然表示了在吸附部设置二个支持台的结构，但根据吸附部的面积，可形成二个以上的长方形的支持台。还有，前述吸附部虽然设计成椭圆形的自动寻的部，但将吸附部的自动寻的部作成圆形或长方形，不管哪一种形状均适用于本专利技术。具体地讲，在设于上述真空吸头(10)的壳体(11c)的吸附部设有以标号12b、12c所示的二个长方形的支持台和以标号12a所示的一个吸入口；在设于上述延长部(11a)的吸附部(14)设有以标号14b、14c所示的二个长方形的支持台和以标号14a所示的一个吸入口；在设于前述延长部(11b)的吸附部(16)设有以标号16b、16c所示的二个长方形的支持台和以标号16a所示的一个吸入口。因而，与上述壳体(11c)和延长部(11a、11b)相应分别设置上述三个吸附部，各吸附口的吸入口相互连通，并与抽空管道连接。根据如前所述的本专利技术真空镊子，在真空吸头的扁平前表面至少设置三个吸附部，因而可以提高对晶片的吸附力。另外，因真空吸头具有“Y”形结构，即使由于真空吸头弯曲导致真空状态被破坏，由部分吸附部也能完全吸附半导体晶片。再有，由于在真空吸头设有三个吸附部，即使其中一个吸附部的吸入口被某种物质堵住，其他的吸附部仍有足够的吸入力，仍可不落下的传送晶片。权利要求1.一种用于传送半导体晶片的真空镊子，其特征在于，包括具有一个与真空泵的抽空管道(20)相连接的前表面扁平的壳体(11c)和二个从该壳体延长的扁平的延长部(11a、11b)的呈“Y”形的真空吸头(10)，和设于前述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于传送半导体晶片的真空镊子，其特征在于，包括具有一个与真空泵的抽空管道（２０）相连接的前表面扁平的壳体（１１ｃ）和二个从该壳体延长的扁平的延长部（１１ａ、１１ｂ）的呈“Ｙ”形的真空吸头（１０），和设于前述真空吸头（１０）的扁平的前 表面部的至少三个吸附部（１２、１４、１６）。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李敏镐，赵祥，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]